catalogue . ROM.RAM.DRAM.SRAM和FLASH的区别 . 内存工作原理 . DRAM基本结构与原理 . SD卡基本结构与原理 1. ROM.RAM.DRAM.SRAM和FLASH的区别 0x1: ROM ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,ROM也有很多种 . PROM是可编程的ROM: PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了 . EPROM(可擦除可编程ROM): EPR

What every programmer should know about memory, Part 1(笔记) 每个程序员都应该了解的内存知识[第一部分] 2.商用硬件现状      现在硬件的组成对于pc机而言基本上都是一下的结构:       由2部分组成:南桥,北桥 CPU通过FSB(前端总线)连接到北桥芯片,北桥芯片主要包含内存控制器和其他一些组件,内存控制器决定了内存的类型,SDRAM,DRAM等都需要不同类型的内存控制器. 南桥芯片主要是通过多条不同的总线和设备通信,主要有PC

BIOS设置图解教程之Award篇 (目前主板上常见的BIOS主要为AMI与AWARD两个系列,如何辨别BIOS品牌系列请移步,本文详细讲解Award系列的BIOS设置图解教程,如果你的BIOS为AMI系列请移步 BIOS设置图解教程之AMI篇,文中重要的部分已经标红,快速阅读请配合图片查阅红色加速字体即可)介绍了AMI Bios设置后.我们再来介绍一下Award的Bios设置,其实Award Bios和AMI Bios里面有很多东西是相同的,可以说基本上是一样的,虽然有些名字叫法不同,但是实际

转自:http://www.360doc.com/content/14/0116/16/15528092_345730642.shtml 以及参考网络. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用. 这部分的讲述运用DDR3的简化时序图.DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格. 和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格, 这就是内存芯片寻址的基本原理

这两天正在学习FPGA如何控制DDR3的读写,找到一篇个人感觉比较有意义的文章,可以对DDR的内部结构有一个初步的了解.原文出处:http://blog.chinaunix.net/uid-28458801-id-3459509.html,感谢大神的付出. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的 内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(R

DDR采用一个周期来回传递一次数据,因此传输在同时间加倍,因此就像工作在两倍的工作频率一样.为了直观,以等效的方式命名,因此命名为DDR 200 266 333 400. DDR2尽管工作频率没有变化,数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit,那么同时间传递数据是DDR的两倍,因此也用等效频率命名,分别为DDR2 400 533 667 800. DDR3内存也没有增加工作频率,继续提升数据传输位宽变为8bit,为DDR2两倍,因此也在同样工作频率下达到更高带宽,因此用等效方式命名DDR3 8

一. 软件平台与硬件平台 软件平台: 1.操作系统:Windows-8.1 2.开发套件:无 3.仿真工具:无 硬件平台: 1. FPGA型号:无 2. DDR3型号:无 二. 存储器的分类 存储器一般来说可以分为内部存储器(内存),外部存储器(外存),缓冲存储器(缓存)以及闪存这几个大类.内存也称为主存储器,位于系统主机板上,可以同CPU直接进行信息交换.其主要特点是:运行速度快,容量小.外存也称为辅助存储器,不能与CPU之间直接进行信息交换.其主要特点是:存取速度相对内存要慢得多,存储容量大

1. 寻址原理概述RAM 主要的作用就是存储代码和数据供CPU 在需要的时候调用.但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单,更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样,不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来,虽然都是书但是每本书是不同的.对于RAM 等存储器来说也是一样的,虽然存储的都是代表0 和1 的代码,但是不同的组合就是不同的数据.让我们重新回到书和书架上来,如果有一个书架上有10 行和10 列格子(每行和每列都有0-9 的编号),有100 本书要存放在里面,那么我们使用一个行的编号加

DDR3内存详解,存储器结构+时序+初始化过程 标签: DDR3存储器博客 2017-06-17 16:10 1943人阅读 评论(1) 收藏 举报  分类: 硬件开发基础(2)  转自:http://www.360doc.com/content/14/0116/16/15528092_345730642.shtml 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你

首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理.对于内存,这个单元格可称为存储单元,那么这个表格(存储阵列)就是逻辑 Bank(Logical Bank,下面简称Bank). DDR3内部Bank示意图,

随着AMD AM2平台CPU的上市,目前两大处理器巨头均提供了对DDR2内存的支持.不过,DDR2远不是内存技术发展的终点,CPU和内存厂商已经在着手进行DDR3内存的相应准备.DDR2内存的好日子还没过上几天,它的下一代产品DDR3又成为了人们关注的对象.     DDR3内存已经面世   在本届Computex 2006台北展会上,威刚科技向人们展示了新一代的DDR3内存.威刚此次展示的vitesta DDR3无缓冲DIMM内存包括DDR3-1066和DDR3-1333两种规格,单条容量均为

