转 http://blog.csdn.net/linweig/article/details/5556819 flash连接CPU时,根据不同的数据宽度,比如16位的NOR FLASH (A0-A19),处理器的地址线要(A1-A20)左移偏1位.为什么要偏1位? 从软件和CPU的角度而言,一个地址对应一个字节,就是8位数据.这是肯定的,不要怀疑这点. 对于具体器件而言,它的位宽是一定的,所谓位宽,指的是“读/写操作时,最小的数据单元”──别说最小单元是“位”,一般设备上没有单独的“位操作”,修

NOR Flash擦写和原理分析 1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),

1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作.对NOR

1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作.对NOR

都是随机存储器,断电数据消失,但Flash有点不一样,它在消失数据之前,添加了一个""性质",这个性质能上电后再识别,且把这个信号返回到ram中,这样近似的把flash当成了eeprom来使用,就是这样,RAM芯片断电后数据会丢失,Flash芯片断电后数据不会丢失,但是RAM的读取数据速度远远快于Flash芯片.

NOR Flash简介    NOR FLASH是INTEL在1988年推出的一款商业性闪存芯片,它需要很长的时间进行抹写,大半生它能够提供完整的寻址与数据总线,并允许随机存取存储器上的任何区域,而且它可以忍受一万次到一百万次抹写循环,是早期的可移除式闪存储媒体的基础. NOR Flash的原理 从物理层面解释,NOR闸闪存的每个存储单元类似一个标准MOSFET,除了晶体管有两个而不是一个闸极.在顶部的是控制闸(CONTROL Gate,CG),它的徐阿奴阿布是土匪以氧化物层与周遭绝缘的浮闸(F

学习目标: 1.了解nor flash存储芯片的概念和特性 2.掌握使用s3c2440芯片对外挂的nor flash进行读写擦除操作 1.NOR Flash的简单介绍 NOR Flash最早是由Intel公司于1988年开发出的,是现在市场上两种主要的非易失性存储器之一,它的出现彻底改变了存储器市场上由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Progr

1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作.对NOR

1.   配置概述 Spartan6系列FPGA通过把应用程序数据导入芯片内部存储器完成芯片的配置.Spart-6 FPGA可以自己从外部非易失性存储器导入编程数据,或者通过外界的微处理器.DSP等对其进行编程.对以上任何一种情况,都有串行配置和并行配置之分,串行配置可以减少芯片对引脚的要求,并行配置对8bit/16bit Flash或者微处理器来说更合适. 因为Xilinx的FPGA器件的配置数据存储在CMOS 配置锁存器内(CCL),因此Spartan6 FPGA器件上电后必须重新配置.Sp

转自:http://blog.sina.com.cn/s/blog_5ddb672b0100fkcf.html 1.首先应该先了解Flash ROM的种类 NOR FLASH地址线和数据线分开,来了地址和控制信号,数据就出来. NAND Flash地址线和数据线在一起,需要用程序来控制,才能出数据.通俗的说,只给地址不行,要先命令,再给地址,才能读到NAND的数据,在一个总线完成的. 结论是:ARM无法从NAND直接启动.除非装载完程序,才能使用NAND Flash. Nand Flash的命令

在嵌入式系统中,NOR闪存一直以来仍然是较受青睐的非易失性内存,NOR器件的低延时特性可以接受代码执行和数据存储在一个单一的产品.虽然NAND记忆体已成为许多高密度应用的首选解决方案,但NOR仍然是低密度解决方案的首选之一. 未来闪存产品具有快速发展的趋势,可以发现,闪存产品从低密度.低性能.低功能的发展特点转变为高密度.高性能.高功能的发展特点.Spansion的NOR闪存广泛运用于汽车电子.医疗设备.通讯设备.机顶盒等. SPI Flash特性 SPI串行结构的EEPROM最早出现于20世纪

