1.什么是 nandflash ? FLASH闪存 闪存的英文名称是"Flash Memory",一般简称为"Flash",它属于内存器件的一种,是一种非易失性( Non-Volatile )内存. NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘

前面的博文生成JS代码模版和文档式模版,生成的是带初始化语句的模版,如果想要打印多个,可以循环多个任务,什么是一个任务,可查看本博客相关博文:Lodop打印语句最基本结构介绍(什么是一个任务)一个任务里可以有多页,如果是手动分页:Lodop强制分页LODOP.NewPage()和LODOP.NewPageA()Lodop控件NewPage();测试输出空白页 LODOP.GET_VALUE("ProgramCodes",0);//获取传统的JS代码模版LODOP.GET_VALUE(&

2015.3.27星期五 晴 链接脚本定义代码的排放顺序 硬件系统初始化:一:arm核初始化:(里面有指令)初始化ARM核的时候需要看arm核的手册指令:1.异常向量(最起码有个复位异常,初始化模式-svc) ldr r0, =_start mcr p15, 0, r0, c12, c0, 0 2.处理器模式-SVC3.关闭中断 mrs r0, cpsr bic r0, r0, #0x1f orr r0, r0, #0xd3 @1101 0011 //关闭irq,fiq和设置SVC msr cp

1.本节使用的nand flash型号为K9F2G08U0M,它的命令如下: 1.1我们以上图的read id(读ID)为例,它的时序图如下: 首先需要使能CE片选 1)使能CLE 2)发送0X90命令,并发出WE写脉冲 3)复位CLE,然后使能ALE 4)发送0X00地址,并发出WE写脉冲 5)设CLE和ALE为低电平 6)读出8个I/O的数据,并发出RE上升沿脉冲 (我们的nand flash为8个I/O口,所以型号为K9F2G08U0M) 1.2 nand flash 控制器介绍 在244

1.本节使用的nand flash型号为K9F2G08U0M,它的命令如下: 1.1我们以上图的read id(读ID)为例,它的时序图如下: 首先需要使能CE片选 1)使能CLE 2)发送0X90命令,并发出WE写脉冲 3)复位CLE,然后使能ALE 4)发送0X00地址,并发出WE写脉冲 5)设CLE和ALE为低电平 6)while判断nRE(读使能)是否为低电平 7)读出8个I/O的数据,并发出RE上升沿脉冲 (我们的nand flash为8个I/O口,所以型号为K9F2G08U0M) 1

[嵌入式开发]ARM 内存操作 ( DRAM SRAM 类型 简介 | Logical Bank | 内存地址空间介绍 | 内存芯片连接方式 | 内存初始化 | 汇编代码示例 )     一. 内存 简介 1. 两大内存分类 ( 1 ) DRAM 简介 ( 定期刷新 | 速度慢 | 成本低 ) DRAM 简介 : 1.硬件描述 : DRAM 基本由一个个小电容基本原件组成, 电容的两端保留电荷; 2.优缺点描述 : ① 优点 : 成本很低, 很便宜; ② 缺点 : 需要 定期刷新数据, 速度较慢

1, /include/configs/smdk2440.h 中添加 #define CONFIG_CMD_NAND 编译 drivers/mtd/nand/built-in.o: In function `nand_init_chip': /u-boot-2016.03/drivers/mtd/nand/nand.c:76: undefined reference to `board_nand_init' 发现是少了文件 /drivers/mtd/nand/s3c2410_nand.c 复制为

我们知道 s5pv210启动方式有非常多种,sd卡和nand flash 启动就是当中的两种,前面我们实现的都是基于sd卡启动,这节我们開始实现从nand flash 启动: 从 NAND 启动 u-boot,须要 BL1 初始化 NAND 控制器,然后从 NAND 拷贝 BL2 到 DDR 内存.这里的BL1 即我们移植的 u-boot-spl.bin,BL2 即我们移植的 u-boot.bin.在 u-boot.bin 中的 NAND 驱动比較大,它包括了非常多功能,而 u-boot-spl

一.NAND原理 NAND 无地址空间,地址和数据的发送都依赖于LDATA[0:7]这一串数据总线. 不看随机页编程,看到从高位到低位的页,总共分为64个页面,每个页的组成是2K + 64  个byte,一个块的大小是(128K + 4K)byte,64页组成一块. 1.1 NAND Flash的编址 nand flash的的页的大小是(2048 + 64)byte,64这个数据是不参与编址的. 访问 nand flash: 发出命令:读.写.擦除 发出地址 传输数据 命令设置如下: 1.2 n

由于近段时间帮朋友开发一个能够查询正方教务系统的微信公众平台号.有所收获.这里总结下个人经验. 开讲前,先吐槽一下新浪云服务器,一个程序里的   同一个函数  在PC测试可以正常运行,在它那里就会挂的现象. 老样子,我将在代码里注释清楚.使用下面的函数,将会获得两种形式的 cookie,一种保存在文件中,一种直接以变量的形式返回, 经验提示: 有时候,在不同的代码运行环境中,带着文件cookie 去访问会成功,而变量却失败,有时候却想法.不过, 目前,这两种方法总有一种会成功. function

