背景 没有电池的嵌入式设备,很容易发生随机掉电.因此要让产品可靠稳定,就必须保证各种场景下的掉电安全. 例如系统更新过程随机掉电,不能导致系统无法启动.例如正常读写flash过程中掉电,最多正在传输的数据丢掉,但不能导致flash其他数据出错,否则轻则丢数据,重则直接变砖无法启动.本文主要分析flash数据出错的情况. 问题:flash掉电数据出错 为什么掉电会导致flash数据出错呢?因为在产品掉电时,对用户来说拔下插头是一瞬间,但对于板子上的各个器件来说,却是存在一个掉电过程,即电压从正常值

第51章     设置FLASH的读写保护及解除 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F4xx规格书>.库说明文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>以及<Proprietary code read-out protection on

如果输入参数采用“指针传递”,那么加 const 修饰可以防止意外地改动该指针,起 到保护作用. #include <iostream> /* run this program using the console pauser or add your own getch, system("pause") or input loop */ using namespace std; //定义栈的尺寸 ; //定义处理栈的类模板接口 template <class T>

压敏电阻是常见的电子元器件之一,它的保护作用被大家熟知和运用.压敏电阻的主要用于在电路承受过压时进行电压钳位,吸收多余的电流以保护灵敏器件.压敏电阻的导电特性随着施加电压的变化呈非线性变化,它能保护电子线路中的各种元器件免遭雷电感应过压和操作浪通过压的破坏. 为什么压敏电阻可以避免遭雷感应? 压敏电阻器与被保护的电器设备或元器件并联使用.当电路中出现雷电过电压或瞬态操作过电压Vs时,压敏电阻器和被保护的设备及元器件同时承受Vs,由于压敏电阻器响应速度很快,它以纳秒级时间迅速呈现优良非线性导电特性

flash存储器的工作原理 flash存储器又称闪存(快闪存储器),是一种电可擦可编程只读存储器的形式,是可以在操作中被多次擦或写,EEPROM与高速RAM成为当前最常用且发展最快的两种存储技术.计算机的BIOS .数字照相机等的存储卡中都使用闪存.flash存储器的主要特点是在不掉电的情况下能长期保持存储的信息.就其本质而言flash存储器属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型.它既有ROM的特点,又有很高的存取速度,而且易于擦除和重写, 功耗很低.目前其集成度已达4MB,同时价格也有

说到STM32的FLSAH,我们的第一反应是用来装程序的,实际上,STM32的片内FLASH不仅用来装程序,还用来装芯片配置.芯片ID.自举程序等等.当然, FLASH还可以用来装数据. FLASH分类 根据用途,STM32片内的FLASH分成两部分:主存储块.信息块. 主存储块用于存储程序,我们写的程序一般存储在这里. 信息块又分成两部分:系统存储器.选项字节. 系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序(BootLoader),当使用ISP方式加载程序时,就是由这个程序执行.这个

一直想给大家讲讲ESD的理论,很经典.但是由于理论性太强,任何理论都是一环套一环的,如果你不会画鸡蛋,注定了你就不会画大卫. 先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶.因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏),所以这种损伤是毁灭性和永久性的,会造成电路直接烧毁.所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题. 静电,通常都是人为产生的,如生产.组装.测试.存放.搬运等过程中都有可能使得静电

一. 软件平台与硬件平台 软件平台: 1.操作系统:Windows-8.1 2.开发套件:ISE14.7 3.仿真工具:ModelSim-10.4-SE 4.Matlab版本:Matlab2014b/Matlab2016a 硬件平台: 1. FPGA型号:Xilinx公司的XC6SLX45-2CSG324 2. Flash型号:WinBond公司的W25Q128BV   Quad SPI Flash存储器 提示:如果图片不清晰,请把图片在浏览器的新建标签页打开或保存到本地打开. 二. 原理介绍

1 应用场景介绍   硬件条件:使用stm32 MCU   软件条件:协议栈应用   协议栈简单介绍如下:   类似于OSI七层模型,所涉及的协议栈包括应用层,网络层,链路层,物理层,如下图:   在协议栈应用层,网络层和链路层都会产生数据,但是大部分的数据是网络层产生的,数据管理尽量放在某一层统一管理.数据的管理无外乎读,写两个操作,读数据在哪一层都可以,只要能得到flash地址,不管在哪一层,都能读到预定的数据.写数据则不然,尽量放在同一层统一写入,否则在多任务读写时,就会存在问题. 2 应

转载自: http://bbs.elecfans.com/jishu_388272_1_1.html 说到STM32的FLSAH,我们的第一反应是用来装程序的,实际上,STM32的片内FLASH不仅用来装程序,还用来装芯片配置.芯片ID.自举程序等等.当然, FLASH还可以用来装数据.     自己收集了一些资料,现将这些资料总结了一下,不想看的可以直接调到后面看怎么操作就可以了.FLASH分类       根据用途,STM32片内的FLASH分成两部分:主存储块.信息块. 主存储块用于存储程

Android系统的安全性历来备受诟病,在强大的反编译工具下,APK中的代码逻辑一览无余:重打包技术使得各种盗版软件层出不穷,充斥着Android市场,特别是对于金融.电商.游戏等产品的盗版应用,严重地威胁用户安全,并给开发者造成了实际利益和品牌损失. 以市面上很火的某款Unity 3d引擎开发的游戏为例,我们采用ReFlector + Reflexil 插件分析其c#逻辑,可以清晰地看到代码中用到的类名和方法名.进而快速定位到关键逻辑,当发生碰撞的时候会触发OnTriggerEnter函数,在

