Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中有着广

Reverse bits of a given 32 bits unsigned integer. For example, given input 43261596 (represented in binary as 00000010100101000001111010011100), return 964176192 (represented in binary as00111001011110000010100101000000). 把一个无符号int数字,按二进制位反转过来 通过移位操作

字节按位反转算法,在有些算法加密或者一些特殊的场合有着较为重要的应用,其速度也是一个非常关键的应用,比如一个byte变量a = 3,其二进制表示为00000011,进行按位反转后的结果即为11000000,即十进制的196.还有一种常用的应用是int型变量按位反转,其基本的原理和字节反转类似,本文仅以字节反转为例来比较这个算法的实现. 一种最为传统和直接的算法实现如下: unsigned char Reverse8U(unsigned char x) { x = (x & | (x & ;

时至今日,字符串使用unicode已经是不需要理由的常识,但对一些有着悠久历史的编程语言来说,这仍然是个头痛的问题.如果抛开第三方库的支持,C++其实并不能实际有效地支持unicode,即使是utf8.(注:本文讨论的是字符串在内存中的编码方案,而不是文件或网络数据流.) STL的string模板诞生时,unicode还是理想中的固定16位编码.那时,Windows.Java等先后跨跃进unicode时代,而Unix/Linux受限于向后兼容而难以改变.那时Windows上的C++编程主要用用W

转 http://blog.csdn.net/linweig/article/details/5556819 flash连接CPU时,根据不同的数据宽度,比如16位的NOR FLASH (A0-A19),处理器的地址线要(A1-A20)左移偏1位.为什么要偏1位? 从软件和CPU的角度而言,一个地址对应一个字节,就是8位数据.这是肯定的,不要怀疑这点. 对于具体器件而言,它的位宽是一定的,所谓位宽,指的是“读/写操作时,最小的数据单元”──别说最小单元是“位”,一般设备上没有单独的“位操作”,修

Reverse bits of a given 32 bits unsigned integer. For example, given input 43261596 (represented in binary as 00000010100101000001111010011100), return 964176192 (represented in binary as 00111001011110000010100101000000). Follow up: If this function

概述 Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中

1.2.1. 什么是Flash Flash全名叫做Flash Memory,从名字就能看出,是种数据存储设备,存储设备有很多类,Flash属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).关于什么是非易失性/易失性,从名字中就可以看出,非易失性就是不容易丢失,数据存储在这类设备中,即使断电了,也不会丢失,这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的入硬盘,ROM等,与此相对的,易失性就是断电

https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1   Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级

----------------------------------------------------------------------文章1---------------------------------------------------------------------- Flash简介: Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Devic

转自:http://blog.csdn.net/gaosentao/article/details/7711311 Bit Flip/Bit Flipping/Bit-Flip/Bit twiddling of Nand Flash Nand Flash由于本身硬件的内在特性,会导致(极其)偶尔的出现位反转的现象.所谓的位反转,bit flip,指的是原先Nand Flash中的某个位,变化了,即要么从1变成0了,要么从0变成1了.Nand Flash的位反转现象,主要是由以下一些原因/效应所导

转自 http://m.blog.chinaunix.net/uid-30077524-id-5570244.html 文章对这几个东西讲得很清楚,值得收藏. 寄存器 寄存器是中央处理器内的组成部份.它跟CPU有关.寄存器是有限存贮容量的高速存贮部件,它们可用来暂存指令.数据和位址.在中央处理器的控制部件中,包含的寄存器有指令寄存器(IR)和程序计数器(PC).在中央处理器的算术及逻辑部件中,包含的寄存器有累加器(ACC). 存储器 存储器范围最大,它几乎涵盖了所有关于存储的范畴.你所说的寄存器

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算 机的内存.        RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但 是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

1.NAND FLASH 的特殊性. 1)存在坏块.由于NAND生产工艺的原因,出厂芯片中会随机出现坏块.坏块在出厂时已经被初始化,并在特殊区域中标记为不可用,在使用过程中如果出现坏块,也需要进行标记. 2) 易出现位反转.NAND FLASH更易出现位反转的现象,如果位反转出现在关键文件上,会导致系统挂机.所以在使用NAND FLASH的同时,建议使用ECC/EDC算法确保可靠性. 3) 存在Spare Area.正因为NAND FLASH有着上面的两项特殊的地方,Spare Area就扮演作

源:http://www.cnblogs.com/bingoo/p/3551753.html FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器.当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

                      SRAM/DRAM,PROM/EPROM/EEPROM,NOR/NAND FLASH区别 RAM / ROM 存储器 ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM 有两大类: 1) 静态RAM(Static RAM / SRAM),SRAM