汉王科技,早先使用的是Marvell的Xscal(ARM架构).而后据说出于功耗与价格的考虑,汉王旗下的全线产品,除了双品牌的T61(ALEX)以外,都使用北京君正提供的产品.君正的4740,基于MIPS架构,最高360MHZ的主频,优势在于功耗与价格,劣势在于运行速度.以至于汉王在下一代产品汉王E-800上,将引入飞思尔卡基于ARM的i.Mx51系列处理器.从ARM到MIPS再到ARM,完成了一个有趣的轮回. 国内君正科技很早就推出了可用于电子书阅读器的处理芯片,涉足已久,其优势是成本控制较好

AM335X是美国TI(德州仪器)公司基于 ARM Cortex-A8内核的AM335X微处理器,在图像.图形处理.外设方面进行了增强,并全面支持诸如 EtherCAT 和 PROFIBUS等工业接口.AM335X的优点有如下几个:第一:该器件是最实惠的Cortex A8 处理芯片,这个对中国市场至关重要 ,甚至是决定性的因素.第二: TI 史上公开资料最全的一个芯片.第三: 产品定位最清晰的一个工业控制MCU第四 : 唯一一个集成2个MAC的 MCU.第五: 目前唯一支持Androd 4.0,

一.NAND原理 NAND 无地址空间,地址和数据的发送都依赖于LDATA[0:7]这一串数据总线. 不看随机页编程,看到从高位到低位的页,总共分为64个页面,每个页的组成是2K + 64  个byte,一个块的大小是(128K + 4K)byte,64页组成一块. 1.1 NAND Flash的编址 nand flash的的页的大小是(2048 + 64)byte,64这个数据是不参与编址的. 访问 nand flash: 发出命令:读.写.擦除 发出地址 传输数据 命令设置如下: 1.2 n

STM32F4xx official page: http://www.st.com/internet/mcu/subclass/1521.jspIntroductionFPU - Floating point benefits DSP - benefitsPricePortfolioTutorial Application Notes, Manuals, etc Software ToolsEvaluation Board STM32446E-EVAL - Evaluation board w

flash  模拟  EEPROM  实验 1. 测试环境:STM32C8T6 2. 测试接口: 3. 串口使用串口一,波特率9600 单片机引脚------------CH340引脚 VCC--------------------VCC GND-------------------GND PA9--------------------RXD PA10-------------------TXD STM32 本身没有自带 EEPROM,但是 STM32 具有 IAP(在应用编程)功能, 所以我们

NAND FLASH 原理 http://www.360doc.com/content/12/0522/21/21412_212888167.shtml 闪存保存数据的原理: 与DRAM以电容作为存储元件不同,闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极.漏极和栅极.栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用 来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏.采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再 次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力.

1.开发工具:VS2013 2.开发环境:win 10 64位 3.添加控件: 打开VS,点击工具箱--常规--右键--“选择项”---“Com组件”--MacroMedia Flash Factory Object  ,系统会自动添加了引用AxShockwaveFlashObjects, ShockwaveFlashObjects 在放入窗体中时报错“未能导入ActiveX 控件.请确保它已正确注册”.所以手动添加如下代码: C# code (1) 在Form1.Designer.cs中的最下

Take SAMSUNG K9F1G08U0E for example, and use S3C2416, Windows CE5.0 platform. 要让Flash工作起来,包括两部分: Flash器件控制和CPU端的Flash控制器.Flash端一般只要把相应的脚位和CPU端连起来就可以通过CPU端的相应控制寄存器对Flash设备进行控制读写数据了.当然也有一部分CPU是不带Flash控制器的,这种情况下就要根据Flash的操作时序等进行控制了. [1]Flash工作准备 1.确认硬件连

对于flash的认识,比较肤浅,在网上找了些资料,感谢 http://blog.csdn.net/lin364812726/article/details/18815395  的博主, 将其博文转载过来,以便以后查看. flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程. flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash.(1)nor flash:像访问SDRAM一样,按照数据/地址总线直接访问, 可写的次数较少,速度也慢,由于其读时序类似