http://china.xilinx.com/support/documentation-navigation/design-hubs/dh0061-ultrascale-memory-interface-ddr4-ddr3-hub.html https://forums.xilinx.com/t5/Memory-Interfaces/bd-p/MIG 我们用的kintex ultrascale器件,型号是XCKU060-2-FFVA1517:DDR4用的是美光的:EDY4016AABG-DR

SDRAM控制器 博主上一篇介绍了一些SDRAM的基本原理是否有必要学习使用纯Verilog写一个SDRAM控制器,接下来记录SDRAM控制器的工作原理.首先是上电初始化. 上电初始化 时序图中,tRP.tRC.这些时间参数可以从手册中找到,这里的系统时钟采用50Mhz. 从初始化的时序图可以看出,首先在进行预充电(Precharge)命令之前要等待100us(手册要求是至少100us,我们设定延时200us),等待系统上电稳定和时钟稳定,然后对所有bank进行预充电(Precharge),经历

在Kevin写的上一篇博文<SDRAM理论篇之基础知识及操作时序>中,已经把SDRAM工作的基本原理和SDRAM初始化.读.写及自动刷新操作的时序讲清楚了,在这一片博文中,Kevin来根据在上一篇博文中分析的思路来把写一个简单的SDRAM控制器. 我们在上一篇博文中提到了这样一个问题,SDRAM是每隔15us进行刷新一次,但是如果当SDRAM需要进行刷新时,而SDRAM正在写数据,这两个操作之间怎么进行协调呢?因为我们是肯定需要保证写的数据不能丢失,所以,我们可以考虑这样来做:如果刷新的时间到

SDRAM从发展到现在已经经历了五代,分别是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM,第五代DDR4 SDRAM.第一代SDRAM采用单端(Single-Ended)时钟信号,第二代.第三代与第四代由于工作频率比较快,所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟.SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率,数据读写速率也为100或133MHz. 内存芯片想要工作的话,必须要与内存控制器有所联系,同时对于一个电气元件,电源供应

自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)是一种持久性存储技术,可利用各种工业标准接口提供性能,持久性和耐用性. Everspin推出了STT-MRAM产品,该产品利用称为JE-DDR4的JEDEC标准DDR4接口的变体,它包含了对完整系统支持所需的独特功能.本文将帮助工程师了解Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南 2.启用ST-DDR4为了使设计人员能够快速集成ST-DDR4支持,该过程从Xilinx Vivado开发环境中生成的现有8Gb DDR4

一. 软件平台与硬件平台 软件平台: 1.操作系统:Windows-8.1 2.开发套件:无 3.仿真工具:无 硬件平台: 1. FPGA型号:无 2. DDR3型号:无 二. 存储器的分类 存储器一般来说可以分为内部存储器(内存),外部存储器(外存),缓冲存储器(缓存)以及闪存这几个大类.内存也称为主存储器,位于系统主机板上,可以同CPU直接进行信息交换.其主要特点是:运行速度快,容量小.外存也称为辅助存储器,不能与CPU之间直接进行信息交换.其主要特点是:存取速度相对内存要慢得多,存储容量大

http://en.wikipedia.org/wiki/Intel_Tick_Tock Atom Roadmap[16]   Fabrication process Microarchitecture Release date Processors/SoCs MID, Smartphone Tablet Nettop, netbook Embedded Server CE   45 nm Bonnell 2008 Silverthorne N/A Diamondville Tunnel Cre

A method for operating a memory module device. The method can include transferring a chip select, command, and address information from a host memory controller. The host memory controller can be coupled to a memory interface device, which can be cou

米尔科技推出的MYD-CZU3EG开发板搭载的就是UltraScale+ MPSoC平台器件 — XCZU3EG,它集成了四核Cortex-A53 处理器,双核 Cortex-R5 实时处理单元以及Mali-400 MP2 图形处理单元及 16nm FinFET+ 可编程逻辑相结合的异构处理系统,具有高性能,低功耗,高扩展等特性,除了这款异构SOC之外,板子还搭载了丰富的接口和完善的开发资料,下面我们来一探究竟. 开箱 暖色调的简洁外包装上印有一行“Make Your idea Real”. 开

基于双XCKU060+双C6678 的双FMC接口40G光纤传输加速计算卡 一.板卡概述 板卡采用基于双FPGA+双DSP的信号采集综合处理硬件平台,板卡大小360mmx217mm.板卡两片FPGA提供两个FMC接口,4路QSFP+接口:每片FPGA挂接2簇32-bit DDR4 SDRAM,总容量2GB:两片FPGA之间通过GTH x8以及若干LVDS信号互联.每片FPGA通过RapidIO总线连接一片TMS320C6678型号8核DSP:每片DSP芯片外挂1GB的DDR3 SDRAM,Fla

一.板卡概述 板卡采用基于双FPGA+双DSP的信号采集综合处理硬件平台,板卡大小360mmx217mm.板卡两片FPGA提供两个FMC接口,4路QSFP+接口:每片FPGA挂接2簇32-bit DDR4 SDRAM,总容量2GB:两片FPGA之间通过GTH x8以及若干LVDS信号互联.每片FPGA通过RapidIO总线连接一片TMS320C6678型号8核DSP:每片DSP芯片外挂1GB的DDR3 SDRAM,Flash和2路千兆网接口:两片DSP之间通过HyperLink进行高速互联. 二

