<学渣的电子技术自学笔记>--二极管的工作频率与PN结结面积的关系 书本原文 :按结构分,二极管有点接触型.面接触型和平面型三类.点接触型二极管(一般为锗管)的PN结结面积很小(结电容小),因此不能通过较大电流,但其高频性能好,故一般适用于高频和小功率的工作,也用作数字电路中的开关元件.面接触型二极管(一般为硅管)的PN结结面积大(结电容大),故可通过较大电流,但其工作频率较低,一般用作整流.平面型二极管可用作大功率整流管和数字电路中的开关管.   二极管 a)符号:b)点接触型:c)面接触型

电场方向 电场方向和正电荷受力方向相同 飘移运动和扩散运动 多子和电场方向互相抵制,而多子是扩散运动,而对少子则是促进作用,当扩散和漂移达到动态平衡时,我们称PN结形成 PN结特性 单项导电性

回到目录 1.   掺杂半导体 上面我们分析了本征半导体的导电情况,但由于本征半导体的导电能力很低,没什么太大用处.所以,一般我们会对本征半导体材料进行掺杂,即使只添加了千分之一的杂质,也足以改变半导体材料的导电特性.通过加入不同特性的掺杂的元素,可以做出两种不同性质的半导体材料:n型半导体材料和 p型半导体材料,下面分别予以介绍. (1) n型半导体 n型半导体材料是通过对本征半导体掺入有5个价电子的元素得到的,常见的5价元素有:锑(Sb).砷(As).磷(P),下面以锑作为掺杂元素.硅作为本

PN结加正向电压 当PN结外加正向电压时,外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱了内电场,破坏了原来的平衡,使扩散运动加剧,PN结导通.PN结的压降只有零点几付,所以在其回路里应串联一个电阻. PN结加反向电压 当PN结加反向电压时,外电场使空间电荷区变宽,加强了内电场,阻止了扩散运动的进行,而加剧了漂移运动的进行,形成反向电流.但其电流很小,可忽略不计.这是PN结处于截止状态. PN结的电流方程      其中Ut=26mV,Is为反向饱和电流.     反向击穿又分为齐纳击穿和雪崩

P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入3价元素如硼,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体.在P型半导体中,空穴为多字,自由电子为少子,主要靠空穴导电.掺入的杂质越多,空穴的浓度就越大,导电性就越强. N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入5价元素如磷, 使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体.在N 型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,故自由电子为多子,空穴为少子.如下图: PN结的形成 把N型和P型半导体制作在一起时,必定存在扩散运动.N区的自由电子向P区扩散,P区空穴向N区扩散.由

理论基础:导体是内部具有较多可以自由移动的电荷的物体. 绝缘体是内部没有或者有很少可以自由移动的电荷的物体. +代表空穴带正电 -代表电子带负电 两竖线之间表示无自由移动电子或空穴部分,相当于绝缘体 没加电压时:P ++| |-- N 当P加低电压N加高电压时,空穴会被P区的外加电压带负电荷的电极向左吸引,电子会被向右吸引.同时空穴会被N区电极向左排斥,电子会被P区电极向右排斥.又因为PN之间自由移动的空穴和电子是有限的数量. 于是形成:P +| |- N  绝缘体部分变的更宽了,外加电压越大,

https://www.zhihu.com/question/60053574/answer/174137061 我理解的半导体 pn 结的原理,哪里错了? https://blog.csdn.net/cyousui/article/details/78509792 PN结的形成原理

可能大家在使用半导体器件的时候只是在使用它的电气属性,并没有很好的关心下它是什么原因才有了这样的电气属性,那么我们本篇就从物理结构分析下PN结吧. 首先看一张比较陈旧的图图: (就按自己的笔记简单谈谈自己的理解吧,不到之处请各位积极留言啊) 1.怎样选取母体(基片) ? 答:我们在选取衬底时首先选取电中性的,在元素周期表中,外部电子数目处于4(C,Si,Ge,Sn,Pb)的为金属和非金属之间,称为半导体,元素属性教稳定. 对于为什么选Si,Ge,而不是其他的,原因可能是,Si,Ge资源多,获取成

0.小叙闲言 前面已经写了两篇介绍放大器应用和MOSFET作驱动的文章:常规放大电路和差分放大电路和MOSFET使用与H桥驱动问题.但是对它们的工作原理并没有进一步研究一下,今天写下这篇文章,主要是介绍二极管的工作原理,为后面的三极管和MOSFET工作原理的理解打下基础,然后,应该能理解放大器的工作原理,最后也就也能解决上两篇文章提出的问题了. 1.PN结形成 P(Positive)型和N(Negative)型可根据它们的载流子(载流子说得比较学术,其实就是导体里面能流动的带电粒子,为电子或者是

