SLC.eSLC.MLC.eMLC的区别 作为SSD主要元件的NAND闪存,我们经常见到的有SLC和MLC两种,甚至还细分出eSLC和eMLC等等,现在我们谈一下他们之间的区别.       SLC全称single-level cell,即单阶存储单元:MLC全称Multi-level cell,即多阶存储单元.因NAND闪存是一种电压元件,因此它以不同的电压范围来代表不同的数据,原理如下面图片所示:                   SLC就是在NAND闪存的每个存储单元里存储1bit的数据

最近一直在看大家在讨论sandisk,pny,金士顿等大厂都开始用tlc的芯片问题,让大家基本都不敢用U盘存数据了按照之前的擦写参数TLC        1000次MLC       10000次SLC        4万-10万次(这个也是前几天看论坛才知道不同制程的slc擦写次数不一样)注明是擦写意思就是你把里面东西删除了再存上一次才算一次擦写,只读取里面文件的不算假设你一天需要3次擦写那么全新的TLC可以用到2014年全新的mlc可以用到2041年全新的slc可以给你的孙子的孙子了大家现在

前言 原创文章,转载引用务必注明链接.水平有限,欢迎指正. 本文使用markdown写成,为获得更好的阅读体验,推荐访问我的博客原文: http://www.omoikane.cn/2016/09/15/bbb_adv_settings/ 系统环境:Windows 7 Home Pentium x64|Deepin Linux 15.2 x64:Debian 8.5 On BBB Industrial 关于板载eMMC存储 关于eMMC存储的基本知识可以看我之前的文章<板载eMMC初探>,总而

SLC=Single-LevelCell,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC3倍以上的价格),约10万次擦写寿命 MLC=Multi-LevelCell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命 TLC=Trinary-LevelCell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次.

许多人对闪存的SLC和MLC区分不清.就拿目前热销的MP3随身听来说,是买SLC还是MLC闪存芯片的呢?在这里先告诉大家,如果你对容量要求不高,但是对机器质量.数据的安全性.机器寿命等方面要求较高,那么SLC闪存芯片的首选.但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多,所以目前2G以上的大容量,低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片.大容量.低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐,但是其固有的缺点,也不得不让我们考虑一番. 什么是SLC? SLC英文全称(Single Level Cell

SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命: MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000—10000次擦写寿命 TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500-1000次擦写寿命. 结论:SLC > MLC > TLC 目前大多数U盘都是采用TCL芯

继ok6410 u-boot-2012.04.01移植四.五后,开发板基本已支持MLC NAND,支持DM9000.但是通过NAND命令更新u-boot到NAND,还存在问题,需要根据u-boot的nand命令继续修改,最终实现通过网卡tftp程序到内存,接着通过NAND命令写到NAND. 开发环境: 系统:ubuntu 10.04.4 单板:ok6410 NAND FLASH:K9GAG08U0D 2048MB NOR Flash:EN29LV160AB 2MB DDR:K4X1G163PCX

固态硬盘(Solid State Disk或Solid State Drive),也称作电子硬盘或者固态电子盘,是由控制单元和固态存储单元(DRAM或FLASH芯片)组成的硬盘. 固态硬盘的接口规范和定义.功能及使用方法上与普通硬盘的相同,在产品外形和尺寸上也与普通硬盘一致.由于固态硬盘没有普通硬盘的旋转介质,因而抗震性极佳.其芯片的工作温度范围很宽(-40~85摄氏度).目前广泛应用于军事.车载.工控.视频监控.网络监控.网络终端.电力.医疗.航空等.导航设备等领域. 本文将详细解析SSD固态

作者:Younger Liu, 本作品采用知识共享署名-非商业性使用-相同方式共享 3.0 未本地化版本许可协议进行许可. EMMC与RAND的区别 说到两者的区别,必须从flash的发展历程说起,因为两者都属于flash的范畴. 1.     Flash发展历程 1.1          NOR Flash和NAND Flash NOR Flash和NAND Flash,两者均为非易失性闪存模块. 1988年,Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一

本文转载自:https://blog.csdn.net/weixin_38233274/article/details/79310316 1.一块SSD由主控.DRAM缓存和NAND闪存三种芯片所组成,主控是SSD的大脑,SSD所做的东西全部都是它所控制的:DRAM缓存则是高速缓冲区,具体作用要看主控的算法而定,有些是用来放LBA表的,有些则是拿来做数据缓存的,更有些方案是没有外置DRAM缓存,只在主控内置了小量缓存,这样做的目的有些是为了数据的安全性(如SandForce),有些则是为了降低成

