一.稳压管和TVS管的工作原理 稳压二极管(又叫齐纳二极管),是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件,在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定.稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压. TVS(Transient Voltage Suppresser瞬态电压抑制器)是普遍使用的一种新型高效电路保护器件,它具有

http://www.zov.net.cn/download/spd_07D.htm http://item.taobao.com/item.htm?spm=a1z10.5.w4002-1369342227.12.3LKK0L&id=35837620319 ZOV 07D241K 不可以用铜丝短接代替,压敏电阻的作用是对用电器起保护作用.原理是和用电器并联在电路中,在用电器正常工作时,压敏电阻的电阻很大,基本不起作用,当电路中有大电流流过时,压敏电阻瞬间导通(ns量级)使得电路中的电流全部流过压

https://wenku.baidu.com/view/e39beafdfab069dc502201f9.html 压敏电阻的作用 http://www.eepw.com.cn/article/272925.htm

压敏电阻是常见的电子元器件之一,它的保护作用被大家熟知和运用.压敏电阻的主要用于在电路承受过压时进行电压钳位,吸收多余的电流以保护灵敏器件.压敏电阻的导电特性随着施加电压的变化呈非线性变化,它能保护电子线路中的各种元器件免遭雷电感应过压和操作浪通过压的破坏. 为什么压敏电阻可以避免遭雷感应? 压敏电阻器与被保护的电器设备或元器件并联使用.当电路中出现雷电过电压或瞬态操作过电压Vs时,压敏电阻器和被保护的设备及元器件同时承受Vs,由于压敏电阻器响应速度很快,它以纳秒级时间迅速呈现优良非线性导电特性

世上本没有垃圾,垃圾都是放错了位置的资源. 对于电路来说,保护器件就是其保护作用的关键资源,但如果放错了位置,它就是垃圾:甚至不仅是垃圾,而还可能成为祸害. 由最近承接的几起电路原理图审核项目来看,触景生情而发出如上的感慨. 案例1:输入端24V波动,R1和R2常被烧坏. 由电路图分析,R1和R2的作用可能有二,一是限流,二是保护.如果设计起因是出于保护作用的话,24V输入波动较大的时候,R1/R2上过流被烧掉就是正常的,谁让您把它当保险丝使用呢!但是如果出于限流的作用,则TVS的放置位置就值得

许多开发人员都遇到过这样的情况:在实验室开发好的产品,测试完全通过,但到了客户手里用了一段时间之后,出现异常现 象,甚至是产品失效需要返修,并且故障率往往也不高(1%以下).一般情况下,以上问题大都由于浪涌冲击.ESD冲击等原因造成. ESD抑制器是目前最新一代防静电产品(98年由军工转民用,现行业内已经全面铺开),由聚合物(POLYMER)电压诱变材料和高电分子材料核心制成的新型固体电子元件.其最大的特点就是物理放电无使用寿命的限制,再加上其反应快速(<1 ns), 超低电容 (<0.15p

磁珠专用于抑制信号线.电源线上的高频噪声和尖峰干扰,还具有吸收静电脉冲的能力.磁珠是用来吸收超高频信号,像一些RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入部分加磁珠,而电感是一种蓄能元件,用在LC振荡电路,中低频的滤波电路等,其应用频率范围很少超过50MHZ.   磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构(电路)中的RF噪声,RF能量是叠加在直流传输电平上的交流正弦波成分,直流成分是需要的有用信号,而射频RF能量却是无用的电磁干扰沿着线路传输和

TVS二极管和稳压二极管的区别 TVS管超过它的耐压值后,会瞬间导通短路,反应速度在ns级, 而稳压管是稳压作用的,超过它的稳压值,只要功率不超过它的耐受值,就会稳定在它的稳压值范围内. TVS是瞬态抑制二极管,主要是用来抑制瞬时电压尖峰,减少尖峰电压对元器件的损耗. 稳压二极管主要是稳压的作用. 双向击穿二极管也称瞬态电压抑制二极管(TVS),是一种具有双向稳压特性和双向负阻特性的过压保护器件,类似于压敏电阻器. 它应用于各种交流及直流电源电路中,用来抑制瞬间过电压. 当被保护电路瞬间出现浪涌

1.稳压二极管 正向导通电压跟普通二级管一样约为0.7v,反向状态下在临界电压之前截止,在达到临界电压的条件下会处于导通的状态,电压也不再升高,所以用在重要元器件上,起到稳压作用. 稳压二极管主要利用其反向击穿时U-I曲线很陡峭这个特性,所以它工作在反偏状态. 稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳二极管. 稳压二极管原理: 稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多,反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时,反向电阻很大,反向漏电流极小.但是,当反向电压临近反向电压的临界

电压及电流的瞬态干扰是造成电子电路及设备损坏的主要原因,常给人们带来无法估量的损失.这些干扰通常来自于电力设备的起停操作.交流电网的不稳定.雷击干扰及静电放电等,瞬态干扰几乎无处不在.无时不有,使人感到防不胜防.幸好,一种高效能的电路保护器件TVS的出现使瞬态干扰得到了有效抑制TVS(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR) 或称瞬变电压抑制二极管是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品,其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异,当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击

稳压二极管 稳压二极管利用的特性是:二极管被反向击穿之后,随着电流的变化,稳压二极管两端电压维持不变的特性: 普通二极管反向击穿后就坏了,但是稳压二极管却可以恢复,而且在被击穿后处在正常的工作状态: 稳压二极管两端的反向电压低于击穿电压时,稳压二极管呈现高电阻状态,但是一旦其两端的电压超过击穿电压,稳压二极管的电阻就变得非常小,并且瞬间电流急剧增大: 稳压二极管的正向特性和普通二极管一样: 稳压二极管一般功率都不高,大约也就是1W或者2W,电流也在毫安级别,下面是稳压二极管在阻容降压电路中的应用

