优秀文档: eMMC基础技术1:MMC简介 eMMC基础技术2:eMMC概述 一:供电电源时序 EMMC的供电有两种模式,且分两路工作,有VCC和VccQ.在规范上,上电时序是有要求的,如下图所示. EMMC上电时序 开始上电时,VCC或VccQ可以第一个倾斜上升,或者是两者同时上升:同时,每个电源电压上电时间应该是小于指定的时间tPRU(tPRUH,tPRUL或tPRUV).高电压多媒体卡:tPRU的最大值为35mS,双电压多媒体卡:tPRUL最大值为25mS,tPRUH最大值为35mS. 在

本文转载自:https://blog.csdn.net/Fybon/article/details/44242549 一./dev/blockroot@:/dev/block #ls bootdevice mmcblk0 mmcblk0p1 mmcblk0p10 ……. mmcblk0p18 mmcblk0p19 mmcblk0p2 mmcblk0p20 …… mmcblk0p29 mmcblk0p3 mmcblk0p30 …… mmcblk0rpmb platform dd命令直接操作 分区的

1 PCB布线与布局 PCB布线与布局隔离准则:强弱电流隔离.大小电压隔离,高低频率隔离.输入输出隔离.数字模拟隔离.输en入输出隔离,分界标准为相差一个数量级.隔离方法包括:空间远离.地线隔开. 2 PCB布线与布局 晶振要尽量靠近IC,且布线要较粗 3 PCB布线与布局 晶振外壳接地 4 PCB布线与布局 时钟布线经连接器输出时,连接器上的插针要在时钟线插针周围布满接地插针 5 PCB布线与布局 让模拟和数字电路分别拥有自己的电源和地线通路,在可能的情况下,应尽量加宽这两部分电路的电源与地线

1. 直流—直流变换器通过对电力电子器件的通断控制,将直流电压断续地加到负载上,通过改变占空比改变输出电压平均值. BUCK线路原理图如上,其中Q管/MOS作为开关管,驱动电压一般为PWM. 当开关管驱动为高电平时,开关管导通,储能电感L被充磁,流经电感的电流线性增加,同时给电容C充电,给负载R提供能量.等效电路如图二 当开关管驱动为低电平时,开关管关断,储能电感L通过续流二极管放电,电感电流线性减少,输出电压靠输出滤波电容C放电以及减小的电感电流维持,等效电路如图三 BUCK电路有三种工作方式

一.CH340简介 CH340 是一个 USB 总线的转接芯片,实现 USB 转串口或者 USB 转打印口.CH340是国产芯片,应用场合居多,市场占有率很高.常用的USB转串口芯片还有CP2102.PL2303.FT232等,相比之下CH340性价比最高.通过CH340转串口连接到单片机MCU的片上UART可以实现程序的一键烧写功能.CH340有以下特点: 全速 USB 设备接口,兼容 USB V2.0. 计算机端 Windows 操作系统下的串口应用程序完全兼容,无需修改. 硬件全双工串口,

TVS二极管的主要参数--转载 处理瞬时脉冲对器件损害的最好办法是将瞬时电流从敏感器件引开.TVS二极管在线路板上与被保护线路并联,当瞬时电压超过电路正常工作电压后,TVS二极管便发生雪崩,提供给瞬时电流一个超低电阻通路,其结果是瞬时电流通过二极管被引开,避开被保护器件,并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压.当瞬时脉冲结束以后,TVS二极管自动恢复高阻状态,整个回路进入正常电压.许多器件在承受多次冲击后,其参数及性能会发生退化,而只要工作在限定范围内,二极管将不会发生损坏或退化.

按部位分类 技术规范内容 1 PCB布线与布局 PCB布线与布局隔离准则:强弱电流隔离.大小电压隔离,高低频率隔离.输入输出隔离.数字模拟隔离.输入输出隔离,分界标准为相差一个数量级.隔离方法包括:空间远离.地线隔开. 2 PCB布线与布局 晶振要尽量靠近IC,且布线要较粗 3 PCB布线与布局 晶振外壳接地 4 PCB布线与布局 时钟布线经连接器输出时,连接器上的插针要在时钟线插针周围布满接地插针 5 PCB布线与布局 让模拟和数字电路分别拥有自己的电源和地线通路,在可能的情况下,应尽量加宽这

刷机工具安装 1. 安装QPST.WIN.2.7 Installer-00448.3 2. 安装python2.7,并配置其环境变量 刷机方法 1.将编译后的刷机文件拷贝到如下目录:SC20_CE_prebuilt_for_QFIL_Android7.1\LINUX\android\out\target\product\msm8909 注意保留原来文件夹里的splash.img文件 2.运行SC20_CE_prebuilt_for_QFIL_Android7.1文件及里的build.bat 3.