摘自:https://blog.csdn.net/CPJ_phone/article/details/40979027                                                                                                                     2018-07-29         13:06:21 1.怎样选取母体(基片) ? 答:我们在选取衬底时首先选取电中性的,在元素周期表中,外部电子

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED).数码管.符号管.米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等.事实上,数码管.符号管.米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管. 一. 半导体发光二极管工作原理.特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓).GaP(磷化镓).GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结.因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止.击穿特性.此外,在一定条件下,它还具有发光特性.在正向电压下,电子由N

本文从本人的163博客搬迁至此. 接下来用USB-6009和LabVIEW实现对二极管最重要的特性曲线“V-I特性曲线”的测试和绘制. 一.什么是二极管V-I特性曲线    康华光版的<电子技术基础——模拟部分>这样介绍二极管的V-I特性:在二极管正向特性(在PN结两端施加N正P负的电压时的特性)的起始部分,由于正向电压较小,外电场还不足以克服PN结的内电场,因而这时的正向电流几乎为零,二极管呈现出一个大电阻,好像一个门坎.硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0.5V,锗管的Vth约为0.

元数据,就是C#中封装的一些类,无法修改.类成员的特性被称为元数据中的注释. 1.什么是特性   (1)属性与特性的区别  属性(Property):属性是面向对象思想里所说的封装在类里面的数据字段,Get,Set方法.  特性(Attribute):  官方解释:特性是给指定的某一声明的一则附加的声明性信息. 允许类似关键字的描述声明.它对程序中的元素进行标注,如类型.字段.方法.属性等.从.net角度看,特性是一种 类,这些类继承于System.Attribute类,用于对类.属性.方法.事

1. 引言 attribute是.NET框架引入的有一技术亮点,因此我们有必要花点时间走进一个发现attribute登堂入室的入口.因为.NET Framework中使用了大量的定制特性来完成代码约定,[Serializable].[Flags].[DllImport].[AttributeUsage]这些的构造,相信我们都见过吧,那么你是否了解其背后的技术. 提起特性,由于高级语言发展的历史原因,不免让人想起另一个耳熟能详的名字:属性.特性和属性,往往给初学者或者从C++转移到C#的人混淆的概

定制特性可以应用的目标元素可以为:程序集(assembly).模块(module).类型(type).属性(property).事件(event).字段(field).方法(method).参数(param).返回值(return) 定制特性以[,]形式展现,放在紧挨着的元素上,多个特性可以应用于同一元素,特性间以逗号隔开,以下表达规则有效: [AttributeUsage][ Flags].[AttributeUsage, Flags].[Flags, AttibuteUsageAttribu

转自:http://www.csharpwin.com/csharpspace/10729r8541.shtml #if/#endif条件编译常用来由同一份源代码生成不同的结果文件,最常见的有debug版和release版.但是,这些工具在具体应用中并不是非常得心应手,因为它们太容易被滥用了,使用它们创建的代码通常都比较难理解,且难以调试.C#语言的设计者们对这种问题的解决方案是创建更好的工具,以达到为不同环境创建不同机器码的目的.C#为此添加了一个Conditional特性,该特性可以标示出某

1. 引言 attribute是.NET框架引入的有一技术亮点,因此我们有必要花点时间走进一个发现attribute登堂入室的入口.因为.NET Framework中使用了大量的定制特性来完成代码约定,[Serializable].[Flags].[DllImport].[AttributeUsage]这些的构造,相信我们都见过吧,那么你是否了解其背后的技术. 提起特性,由于高级语言发展的历史原因,不免让人想起另一个耳熟能详的名字:属性.特性和属性,往往给初学者或者从C++转移到C#的人混淆的概

1 神马是特性?如何自定义一个特性? (1)特性是什么     特性是一个对象,可以加载到程序集及程序集的对象中,这些对象包括 程序集本身.模块.类.接口.结构.构造函数.方法.方法参数等,加载了特性的对象称作特性的目标.特性是为程序添加元数据(描述数据的数据)的一种机制,通过它可以给编译器提供指示或者提供对数据的说明. Attributes和Microsoft .NET Framework文件的元数据保存在一起. 总结为:定制特性attribute,本质上是一个类,为目标元素提供关联附加信息并

特性的定义:公共语言运行时允许添加类似关键字的描述声明,叫做attribute,它对程序中的元素进行标注,如类型.字段.方法.和属性等.attribute和.NetFramework文件的元数据保存在一起,可以用来在运行时描述你的代码,或者在程序运行的时候影响应用程序的行为. 定制特性attribute,本质上是一个雷,其为目标元素提供关联附加信息,并在运行期以反射的方式来获取附加信息. 一.特性的通用规则. 1.定制特性可以应用的目标元素包括:程序集(assembly).模块(module).