常用flash IC芯片厂商及型号 制造商 4M 8M 16M 32M Atmel AT25DF321AT25DF321A AT25DF641     EON (cFeon) EN25F32EN25P32EN25Q32EN25QH32 EN25P64EN25Q64EN25QH64 EN25Q128EN25QH128 EN25QH256 ESMT F25L32PAF25L32QA F25L64QA     GigaDevice GD25Q32 GD25Q64 GD25Q128   Macronix

一. ROM(Read Only Memory)    ROM(Read Only Memory),只读存储器.用来存储和保存数据.ROM数据不能随意更新,但是在任何时候都可以读取.即使是断电,ROM也能够保留数据. ROM也有很多种: PROM是可编程一次性(无法修改)的ROM; EPROM是紫外线可擦除可编程的ROM: EEPROM是电可擦除可编程的ROM,按字节进行删除和重写, 写入时间很长,写入很慢;现在多用作非易失的数据存储器.特点是可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit中写

转自:http://www.admin10000.com/document/156.html 本文详细介绍了 Flash.Flex.AS3.AIR 的关系和区别.希望对初学者有帮助. AS3 ActionScript 通常简称为AS,它是Flash 平台的语言.AS编写的程序,最终可以编译成SWF.SWC.SWF 就是我们常说的Flash 动画.但是现在SWF 已经不仅仅是动画,而是RIA 的载体.ActionScript 有3个版本,分别是1.0版(AS1),2.0版(AS2)和3.0版(AS

spi nand flash 的 boot 启动模式选择.0:1 线 boot:1:4 线 boot.请问,1线boot和4线boot有什么区别呢?该如何选择呢?     收藏 顶 踩   回复 使用道具 举报     mengxp 2#    发表于 2018-5-3 16:41:49 | 只看该作者 1线就是1个IO.4线就是4个IO.4线速度更快.但是这里用1还是4,需要看你SPI NAND芯片的配置例如SPI NAND器件上电后默认的模式是 1线SPI模式,那你这里就 boot 启动模式

今天上Flash实验课遇到一个小问题,就是我在画一个矩形如下图:

第24章     SPI—读写串行FLASH 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F4xx规格书>.库帮助文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>及<SPI总线协议介绍>. 若对SPI通讯协议不了解,可先阅读<SPI总线协议

首先,在分析学美工.平面设计.UI设计,哪一个更有前途的时候,先要对三类设计有一个大概的了解. 比如“学美工.平面设计.UI设计是什么”等知识,才能更好地去进行选择. 01 阐述美工.平面设计.UI设计是什么 ①什么是美工?一般是指对平面,色彩 ,创意等进行堆砌的技术人才,分为平面美工.网页美工和三维美工,最常见的有淘宝网店的美工. ②什么是平面设计?主要包括美术排版.平面广告.海报.灯箱等的设计制作.简单来说,就是作为设计者的你,在了解了客户需求之后,进行消化,将一些基本图形按照一定的创意在平

㈠表格 ⑴表格的基本结构 ①表格的基本标签有:table标签(表格),tr标签(行),td标签(单元格).<tr>标签和<td>标签都要在表格的开始标签<table>和结束标签</table>之间才有效. ②tr即"table row"(表格行),td即"table data cell"(表格单元格). ③<table>和</table>标记着表格的开始和结束:<tr>和</t

PPAPI也就是Pepper Plugin API,是在原有网景NPAPI(Netscape Plugin API)基础上发展而来的.NPAPI是当今最流行的插件架构,几乎所有浏览器都支持,不过存在很大的安全隐患,插件可以窃取系统底层权限,发起恶意攻击.2010年,Google开发了新的PPAPI,将外挂插件全部放到沙盒里运行,2012年Windows.Mac版本的Chrome浏览器先后升级了PPAPI Flash Player,并希望今年底之前彻底淘汰NPAPI.现在,所有使用PPAPI接口的

RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM,random access memory(随机存取存储器)的缩写,下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别.SRAM:静态随机存储器,就是它不需要刷新电路,不像动态随机存储器那样,每隔一段时间就要刷新一次数据.但是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里面.像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的.DRAM,动态随机存取

转自 http://m.blog.chinaunix.net/uid-30077524-id-5570244.html 文章对这几个东西讲得很清楚,值得收藏. 寄存器 寄存器是中央处理器内的组成部份.它跟CPU有关.寄存器是有限存贮容量的高速存贮部件,它们可用来暂存指令.数据和位址.在中央处理器的控制部件中,包含的寄存器有指令寄存器(IR)和程序计数器(PC).在中央处理器的算术及逻辑部件中,包含的寄存器有累加器(ACC). 存储器 存储器范围最大,它几乎涵盖了所有关于存储的范畴.你所说的寄存器

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而

区别:http://zhidao.baidu.com/question/1068445.html?qbl=relate_question_0&word=Serial%20Flash%20%D3%EBNand%C7%F8%B1%F0 Nand Flash原理:http://blog.chinaunix.net/uid-22731254-id-3622773.html

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算 机的内存.        RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但 是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

nand flash:适合大容量数据存储,类似硬盘:nor flash:适合小容量的程序或数据存储,类似小硬盘:sdram:主要用于程序执行时的程序存储.执行或计算,类似内存. 区别:nor flash:可以直接执行指令,读取速度较快,写入不太方便,擦除速度较慢.nand flash:读取速度比nor flash略快,但写入.擦除都较快.但可靠性略低,需要做损耗平衡.数据校验等.因此:nor适合做程序存储,nand适合做大容量数据存储.二者都可以掉电保存数据/程序. sdram:掉电后数据不保存

1) 闪存芯片读写的基本单位不同  应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块,有时候块内还分成扇区.读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移.应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字节.要修改NAND芯片中一个字节,必须重写整个数据块.   2)NOR闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合:NAND闪存是连续存储介质,适

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/