前面我们知道了在一个简单的SRAM 芯片中进行读写操作的步骤了,然后我们来了解一下普通的DRAM 芯片的工作情况.DRAM 相对于SRAM 来说更加复杂,因为在DRAM存储数据的过程中需要对于存储的信息不停的刷新,这也是它们之间最大的不同. 1. 多路寻址技术最早.最简单也是最重要的一款DRAM 芯片是Intel 在1979 年发布的2188,这款芯片是16Kx1 DRAM 18 线DIP 封装.“16K x 1”的部分意思告诉我们这款芯片可以存储16384个bit 数据,在同一个时期可以同时进

1.nandflash     Nandflash是IO设备,数据.地址.控制线都是共用的,须要软件区控制读取时序, 所以不能像nor flash.内存一样随机訪问,不能EIP(片上执行).因此不能直接作为boot.     S3C2440把Bootloader烧到nand flash上启动,由于在S3C2440里有一个内置的SRAM. 叫做stepping stone(垫脚石,非常形象-).系统启动加电后, 会把nandflash上的起始4KB的内容复制到SRAM里运行,这样就实现了从nand

1.CPU即中央处理器,是英语“Central Processing Unit”的缩写.CPU从内存或缓存中取出指令,放入指令寄存器,并对指令译码分解成一系列的微操作,然后发出各种控制命令,执行微操作系列,从而完成一条指令的执行. 2.但是,CPU并不能直接调用存储在硬盘上的系统.程序和数据,必须首先将硬盘的有关内容存储在内存中,这样才能被CPU读取运行.因而,内存(即物理内存,是相对于硬盘这个“外存”而言)作为硬盘和CPU的“中转站”,对电脑运行速度有较大影响. 3.当运行数据超出物理内存容纳

http://www.cnblogs.com/spartan/archive/2011/05/06/2038747.html SDRAM SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步动态随机存取存储器,同步是指Memory工作需要步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指存储阵列需要不断的刷 新来保证数据不丢失:随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写.目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM芯片

原文:http://blog.csdn.net/fg8181/article/details/2278100 内存在电脑中起着举足轻重的作用,一般采用半导体存储单元,包括随机存储器(RAM),只读存储器(ROM),以及高速缓存(CACHE). 按内存条的接口形式,常见内存条有两种:单列直插内存条(SIMM),和双列直插内存条(DIMM).SIMM内存条分为30线,72线两种.DIMM内存条与SIMM内存条相比引脚增加到168线.DIMM可单条使用,不同容量可混合使用,SIMM必须成对使用. 按内

  本文主要介绍了pcPentium BSP中包含的驱动程序.包含了官方提供的所有驱动程序,除了aic7888Lib--现在已用得很少的一个AIC-7888 SCSI控制器的驱动介绍.建议重点阅读ataDrv和ataShow部分,其他部分可以略看.   BSP通过VxBus的驱动合集和老的非VxBus驱动来支持设备.此版本中,VxBus是默认配置,非VxBus驱动程序支持已被删除. VxBus驱动遵循VxWorks 6.2中引进的总线模型.在此模型中,VxBus提供大部分功能,这在以前是需要放入

1. 存储系统层次结构 主存速度缓慢的原因:主存增速与CPU不同步,执行指令期间多次访问主存 主存容量不足的原因: 存在制约主存容量的技术因素:如由CPU.主板等相关技术指标规定了主存容量 应用对主存容量需求不断扩大:window98 -- 8M,windows 8 -- 1G -----> 存储体系结构化层次:  CPU -- Cache1 -- Cache2(解决速度) -- 主存 -- 辅存(解决容量) 存储体系结构化层次理论基础: 时间局部性:程序体现为循环结构 空间局部性:程序体现为顺

BIOS(基本输入/输出系统)是被固化在计算机CMOS RAM芯片中的一组程序,为计算机提供最初的.最直接的硬件控制.BIOS主要有两类∶AWARD BIOS和AMI BIOS.正确设置BIOS可大大提高系统性能. 第一部分.AWARD BIOS设置 一.进入 BIOS 设置 电脑刚启动,出现如下图1画面时. 图1 当出现图1画面时,按下Delete(或者Del)键不放手直到进入BIOS(基本输入/输出系统)设置,如下图2 图2(主菜单) 上图是AWARD BIOS设置的主菜单.最顶一行标出了S