今天顺便研究了一下msp430的flash操作,很多人也许看了我的博客,会发现网站上有很多的人总结得比我要好,这点我承认,因为自己能力有限,但是,从这篇博客起,我会参照以前大神们写的博客,添加大神们写过的博客链接,分享给大家,注明:本人从不抄袭他人博客,博客只是个人技术的一个总结~~~,下面进入今天的正题 msp430F149有60k的flash,这个对于51来说,是相当的惊人的了,在涉及到flash的操作的时候,往往涉及到三个寄存器,FCTL1,FCTL2,FCTL3.突然间发现msp430的

世上本没有垃圾,垃圾都是放错了位置的资源. 对于电路来说,保护器件就是其保护作用的关键资源,但如果放错了位置,它就是垃圾:甚至不仅是垃圾,而还可能成为祸害. 由最近承接的几起电路原理图审核项目来看,触景生情而发出如上的感慨. 案例1:输入端24V波动,R1和R2常被烧坏. 由电路图分析,R1和R2的作用可能有二,一是限流,二是保护.如果设计起因是出于保护作用的话,24V输入波动较大的时候,R1/R2上过流被烧掉就是正常的,谁让您把它当保险丝使用呢!但是如果出于限流的作用,则TVS的放置位置就值得

编译过android源代码的可能试验过改动编译类型.android的初始化编译配置可參考Android--编译系统初始化设置 一.TARGET_BUILD_VARIANT=user 当选择的编译类型为user的时候.能够在/build/core/main.mk中看到(android 4.2): # Turn on Dalvik preoptimization for user builds, but only if not # explicitly disabled and the build

最近由于需要在程序中使用Flash播放,所以学习了下如何播放Flash,这里使用atl库中的CAxWindow来处理我们要播放的Flash!由于Flash的很多接口我们都不知道,所以可以参考前一篇文章http://blog.csdn.net/xueyunf/article/details/9160657,这篇文章中介绍了如何导出Flash的接口,这篇文章主要介绍一下,Flash的时间的通知,以及如何利用windows的API,进行两个Flash的混合播放!新建一个默认的 win32窗口程序,然后

最近做到的项目在运行需要把一组uint8_t(unsigned char)的数据进行掉电储存,想到单片机STM32f030f4p6内部flash可以直接由程序操作,写了以下代码用于uint8_t数据打包保存和读取. 1.程序清单 与 测试结果 本程序包含5个文件,分别是: 1.Flash.c:内部flash读取储存相关函数 2.Flash.h:flash头文件 3.USART1.c:STM32F030F4P6的串口驱动,串口仅用于打印数据观察. 4.USART1.h:串口头文件 5.main.c

一.问题定位 开发板重启后打印了2个提醒和一个错误,caches的提醒先不看,看看flash和nand下面的提醒,bad CRC,Using default enviroment,我们可以定位Using default enviroment定位到 代码位置,如下: Env_common.c (common) 传入的参数应该是 !badCRC,再次定位函数set_default_env 看是在哪里调用此函数: 基本上文件都在common文件夹下,有common中的调用和 dataflash,nan

Symbol的打印 我们先声明一个Symbol,然后我们在控制台输出一下. var g = Symbol('jspang'); console.log(g); console.log(g.toString()); 这时候我们仔细看控制台是有区别的,没有toString的是红字,toString的是黑字. Symbol在对象中的应用 看一下如何用Symbol构建对象的Key,并调用和赋值. var jspang = Symbol(); var obj={     [jspang]:'技术胖' }

如下两图是terasic公司DE2-115部分原理图截图,其中有两个芯片引起了笔者的注意,一个是SN74AVC1T45和BAT54S,下面说说这两个芯片利用的好处和借鉴之处. 先讲一下BAV99.手册相关参数如下,反向击穿电压可以达到75V,反向恢复时间为5ns.BAV99是出于ESD目的,怕信号易受到ESD干扰和或者放电损坏电路,利用两个肖特基二极管,可以将电压钳住在0~VCC(BAV99输入端电压).其实此结构的作用不止保护作用,还有限幅,放在IC旁边防电压高过电源电压和负脉冲作用. 查了一

最近学习驱动保护,有点小小心德与大家分享下. 当前环境:VM中的win7 32 保护程序是某游戏的驱动保护. 具体现象是:在用PCHunter工具查看object钩子时发现如下的信息: 疑问点1:在HOOK列显示的是ObjectType_Callback,以前只听说过ObjectType HOOK没听说过这个呀,这个是什么呢? 疑问点2:Object类型列显示的是“Process” 查阅了<windows内核原理与实现>的55页WRK中的全局类型对象变量,发现不是系统创建的类型,难道这个对象类

在ES5中 对象属性名都是字符串,这容易造成属性名的冲突,比如,你使用了一个他人提供的对象,但又想为这个对象添加新的方法(mixin 模式),新方法的名字就有可能与现有方法产生冲突,于是 ES6 引入了Symbol.Symbol是一种新的原始数据类型,表示独一无二的值.它是继undefined.null.布尔值(Boolean).字符串(String).数值(Number).对象(Object)六种数据类型之后的第七种数据类型.凡是属性名属于 Symbol 类型,就都是独一无二的,可以保证不会与