这一篇随笔讲叙述下基于Hi3559AV100的BOXER-8410AI板载u-boot.kernel及rootfs烧录具体过程及遇到问题的解决方法与心得. 1.前期板载启动测试和烧录手段 1.1.烧写方法一-利用MicroUSB接口烧录准备 烧写测试:拿到板子后,根据官方文档是通过板载中MicroUSB连接到PC端,之后进行串口通信,但是一顿操作下来之后,发现PC端没有发现com口,后面分析原因,可能是板载没有进行MicroUSB的驱动加载,导致PC端没有加载com口,具体解决方面可以参考<Hi

以下只是个人看法,有不妥之处,请批评指出. 参考资料:http://www.veryarm.com/1200.html 一.eMMC的发展 ROM→NorFlash→NandFlash→eMMC→UFS 二.eMMC内部结构 输入电压:Vcc.VccQ: 输出电压:VDDi,并联个电容即可. 以下是参考某eMMC的电路设计,具体还是要参考手册或者开发板

电容参数:X5R,X7R,Y5V,COG 详解 文章来源:http://www.hzlitai.com.cn/article/ARM9-article/cphard/1777.html 仅供分享学习~   在我们选择无极性电容式,不知道大家是否有注意到电容的X5R,X7R,Y5V,COG等等看上去很奇怪的参数,有些摸不着头脑,本人特意为此查阅了相关的文献,现在翻译出来奉献给大家. 这类参数描述了电容采用的电介质材料类别,温度特性以及误差等参数,不同的值也对应着一定的电容容量的范围.具体来说,就是

/** ****************************************************************************** * @author    Maoxiao Hu * @version   V1.0.0 * @date       Feb-2015 ****************************************************************************** * < COPYRIGHT 2015 IS

本节首先介绍常用的E系列标称方法,然后介绍电阻.电容器.电感器.二极管的分类.性能和识别方法,以及简单的实用电路. 一.E系列标称方法 厂家生产的电阻器,并不是包含任何阻值,就像人民币,只有1.2.5三种规格一样. 电阻器.电容器标称值系列通常采用E系列.E系列是一种由几何级数构成的数列.源自Electricity的第一个字母,它是以6√10 ＝1.5 .12√10＝1.2 .24√10＝1.1 为公比的几何级数,分别称为E6系列.E12系列和E24系列.E6系列适用于允差±20%的电阻.电容器

平台信息: 内核:linux3.4.39系统:android4.4 平台:S5P4418(cortex a9) 作者:瘋耔(欢迎转载,请注明作者) 欢迎指正错误,共同学习.共同进步!! 关注博主新浪博客:http://weibo.com/cpjphone   电容屏驱动调试先了解Linux电容屏驱动中几个常用的概念:              中断下半部-工作队列:              input机制:              Linux与Android 多点触摸协议.   一.中断下半

关键词:android  电容屏 tp 工作队列 中断 多点触摸协议平台信息:内核:linux2.6/linux3.0系统:android/android4.0 平台:S5PV310(samsung exynos 4210)  作者:xubin341719(欢迎转载,请注明作者) 参考网站:http://edsionte.com/techblog/archives/1582这部分参考别人的多一点 android 电容屏(一):电容屏基本原理篇 android 电容屏(二):驱动调试之基本概念篇

前几天熟悉了STM32的启动方式.主要由Boot0和Boot1设置 如今须要解决的就是STM32的下载的问题. 一開始的时候,我选择的是SWD下载.这样的下载方式须要Boot0=0.Boot1=0.占用两个线,同一时候须要两个电阻和一个电容: watermark/2/text/aHR0cDovL2Jsb2cuY3Nkbi5uZXQvZGF1bnh4/font/5a6L5L2T/fontsize/400/fill/I0JBQkFCMA==/dissolve/70/gravity/SouthEast

1.首先还是要将u-boot写入SD卡中从SD卡启动. 使用读卡器将SD插入电脑中,使用umount卸载u盘, fdisk -l显示其挂载点为 /dev/sdb1 切换到/home/bunfly/images/uboot_tiny4412/sd_fuse/tiny4412目录下,执行./sd_fusing.sh /dev/sdb 拨动最右边开关选择从SD卡启动. 附加编译过程: 1.进入开发板提供的源码文件包,解压uboot源码包. cd /home/bunfly/source_code/ ta

完整的原理图 常见电阻 常见的精度分为5% 和1%精度,碳膜电阻5%精度,金属膜电阻1%精度. 常见的阻值有 10R, 100R, 330R, 1K, 2K, 3K, 5.1K, 10K, 15K, 20K,  47K, 51K ,100K, 120K, 200K 限流电阻的计算 LED分的的电压是3.3V. LED发光时流过的电流是3到10mA,为了使LED更亮,我们选取10mA. 限流电阻:(5-3.3)/0.01 = 170R 根据限流电阻的功率选择电阻的封装 常见的碳膜电阻是1/4W 0

和UFS闪存相比,eMMC的性能更弱,同一型号的手机混用这两种规格的闪存,让一些消费者感到了不满.对此,厂商称通过优化,eMMC的产品也可以获得优秀的体验.这个优化到底是怎么回事?根据以往的一些宣传,可以推断出是由于储存器使用了更先进的文件系统——F2FS. 对于储存器的文件系统,很多朋友或许并不太关注.但在使用上,不可避免地会感受到不同文件系统之间的区别——最直观的,莫过于兼容问题,例如NTFS文件系统的硬盘插到Mac电脑中无法写入,WinXP无法辨别exFAT文件系统等等.为什么储存器会选择

I2C接口上拉电阻的选择 - I2C接口上拉电阻的选择 1.I2C接口的输出端是漏极开路或集电极开路,所以必须在接口外接上拉. 2.上拉电阻的范围很宽,但也需要跟据功耗.信号上升时间等具体确定. 和速度应该没关系.主要是I2C是oc,所以需要.和驱动的从机个数(虽然从机个数不是由电阻决定的)有一定关系 不能说和速度没关系, 从机数量多的话, 由于经常在CMOS 集成电路里面源和基底是相连的, 而漏和基底存在寄生电容, 所以源和漏之间是有寄生电容的, 过大的上拉电阻会引起延时,导致边缘的上升下降速