基于Zynq UltraScale+ MPSoC的单板嵌入式计算机 概述:Aldec TySOM-3-ZU7EV,将Xilinx Zynq UltraScale+ ZU7EV MPSoC以及DDR4 SoDIMM,WiFi,蓝牙,两个FMC,HDMI输入和输出接口,显示接口连接,QSFP+光学插槽,和一个Pmod连接器一起集成到了一个100×144mm规格的板子上. 板子上的Zynq UltraScale+ ZU7EV MPSoC有一个四核64位的ARM Cortex-A53 MPCore应用处

核心板,顾名思义,即硬件构成中关键的器件和电路打包封装的一块电子主板,具有布线复杂.多层.高频信号干扰.器件密度高等特性,大多数核心板集成了处理器.内存.存储器.电源管理和引脚,通过引脚与配套基板连接在一起,来实现某个领域的应用.i.MX8M Mini核心板采用高TG HDI板设计,可兼容恩智普i.MX8M Mini全系利处理器,集成了CPU.DDR4.eMMC.PMU.Ethernet.QSPI,并通过两个高可靠性精密工业级座子与底板连接,具有可靠性行高,安装简便的特点,是目前市场上主流的核心

RAM的原理简单学习 DDR是RAM的一种,RAM常见的类型有SRAM,SDRAM,DDR他们的共同特点是,随机存储意味着读写速度快,掉电后数据丢失,所以常用来存储程序中的变量. SRAM 静态随机存储器英文是static random-access memory 就是保持上电就可以保存数据而不需要刷新.数据线和地址线分离以IS62WV51216这个芯片为例,他数据位宽为16,大小为1MB,地址线宽是19.所以可以访问的空间大小就是2的19次方即524288=512KB,然后数据线是16位了,所

本文设计思想采用明德扬至简设计法.在高速信号处理场合下,很短时间内就要缓存大量的数据,这时片内存储资源已经远远不够了.DDR SDRAM因其极高的性价比几乎是每一款中高档FPGA开发板的首选外部存储芯片.DDR操作时序非常复杂,之所以在FPGA开发中用途如此广泛,都要得意于MIG IP核.网上关于MIG控制DDR的资料很多,因此本文只讲述个人认为较重要的内容.由于MIG IP核用户接口时序较复杂,这里给出扩展接口模块用于进一步简化接口时序. 我们从IP核配置开始说起.Controller Opt

在做这个SDRAM控制器之前,博主有一个疑问,对于学生来说,是否有必要学习用纯Verilog写一个SDRAM控制器?因为目前X家和A家都有了DDR IP Core,对于要实现一个应用可以直接调用IP Core,只需要对其接口操作即可.对于开发者来说,与其费时费力用Verilog去写一个性能差而且老的SDRAM控制器,还不如直接调用官方经过打磨的更为先进IP Core.所以博主特地去号称平均学历211,平均月薪7.8万的知(bi)乎提出了这个问题,得到的解答博主总结大致如下. 对于学生这个身份来说

SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器. DDR: DDR是DDR SDRAM,是SDRAM的升级版.(DDR:double rate,双倍速度的SDRAM) DDR有好多代:DDR1.DDR2.DDR3.DDR4.LPDDR(低功耗DDR),这些都是经过初始化的. SDRAM的特性(容量大.价格低.掉电易失性.随机读写.总线式访问) SDRAM/DDR都属于动态内存(相对于静态内存SRAM),都需要先运行一段初始化代码来

在学习FPGA的过程中,注意是在学习过程中,联系FPGA的使用技巧,强烈建议尝试设计一个SDRAM控制器,不要使用IP核. 学习SDRAM控制器设计,能让你掌握很多知识. 更好的使用状态机去精准控制时序. 学会高速设计中必要的技能,也就是时序约束方法,timing report的阅读方法,查找时序问题的基本技巧,复位方案和时钟方案的合理设计,如何优化代码提升系统最高工作时钟,以及testbench的写法. 写sdram控制器还是能锻炼不少典型技能的,值得去花时间思考尝试,性价比是可取的. 设计流

昨晚找了一下,发现DDR3读写在工程上多是通过例化MIG,调用生成IPcore的HDL Functional Model.我说嘛,自己哪能写出那么繁琐的,不过DDR读写数据可以用到状态机,后期再添砖加瓦吧,当下先对比一下网上找的一段程序和自己例化后的程序. 另外,仿真了十余分钟,最后的是什么鬼?一头雾水T.T.想着每一次要分析信号要等那么久就难受. 更重要的是分享一波关于“Xilinx平台下DDR3设计教程”的资料.就其中的“仿真篇”而言,亲测可行,还是中文版 datasheet看着亲切.0.0

DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)是一种高速CMOS.动态随机访问存储器, 它采用双倍数据速率结构来完成高速操作.应用在高速信号处理系统中, 需要缓存高速.大量的数据的情况. SDR SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输:DDR SDRAM能够同时在时钟的上升和下降沿提取数据,一个时钟周期内传输两次数据,从而在相同的数据总线宽度和工作频率下, DDR SDRAM的总线带宽比SDR SDRAM的总线带宽提高了一倍.例如,在DDR2

2018/7/26 受教于邓堪文老师,开始真真学习控制sdram 由于自己买的sdram模块是256的,原来老师的是128,所以边学边改,不知道最后好不好使,但是我有信心 一.sdram的初始化 sdram介绍啥的就不用了,上来就是干,简单粗暴. 1.下面是引脚说明,看不懂自己可以用百度翻译,需要注意的是红框内的地址引脚和行列地址是复用的,A0~A12是行地址,A0~8是列地址 简单说一下SDRAM的容量计算:数据位宽 *行地址*列地址*bank数,我们用的256有4个bank,就是:16*81