反射技术其实就是动态加载一个指定的类,并获取该类中的所有内容.而且将字节码文件封装成对象,并将字节码文件中的内容都封装成对象,这样便于操作这些成员,简单来说:反射技术可以对一个类进行解剖,反射大大增强了应用程序的可扩展性. 反射技术的原理如下图所示: 但是要想要对字节码文件进行解剖,必须要有字节码文件对象. 如何获取字节码文件对象呢? 要读取的类文件源码: package Reflect; public class Person { /** * @param args */ private St

1.创建一个Student这个类 2.声明和实现 1).在Studnet.h文件中对属性和方法的声明 其中这个方法是带参初始化 而这个方法是便利构造.注意与上边的区别 2.在Studnet.m中实现 总结:便利构造包含了内存分配和初始化过程.

(1)流水灯   1>我们来看原理图                                2>datasheet                             3>leds.c             #define GPFCON  (*(volatile unsigned long *)0x56000050)  //address      #define GPFDAT  (*(volatile unsigned long *)0x56000054)      #d

1. 根据物理结构上的区别,Nand Flash主要分为: SLC(Single Level Cell): 单层式存储 MLC(Multi Level Cell): 多层式存储 TLC(Triple Level Cell): 三层式存储 注:SLC在存储格上只存一位数据(2个状态),MLC存放两位数据(4个状态),TLC存放三位数据(8个状态). 2. Nand Flash 地址结构 注: ①Row Address即页地址,Column Address即页内偏移 ②正常页内容读取用Column

在完成bean实例化后,spring会根据配置文件的设定情况对bean 的属性进行初始化, 1.autowire方式 (可查找自动装配对象 但bean中要有相应属性的set方法)这是一个自动装配的机制,尽管这种机制不是很完善,但是在应用中结合<ref>标签还是可以大大的减少我们的劳动强度.前面提到过,在定义Bean时,<bean>标签有一个autowire属性,我们可以通过指定它来让容器为受管JavaBean自动注入依赖对象. 2.借助于bean的setter方法 3实现org.s

u-boot第二阶段初始化内容的入口函数是_main,_main位于arch/arm/lib/crt0.S文件中: _main函数中先为调用board_init_f准备初始化环境(设置栈指针sp和并给gd_t结构分配空间): .global _main _main: /* * Set up initial C runtime environment ). */ #if defined(CONFIG_NAND_SPL) /* deprecated, use instead CONFIG_SPL_B

http://bbs.21ic.com/icview-586200-1-1.html 百为STM32开发板教程之十二——NAND FLASH 参考资料:百为stm32开发板光盘V3\百为stm32开发板光盘\芯片数据手册\K9F1208.pdf百为stm32开发板光盘\st官方参考资料\Application notes\AN2784 Using the high-density STM32F10xxx FSMC peripheral to drive external memories.pdf

1. git push --mirror --mirror模式会把本地的分支都克隆 // 先用--bare克隆裸仓库 git clone git@gitee.com:zhangamie/testApp.git --bare // 进入testApp.git,这样就可以把所有分支都克隆到新仓库了 git push --mirror git@gitee.com:zhangamie/testApp2.git 或 // 普通模式克隆仓库 git clone git@gitee.com:zhangamie

在裸板2440中,当我们使用nand启动时,2440会自动将前4k字节复制到内部sram中,如下图所示: 然而此时的SDRAM.nandflash的控制时序等都还没初始化,所以我们就只能使用前0~4095地址,在前4k地址里来初始化SDRAM,nandflash,初始化完成后,才能将nandflash的4096至后面的地址内容存放到SDRAM里去. 而裸板驱动的步骤如下所示: 1.写makefile 2.写lds链接脚本 (供makefile调用) 3.写真正要执行的文件代码,比如初始化nand

在裸板2440中,当我们使用nand启动时,2440会自动将前4k字节复制到内部sram中,如下图所示: 然而此时的SDRAM.nandflash的控制时序等都还没初始化,所以我们就只能使用前0~4095地址,在前4k地址里来初始化SDRAM,nandflash,初始化完成后,才能将nandflash的4096至后面的地址内容存放到SDRAM里去. 而裸板驱动的步骤如下所示: 1.写makefile 2.写lds链接脚本 (供makefile调用) 3.写真正要执行的文件代码,比如初始化nand

可以选择nand启动和nor启动,这两者之间的关系通过一个按键来选择 这个OM0有何玄机,在数据手册中有这么一段 位宽RAM启动了(当然,还得设置一些东西,下面就说), Nanaflash启动经历的过程相当于首先,2440自动从nand里面读取4K的代码,这4K代码将nand里面的数据拷贝到ram中,然后跳转到ram中执行代码,为什么是4K,因为 2440.s的启动代码需要包含几个文件 2440addr.inc 内部寄存器地址 Memcfg.inc 各个bank的内存配置数据 Option.in