为什么程序不能直接在nandflash上执行?出于这个疑惑带来了这篇博文,是我在网上找了很多资料后总结的,假如有误,希望马上指出来,免得我误人子弟.谢谢! nandflash和norflash NOR Flash 和 NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Electrically Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是飞思卡尔i.MX RTyyyy系列EVK在串行NOR Flash调试的原理. 本文是i.MXRT硬件那些事系列第二篇的续集,在第二篇首集中痞子衡给大家详细介绍了EVK板载调试器用法,有了调试器在手,从此调试不用愁.从调试代码所在目标存储器类别上来分,调试一般分为在SRAM调试和在Flash调试.在SRAM调试实现比较简单,程序直接从JTAG/SWD口灌进RAM即可:在Flash调试,则相对复杂一点,因为首先需要有Flash下载算法,

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是J-Link工具下i.MXRT的串行NOR Flash下载算法设计. 在i.MXRT硬件那些事系列之<在串行NOR Flash XIP调试原理>一文中,痞子衡简单提了一下串行NOR Flash下载算法的概念,并没有介绍具体设计细节,关于NOR Flash下载算法每个IDE/工具都有自己的一套设计,虽然基本设计理念是一样的,但是细节方面还是有区别,今天痞子衡就来细聊J-Link下的NOR Flash下载算法: 一.J-Link各版本

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是Keil MDK工具下i.MXRT的串行NOR Flash下载算法设计. 在i.MXRT硬件那些事系列之<在串行NOR Flash XIP调试原理>一文中,痞子衡简单提了一下串行NOR Flash下载算法的概念,并没有介绍具体设计细节,关于NOR Flash下载算法每个IDE/工具都有自己的一套设计,虽然基本设计理念是一样的,但是细节方面还是有区别.上一篇痞子衡介绍了<J-Link下算法设计>,今天痞子衡就来细聊Kei

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是IAR开发环境下i.MXRT的串行NOR Flash下载算法设计. 在i.MXRT硬件那些事系列之<在串行NOR Flash XIP调试原理>一文中,痞子衡简单提了一下串行NOR Flash下载算法的概念,并没有介绍具体设计细节,关于NOR Flash下载算法每个IDE都有自己的一套设计,虽然基本设计理念是一样的,但是细节方面还是有区别.在前面的文章里,痞子衡分别介绍过<J-Link下算法设计>.<Keil MD

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大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是i.MXRT部分型号上新增的FlexSPI Remap功能. OTA升级设计几乎是每个量产客户都绕不开的话题,产品发布后免不了要做固件(App)升级以修复bug或者增加新特性.升级App是个麻烦事,因为处理不好,App被破坏了导致启动不了,产品就容易变砖,变了砖即使能救回来,也非常影响用户体验. 如今基于i.MXRT的客户量产产品越来越多,关于OTA安全升级的客户支持也越来越多.早期的i.MXRT型号(比如i.MXRT1050/10

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是i.MXRT启动头FDCB里的lookupTable. 一个MCU内部通常有很多外设模块,这些外设模块是各MCU厂商做差异化产品的本质,也是各厂商核心竞争力所在(这里特指那些生产ARM Cortex-M内核MCU的厂商).在做MCU开发时有时候并不需要了解全部的外设,因为有些外设在项目里不一定会用到,但是要想把恩智浦i.MXRT系列MCU玩起来,有一个外设是必须要有所了解的,它就是FlexSPI,这个外设负责与外部串行NOR Fla

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是串行NAND Flash的两大特性导致其在i.MXRT FlexSPI下无法XiP. 在嵌入式世界里,当我们提起XiP设备(支持代码原地执行的存储器),首先想到的应该是NOR Flash.比如中低端MCU内部通常会集成小容量并行NOR Flash(一般2MB以内),用于存放应用程序:而高性能MCU,往往内部不会集成Flash,需要在板级设计时外挂一片稍大容量的NOR Flash(大部分是串行NOR,一般8MB以上). 恩智浦i.MX

Nor Flash和Nand Flash的不同: 类型 NOR Flash  Nand Flash  接口 RAM-like,引脚多 引脚少 容量 小(1M.2M...) 大(512M.1G) 读 简单 复杂 写 复杂 复杂 价格 贵 便宜   无坏块.位反转 有位反转.坏块   存储一些重要的文件 可以出错的文件比如视频 xip 可以 不可以 使用uboot来体验nor Flash操作.(Nor的A0接到Soc的A1上.所以地址应该左移1位.) 1. 读数据(NOR Flash可以像内存一样直

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算 机的内存.        RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但 是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

1) 闪存芯片读写的基本单位不同  应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块,有时候块内还分成扇区.读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移.应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字节.要修改NAND芯片中一个字节,必须重写整个数据块.   2)NOR闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合:NAND闪存是连续存储介质,适

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因

u-boot版本: u-boot-2010.03_tekkamanninja修改的u-boot 1.将uboot通过j-link烧写到norflash,启动后 saveenv 将参数保存到 nandflash的 0x60000位置. 2.由于uboot将param保存在0x60000位置,与内核不对应,需要修改内核的nand分区,修改内核文件arch/arm/mach-s3c2440/mach-mini2440.c static struct mtd_partition friendly_arm

NAND Flash的容量   一直到2006年,MLC芯片的容量每年都成倍数增长:由于NAND Flash的制程升级的挑战越来越大,所以NAND Flash之后的容量成倍增长所需要的时间也在不断增加,从06年以前的一年到18个月再到2年.由于MLC已经成为主流产品,SLC开始在制程和容量方面逐渐落后.例如SLC的NAND Flash从8Gb到16Gb的转移的花了3年的时间. 8LC和16LC的优点在于可以将更大容量的数据存储于一块芯片上面,而这些是SLC和MLC不能够做到的.例如,第一块16L

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D