设DRAM中电容的电荷每2ms就会丢失,所以2ms内必须对其补充.补充电荷是按行来进行的,为了[全部]内存都能保住电荷,必须对[所有]的行都得补充. 假设刷新1行的时间为0.5μs(刷新时间是等于存取周期的.因为刷新的过程与一次存取相同,只是没有在总线上输入输出.顺便说一下存取周期>真正用于存取的时间,因为存取周期内.存取操作结束后仍然需要一些时间来更改状态.--对于SRAM也是这样,对于DRAM更是如此). 假设按存储单元(1B/单元)分为64行64列. (64×64个单元×1B/单元 = 2

catalogue . ROM.RAM.DRAM.SRAM和FLASH的区别 . 内存工作原理 . DRAM基本结构与原理 . SD卡基本结构与原理 1. ROM.RAM.DRAM.SRAM和FLASH的区别 0x1: ROM ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,ROM也有很多种 . PROM是可编程的ROM: PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了 . EPROM(可擦除可编程ROM): EPR

一:SDRAM SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指需要不断的刷新来保证数据不丢失:随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写. SDRAM的一些参数: (1)容量.SDRAM的容量经常用XX存储单元×X体×每个存储单元的位数来表示.例如某SDRAM芯片的容量为4M×4×8bit,表明该存储器芯片的容量为16 M

RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM,random access memory(随机存取存储器)的缩写,下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别.SRAM:静态随机存储器,就是它不需要刷新电路,不像动态随机存储器那样,每隔一段时间就要刷新一次数据.但是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里面.像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的.DRAM,动态随机存取

目录 . Rowhammer Introduction . Rowhammer Principle . Track And Fix 1.  rowhammer introduction 今天的DRAM单元为了让内存容量更大,所以在物理密度上更紧凑,但这样很难阻止临近的内存单元之间的电子上的互相影响,在足够多的访问次数后可以让某个单元的值从1变成0,或者相反 code example code1a: mov (X), %eax // Read from address X mov (Y), %eb

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算 机的内存.        RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但 是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(

SRAM:静态RAM,不用刷新,速度可以非常快,像CPU内部的cache,都是静态RAM,缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多,因而价格昂贵,容量不大. DRAM:动态RAM,需要刷新,容量大. SDRAM:同步动态RAM,需要刷新,速度较快,容量大.DDR SDRAM:双通道同步动态RAM,需要刷新,速度快,容量大 具体解释:什么是DRAM DRAM 的英文全称是'Dynamic RAM',翻译成中文就是'动态随机存储器'.DRAM用于通常的数据存取.我们常说内存有多大,主要是指DRAM的容量

转载自博客大神迈克老狼的blog: http://www.cnblogs.com/mikewolf2002/archive/2012/11/13/2768804.html 参考资料:http://www.anandtech.com/show/3851/everything-you-always-wanted-to-know-about-sdram-memory-but-were-afraid-to-ask SDRAM(Synchronous dynamic random access memor

韦东山的视频里面说S3C2440有4KB的内存,这个其实是不正确的,这4KB的RAM严格说不应该叫内存,严格来说芯片外面的64MB的SDRAM才能叫做内存,里面的那4KB只是当nandflash启动的时候用来加载bootloader的. 关于SRAM.DRAM.SDRAM SRAM:静态随机存储器,不需要刷新电路,这使得静态RAM比动态的RAM要快的多,但是,由于他所含的器件较多,集成度较低,不适合做大容量的内存,一般用在处理器的缓存里面,SRAM的速度非常快,在快速读取和刷新时能够保证数据完整

原文:http://hi.baidu.com/abners/item/a9042ef35d3f005bc8f337f5 一般来说这几种存储器是一个nios系统都具有的,sram的好处是接口简单,速度快容易操作,用资源也比较少:sdram的最大好处是容量大,当然速度也比较快,但是接口复杂些,也耗逻辑资源多些:flash是非易失性存储器,速度慢.SRAM.SDRAM都用于程序工作时保存临时数据和程序,因为在系统调电后,保存在其中的数据都会丢失. FLASH用于系统中保存长期的数据,如:配置信息,程序

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

Micron公司,型号为MT48LC8M32B2的DRAM,其86PIN的 TSOP封装引脚定义 Micron公司,型号为MT48LC8M32B2的DRAM,其86PIN的 TSOP封装引脚定义如上图所示.其型号中8M32则表示2Megx32X4banks = 256Mbit. 各引脚定义如下: CLK:Input,系统时钟,DRAM的所有信号均在CLK的高电平边沿被采集.CLK也可被用来进行内部倍频或用来控制输出寄存器. CKE:时钟使能,高电平有效.无效时钟后,会使器件关闭充电,进入自刷新模

http://blog.csdn.net/huleide/article/details/5506698 ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所