Linux查看物理CPU个数.核数.逻辑CPU个数# 总核数 = 物理CPU个数 X 每颗物理CPU的核数 # 总逻辑CPU数 = 物理CPU个数 X 每颗物理CPU的核数 X 超线程数 查看分区磁盘的速度命令$ hdparm -Tt /dev/sda1/dev/sda1:Timing cached reads: 1770 MB in 2.00 seconds = 885.55 MB/secTiming buffered disk reads: 218 MB in 3.03 seconds =

一:SDRAM SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指需要不断的刷新来保证数据不丢失:随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写. SDRAM的一些参数: (1)容量.SDRAM的容量经常用XX存储单元×X体×每个存储单元的位数来表示.例如某SDRAM芯片的容量为4M×4×8bit,表明该存储器芯片的容量为16 M

转载自博客大神迈克老狼的blog: http://www.cnblogs.com/mikewolf2002/archive/2012/11/13/2768804.html 参考资料:http://www.anandtech.com/show/3851/everything-you-always-wanted-to-know-about-sdram-memory-but-were-afraid-to-ask SDRAM(Synchronous dynamic random access memor

全局存储带宽(DRAM) 全局内存是动态随机访问的方式访问内存．我们希望访问DRAM的时候非常快,实际情况是DRAM中出来的数据非常非常慢,这就好比,理想状态是泄洪,水倾巢而出,气势宏伟,实际取水却像是用吸管在喝饮料,速度非常慢． 通常来看,我们会通过优化算法减少DRAM的访问次数． 由上图可以看出,用户访问需要的Address会被分成Row addr和Column address, 通过row decoder -> Core Array -> Sense Amps -> Column

原文:http://hi.baidu.com/abners/item/a9042ef35d3f005bc8f337f5 一般来说这几种存储器是一个nios系统都具有的,sram的好处是接口简单,速度快容易操作,用资源也比较少:sdram的最大好处是容量大,当然速度也比较快,但是接口复杂些,也耗逻辑资源多些:flash是非易失性存储器,速度慢.SRAM.SDRAM都用于程序工作时保存临时数据和程序,因为在系统调电后,保存在其中的数据都会丢失. FLASH用于系统中保存长期的数据,如:配置信息,程序

前面我们知道了在一个简单的SRAM 芯片中进行读写操作的步骤了,然后我们来了解一下普通的DRAM 芯片的工作情况.DRAM 相对于SRAM 来说更加复杂,因为在DRAM存储数据的过程中需要对于存储的信息不停的刷新,这也是它们之间最大的不同. 1. 多路寻址技术最早.最简单也是最重要的一款DRAM 芯片是Intel 在1979 年发布的2188,这款芯片是16Kx1 DRAM 18 线DIP 封装.“16K x 1”的部分意思告诉我们这款芯片可以存储16384个bit 数据,在同一个时期可以同时进

本文转载自:http://blog.csdn.net/eshing/article/details/37407423 版权声明:本文为博主原创文章,未经博主允许不得转载.   目录(?)[+]   一.实验原理 上一章已经解释的很清楚了,如何将所要运行的user_bin程序定位到DRAM中,这一章要进行重定位到DRAM后运行LCD程序,实际上一章中BL2中程序可以不用改动,直接重写我们的USER目录下的程序即可,将USER目录下的LED灯闪烁程序用LCD程序替换就行,最后编译出的程序名字也叫us

SRAM,DRAM,SDRAM和DDR2这些芯片详解网上铺天盖地的各种资料都有,这里只是根据个人习惯做一下总结,方便记忆. 详细资料可以参考https://wenku.baidu.com/view/36eb2521af45b307e8719786.html?sxts=1560173120906 SRAM基本存储单元结构 SRAM中的每一bit存储在由四个场效应管(M1-M4)构成的两个交叉耦合的反相器中,另外两个场效应管(M5,M6)是存储基本单元 到用于读写的位线(Bit Line)的控制开关

前面介绍了row hammer,理论上很完美,实际操作的时候会面临很尴尬的问题:内存存储数据最小的单位是cell(就是个电容,充电是1,放电是0),无数个横着的cell组成row,无数个竖着的cell组成colume:数个row和colume组成bank,多个bank组成chip,然后是rank,接着是dimm.channel,总的逻辑包含顺序是:channel->dimm->rank->chip->bak->row/colume->cell:怎么把物理地址映射到具体的