一.容量和封装相关 (1)逻辑Bank数量增加 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,而DDR3起始的逻辑Bank是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备. (2)封装(Packages) DDR2有60/68/84球FBGA封装三种规格. DDR3由于新增了一些功能,所以引脚有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,并且DDR3必须是绿色封装. DDR3学习笔记 分类: 服务器与存储 2014-02-20 12:09:52 原

DDR采用一个周期来回传递一次数据,因此传输在同时间加倍,因此就像工作在两倍的工作频率一样.为了直观,以等效的方式命名,因此命名为DDR 200 266 333 400. DDR2尽管工作频率没有变化,数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit,那么同时间传递数据是DDR的两倍,因此也用等效频率命名,分别为DDR2 400 533 667 800. DDR3内存也没有增加工作频率,继续提升数据传输位宽变为8bit,为DDR2两倍,因此也在同样工作频率下达到更高带宽,因此用等效方式命名DDR3 8

DDR3内存条和eMMC存储器区别: 1. 存储性质不同:2. 存储容量不同:3. 运行速度不同:4. 用途不同. 具体区别如下: 1.存储性质不同:eMMC是非易失性存储器,不论在通电或断电状态下,数据都是可以存储的,而DDR3内存是易失性存储器,断电同时,数据即丢失. 2.存储容量不同:eMMC的存储容量要比DDR3内存大3-4倍,常见有32G,而DDR3内存容量相对较小,常见有2-8G. 3.运行速度不同:DDR3内存运行速度要比eMMC快得多. 4.用途不同:eMMC主要用于数据存储,而

转自:https://www.cnblogs.com/debruyne/p/9186619.html DDR3内存条和eMMC存储器区别: 1. 存储性质不同:2. 存储容量不同:3. 运行速度不同:4. 用途不同. 具体区别如下: 1.存储性质不同:eMMC是非易失性存储器,不论在通电或断电状态下,数据都是可以存储的,而DDR3内存是易失性存储器,断电同时,数据即丢失. 2.存储容量不同:eMMC的存储容量要比DDR3内存大3-4倍,常见有32G,而DDR3内存容量相对较小,常见有2-8G.

本文转自:(4条消息) xilinx ddr3 MIG ip核使用详解_admiraion123的博客-CSDN博客 1,DDR3基本内容介绍1.1,DDR3简介DDR3全称double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代双倍速率同步动态随机存储器.所谓同步,是指DDR3数据的读取写入是按时钟同步的:所谓动态,是指DDR3中的数据掉电无法保存,且需要周期性的刷新,才能保持数据:所谓随机存取,即可以随机操作任一地址的数据:所谓double-data-r

转自:http://blog.csdn.net/myarrow/article/details/7847385 一.DDR3简介 DDR3(double-data-rate three synchronous dynamic random access memory)是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线.DDR3在DDR2的基础上继承发展而来,其数据传输速度为DDR2的两倍.同时,DDR3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大,达到512Mb至8Gb,从而使采用DDR3芯片的内存条

随着整个行业已经全面转向DDR4内存,不少厂商都陆续停产了DDR3,并准备好了迎接DDR5,但对于很多特殊用户,尤其是网络和嵌入式领域,仍然对DDR3有着强劲且持续的需求. 工业内存存储厂商ATP Electronics今天宣布了自己研发的高密度8Gb DDR3颗粒,并承诺会确保DDR3内存的持续供应. ATP这种内存采用了精心挑选和测试的高质量IC,采用2xnm工艺制造,整个模组也经历了广泛和深度的测试验证,并且不存在Row Hammer漏洞,不会导致数据泄露. 该内存提供多种规格可选,1CS

一.DDR电源简介 1. 电源 DDR的电源可以分为三类: a.主电源VDD和VDDQ,主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给IO buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用. 有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可.电源设计时,需要考虑电压,电流是否满足要求,电源的上电顺序和电源的上电时间,单调性等.电源电压的要求一般在±5%以内.电流需要根据使用的不同芯片,及芯片个数等进行计算.由于DDR的电流一般都比较大,所以

于16年2月多购买了tiny4412sdk-1506,用友善之臂(以下简称友善)的superboot是可以进入linux,而用三星原始的uboot_tiny4412-20130729则不可以.出现现象是卡在“OK”,偶尔能继续跑下去.根据以往开发的经验,可以知道这绝对是ddr3配置的问题,查看“Tiny4412-1306-Schematic”是4颗ddr3@16bit,用到一个控制器两个片选(chip0,chip1),而“Tiny4412-1412-Schematic”(对应我购买的PCB)是2

转:http://blog.sina.com.cn/s/blog_1538bc9470102vyyq.html http://www.elecfans.com/article/80/110/2010/20100628219744.html http://renguangling.blog.163.com/blog/static/4300262420120182517284/ https://wenku.baidu.com/view/3e14f7600b1c59eef8c7b439.html ht