1 PCB布线与布局 PCB布线与布局隔离准则:强弱电流隔离.大小电压隔离,高低频率隔离.输入输出隔离.数字模拟隔离.输en入输出隔离,分界标准为相差一个数量级.隔离方法包括:空间远离.地线隔开. 2 PCB布线与布局 晶振要尽量靠近IC,且布线要较粗 3 PCB布线与布局 晶振外壳接地 4 PCB布线与布局 时钟布线经连接器输出时,连接器上的插针要在时钟线插针周围布满接地插针 5 PCB布线与布局 让模拟和数字电路分别拥有自己的电源和地线通路,在可能的情况下,应尽量加宽这两部分电路的电源与地线

按部位分类 技术规范内容 1 PCB布线与布局 PCB布线与布局隔离准则:强弱电流隔离.大小电压隔离,高低频率隔离.输入输出隔离.数字模拟隔离.输入输出隔离,分界标准为相差一个数量级.隔离方法包括:空间远离.地线隔开. 2 PCB布线与布局 晶振要尽量靠近IC,且布线要较粗 3 PCB布线与布局 晶振外壳接地 4 PCB布线与布局 时钟布线经连接器输出时,连接器上的插针要在时钟线插针周围布满接地插针 5 PCB布线与布局 让模拟和数字电路分别拥有自己的电源和地线通路,在可能的情况下,应尽量加宽这

电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件,设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的.因此怎么正确检测电子元器件就显得尤其重要,这也是电子维修人员必须掌握的技能.我在电器维修中积累了部分常见电子元器件检测经验和技巧,供大家参考. 1．测整流电桥各脚的极性 万用表置R×1k挡,黑表笔接桥堆的任意引脚,红表笔先后测其余三只脚,如果读数均为无穷大,则黑表笔所接为桥堆的输出正极,如果读数为4-10kΩ,则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极,其余的两引脚为桥堆的交流输入端. 使用数字万用表时只需将档位打

[作者:byeyear    Email:east3@163.com    转载请保留此行] 1. 静电抗扰 理想情况下,我们的系统是一个中空且密闭的金属盒子,根据电磁场理论,外界的任何静电源都不可能影响到盒子内部的电路运作.然而这样的一个系统是没有什么实际意义的.一个实际的系统必然包括对外接口(即不可能密闭).一个实际的(金属外壳的)系统应该能够(在积聚起足以影响系统工作的静电电荷前)足够快地将施加在其上的静电泄放到地.这就带来以下几个要求(仅针对金属外壳设备): 1) 良好的接地端子 2)

第一章 SMT概述 SMT(表面组装技术)是新一代电子组装技术.经过20世纪80年代和90年代的迅速发展,已进入成熟期.SMT已经成为一个涉及面广,内容丰富,跨多学科的综合性高新技术.最新几年,SMT又进入一个新的发展高潮,已经成为电子组装技术的主流. 1.1SMT概述 SMT是无需对印制板钻插装孔,直接将处式元器件或适合于表面组装的微型元件器贴.焊到印制或其他基板表面规定位置上的装联技术. 由于各种片式元器件的几何尺寸和占空间体积比插装元器件小得多,这种组装形式具有结构紧凑.体积小.耐振动.抗

一.实验目的和要求 掌握点阵式液晶显示屏的原理和控制方法,掌握点阵字符的显示方法.掌握模拟/数字(A/D)转换方式,进一步掌握使用C51语言编写程序的方法,使用C51语言编写实现重量测量的功能. 二.实验设备 单片机测控实验系统重量测量实验板/砝码Keil开发环境STC-ISP程序下载工具 三.实验内容 编写C51程序,使用重量测量实验板测量标准砝码的重量,将结果(以克计)显示到液晶屏上.误差可允许的范围之间. 四.实验步骤 1. 阅读实验原理,掌握YM12864C的控制方式,编写出基本的输出命

说明:本介绍包含了\capture\library\pspice和capture\library\pspice\advanls目录下所有库,但由于作者水平有限,介绍得也比较简单,有些说明可能不一定对.请高手指正.谢谢! 1.1_SHOT              : 10个杂项器件,其中有54,74,CD的2.7400~74S            : 74系列的器件3.AA_IGBT             : IGBT是强电流.高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET4.AA_MISC

序号 英文简写 元件英文名 元件中文名 1 Res semi Semiconductor Resistor 半导体电阻 2 Cap semi Semiconductor Capacitor 半导体电容器 3 Cap Var Variable or Adjustable Capacitor 可变或可调电容 4 Cap Pol1 Polarized Capacitor (Radial) 极化电容(径向) 5 Cap Pol2 Polarized Capacitor (Axial) 极化电容(轴向)

个人常用 扬声器 spearker 计量表(电流表,电压表) meter 变压器 Trans CT 肖特基二极管 D Schotty 额外补充 英文名称       中文释义 2N3904  NPN型通用放大器 2N3906  PNP型通用放大器 ADC-8   通用的8位AD转换器 Antenna 天线 Battery   电池组 Bell  铃 Bridgel   整流桥堆 Buzzer    蜂鸣器 Cap 电容 Cap Feed       穿心电容器 Cap Semi       半导