DDR3内存条和eMMC存储器区别: 1. 存储性质不同:2. 存储容量不同:3. 运行速度不同:4. 用途不同. 具体区别如下: 1.存储性质不同:eMMC是非易失性存储器,不论在通电或断电状态下,数据都是可以存储的,而DDR3内存是易失性存储器,断电同时,数据即丢失. 2.存储容量不同:eMMC的存储容量要比DDR3内存大3-4倍,常见有32G,而DDR3内存容量相对较小,常见有2-8G. 3.运行速度不同:DDR3内存运行速度要比eMMC快得多. 4.用途不同:eMMC主要用于数据存储,而

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

一.for...of 1.定义 for...of 语句遍历可迭代对象(包括数组.Set 和 Map 结构.arguments 对象.DOM NodeList 对象.字符串等). 2.语法 for (variable of iterable) { //statements } 3.示例 <ul> <li>mazey</li> <li>luna</li> <li>cherrie</li> </ul> <scr

转;http://openedv.com/thread-81182-1-1.html                           http://www.sohu.com/a/112676146_465915 一. RAM(Random Access Memory) RAM(Random Access Memory), 随机存取存储器.是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫内存.它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介, 当电源关闭时RAM不

1.转载:Optane Memory 2.构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存,SLC.MLC和TLC三者都是闪存的类型 需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数,不是读出的次数,因为读取对芯片的寿命影响不大. 首先就要说说TLC是什么.简单来说TLC就是一种成本上相对比较偏向性价比的闪存颗粒 SLC MLC TLC规格对比 TLC其实只是一个形容词,我们所说的TLC指的是TLC闪存,而其中的TLC指的是Triple Level Cell,直接翻译过来叫做3阶单元,比较通俗的意思就是

一. ROM(Read Only Memory)    ROM(Read Only Memory),只读存储器.用来存储和保存数据.ROM数据不能随意更新,但是在任何时候都可以读取.即使是断电,ROM也能够保留数据. ROM也有很多种: PROM是可编程一次性(无法修改)的ROM; EPROM是紫外线可擦除可编程的ROM: EEPROM是电可擦除可编程的ROM,按字节进行删除和重写, 写入时间很长,写入很慢;现在多用作非易失的数据存储器.特点是可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit中写

转自:https://www.cnblogs.com/debruyne/p/9186619.html DDR3内存条和eMMC存储器区别: 1. 存储性质不同:2. 存储容量不同:3. 运行速度不同:4. 用途不同. 具体区别如下: 1.存储性质不同:eMMC是非易失性存储器,不论在通电或断电状态下,数据都是可以存储的,而DDR3内存是易失性存储器,断电同时,数据即丢失. 2.存储容量不同:eMMC的存储容量要比DDR3内存大3-4倍,常见有32G,而DDR3内存容量相对较小,常见有2-8G.

经常有人问这种问题,用了些时间java之后,发现这俩玩意除了一小部分壳子长的还有能稍微凑合上,基本上没什么相似之处,可以说也就是马甲层面上的相似吧,还是比较短的马甲... 一般C#多用于业务系统的开发,快速实现,微软官方的各种封装,各种语法糖,使得c#在语义语法层面上更人性化,开发思路更专注于业务逻辑,对技术的实现并不需要关心的很细(当然这是指初级的入门程度),不过也带来的一些缺陷,当表面上的功夫不能满足的时候,.net程序员就不得不去了解微软封装起来的东西,所以我认识的.net程序员几乎人手一

jqery的语法和js的语法一样,算是把js升级了一下,这两种语法可以一起使用,只不过是用jqery更加方便 一个页面想要使用jqery的话,先要引入一下jqery包,jqery包从网上下一个就可以,一般用带有min的,是压缩版的,如果还要引用其他js文件的话,一定要juery包在上面,其他的引用放在他下面 先来看看如果使用Juery的话,怎么来引用Juery包 这样来引用,然后就可以用Juery方法了 和js的语法一样,都是写在<script type = "text/javascrip

来微信支付有2年多了,从2年前的互联网模式转变为O2O模式,主要的场景是跟线下的商户去打交道,不像以往的互联网模式,有产品经理提需求,我们帮忙去解决问题. 转型后是这样的,团队成员更多需要去寻找业务的方向,思考能为商户或者业务做点什么来体现其身价值,这样的转变是机会也是挑战,我一直相信在特别的环境下能迅速磨练出了跨岗位技能和综合素质,然而一路走来也发现了自己的短板(所谓的产品思维),并非想提升就可以,有时候感到自己很无能. 于是这样熬过来,暗示自己保持积极乐观的心态,平时使用一些通用的方法来提醒