基于6U VPX的 XC7VX690T+C6678的双FMC接口雷达通信处理板   一.板卡概述 高性能VPX信号处理板基于标准6U VPX架构,提供两个标准FMC插槽,适用于电子对抗或雷达信号等领域的高性能采集.回放以及相关处理.通过扣接不同的数据接口FMC子卡的方式,可实现不同采样频率.不同量化位数.不同通道数.不同信号形式的采集.回放.处理的功能模块.高性能VPX信号处理板主要包含大规模FPGA.多核DSP.大容量DDR3存储器.FMC插槽.扩展IO.板载时钟等,模块原理框图如下图所示:

基于XCVU9P+ C6678的40G光纤的加速卡 一.板卡概述 二.处理板技术指标 •  板卡为自定义结构,板卡大小332mmx260mm; •  FPGA采用Xilinx Virtex UltralSCALE+ 系列芯片 XCVU9P; •  FPGA挂载4组FMC HPC 连接器; •  板载4路QSPF+,每路数据速率40Gb/s; •  DSP处理器采用TI 8核处理器TMS320C6678; •  DSP 外挂一组64-bit DDR3颗粒,总容量1GB,数据速率1333Mb/s;

基于Xilinx Kintex-7 FPGA K7 XC7K325T PCIeX8 四路光纤卡 1. 板卡概述   板卡主芯片采用Xilinx公司的XC7K325T-2FFG900 FPGA,pin_to_pin兼容FPGAXC7K410T-2FFG900,支持8-Lane PCIe.64bit DDR3.四路SFP+连接器.四路SATA接口.内嵌16个高速串行收发器RocketIO GTX,软件具有windows驱动. 二.功能和技术指标:  •  8-Lane PCIe可实现5Gbps/la

板卡架构 板载FPGA(K7-325T)处理24端口10/100/1000M以太网数据: FPGA外挂4Gbit的DDR3颗粒,最大支持800MHz: 板载CPU进行系统配置.管理,并与客户端软件通信: 板载CPU与FPGA之间通过100M以太网(RMII)及Local bus通信: 外部接口 数据通道:24端口10/100/1000M自适应以太网: 管理通道:100M以太网(通过局域网与客户端软件所在的上位机通信): 支持USB升级Boot程序: 板卡软件 支持网口升级软件大包: FPGA通过

板卡架构 板载FPGA(K7-325T)处理24端口10/100/1000M以太网数据: FPGA外挂4Gbit的DDR3颗粒,最大支持800MHz: 板载CPU进行系统配置.管理,并与客户端软件通信: 板载CPU与FPGA之间通过100M以太网(RMII)及Local bus通信: 外部接口 数据通道:24端口10/100/1000M自适应以太网: 管理通道:100M以太网(通过局域网与客户端软件所在的上位机通信): 支持USB升级Boot程序: 板卡软件 支持网口升级软件大包: FPGA通过

一.板卡概述 板卡包括一片Xilinx FPGA  XCVU9P,两片 TI 多核DSP TMS320C6678及其控制管理芯片CFPGA.设计芯片满足工业级要求. FPGA VU9P 需要外接4路QSFP+(100Gbps)及其两个FMC HPC接口.DSP需要外接两路千兆以太网.如下图所示: 二.主要功能及性能指标 FPGA处理器采用Xilinx Virtex UltralSCALE+ 系列芯片 XCVU9P. FPGA 外挂2组FMC HPC 连接器. FPGA 外挂两簇DDR4 FPGA

SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命: MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000—10000次擦写寿命 TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500-1000次擦写寿命. 结论:SLC > MLC > TLC 目前大多数U盘都是采用TCL芯

一. 软件平台与硬件平台 软件平台: 1.操作系统:Windows-8.1 2.开发套件:无 3.仿真工具:无 硬件平台: 1. FPGA型号:无 2. DDR3型号:无 二. 存储器的分类 存储器一般来说可以分为内部存储器(内存),外部存储器(外存),缓冲存储器(缓存)以及闪存这几个大类.内存也称为主存储器,位于系统主机板上,可以同CPU直接进行信息交换.其主要特点是:运行速度快,容量小.外存也称为辅助存储器,不能与CPU之间直接进行信息交换.其主要特点是:存取速度相对内存要慢得多,存储容量大

转自:http://www.360doc.com/content/14/0116/16/15528092_345730642.shtml 以及参考网络. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用. 这部分的讲述运用DDR3的简化时序图.DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格. 和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格, 这就是内存芯片寻址的基本原理

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算 机的内存.        RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但 是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(

这两天正在学习FPGA如何控制DDR3的读写,找到一篇个人感觉比较有意义的文章,可以对DDR的内部结构有一个初步的了解.原文出处:http://blog.chinaunix.net/uid-28458801-id-3459509.html,感谢大神的付出. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的 内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(R