http://bbs.21ic.com/icview-586200-1-1.html 百为STM32开发板教程之十二——NAND FLASH 参考资料:百为stm32开发板光盘V3\百为stm32开发板光盘\芯片数据手册\K9F1208.pdf百为stm32开发板光盘\st官方参考资料\Application notes\AN2784 Using the high-density STM32F10xxx FSMC peripheral to drive external memories.pdf

NAND Flash分类 SLC(Single-Level Cell)架构:单一储存单元(Cell)可储存1bit data MLC(Multi-Level Cell)架构:单一储存单元(Cell)可储存2bit data  SLC 「Small page (528 Byte).Large page (2112 Byte)」 在每个储存单元(Cell)内储存1个资讯位元(bit),称为单阶储存单元(single-level cell, SLC),使用这种储存单元的快闪记忆体也称为单阶储存单元快闪

本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处. 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B),我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K),多走了两天弯路.以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动.本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明:1.Nor读取速度比NAND稍快 2.Na

8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用 NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似 NAND Flash在掉电后仍可保存 8.1.1 Flash介绍 有NOR Flash和NAND Flash两种 NOR Flash与SDRAM的接口完全相同,可以随机访问任意地址的数据 NOR Flash的块大小是64kb~128kb,NAND的块大小是8kb~64kb NAND Flash一般以512字节为单位进行读写 Flash存储期间的可靠性主要考虑3点:位翻转.

1, /include/configs/smdk2440.h 中添加 #define CONFIG_CMD_NAND 编译 drivers/mtd/nand/built-in.o: In function `nand_init_chip': /u-boot-2016.03/drivers/mtd/nand/nand.c:76: undefined reference to `board_nand_init' 发现是少了文件 /drivers/mtd/nand/s3c2410_nand.c 复制为

关于NAND FLASH的结构是以页为单位写,以块为单位来擦除: 1Gb     为大页   page=2048Kb    BLOCK=128K 512Mb 为小页   page=512byte    BLOCK=16K PS:一页还有额外64字节OOB块,通常不计入读取范围. 另一个区别就是ECC的验证: ECC是每256个字节生产一个24位的值.NAND FLASH在写的时候会生成一个原始的ECC值保存在页的SPARE区,当要读页时也会生产一个ECC值,会跟SPARE的值进行异或比较,看结果

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A) 转载自:http://www.cnblogs.com/idle_man/archive/2010/12/23/1915303.html S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器.S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性: l        一个引导启动单元 l        Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand f

这次大概介绍了一下NAND Flash,以及在ASF中使用它的方法. 一. 接线 这个开发板搭载了一个256 MB,8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA).引脚接线如下: 偷个懒,直接上引脚复用的图.其中PC14表明该NAND FLASH需要作为SMC的外设0使用.通过使用NANDOE和NANDWE引脚说明需要使用芯片的NAND Flash控制逻辑.另外,PC18复用为输入引脚,用以查询芯片的状态. 二. NAND Flash 组织结构与寻址 NAND Flash的容量较大.

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

转自:http://www.cnblogs.com/lifan3a/articles/4958224.html 以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用. 1． 概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线(I/O[7:0])来传输数据.地址.指令.5个命令脚(CLE.ALE.CE#.WE#)实现NAND命令总线接口规程.3个附加的脚用作: 控制硬件写保护(WP#).监视芯片状态(R/B#),和发起上电自动读特征(PRE-仅3V芯片支持).注意,

关于nandflash的说明,请参考其他. 现在先贴出来韦东山先生的代码,作我学习之用. @************************************************ @ File:head.s @ 功能:设置SDRAM,将程序复制到SDRAM,然后跳到SDRAM继续执行 @************************************************ .text .global _start _start: @函数disable_watch_dog, m

在看上面2440的内存映射的时候,对其中的有些名字,不是完全太懂,所以到网上找了相关的信息. 对于mini2440来说,SDRAM,即内存,程序运行时的地方.选择连接SDRAM的为bank6. 1)S3C2440 支持两种启动模式:一种是从 Nand Flash 启动:一种是从Nor Flash启动.在此两种启动模式下,各个片选的存储空间分配是不同的, 2)左面时nGCS0片选的Nor Flash启动模式下的存储分配图,右边是Nand Flash启动模式下的存储分配图,这里要注意,nGCS0片选

NAND FLASH 原理 http://www.360doc.com/content/12/0522/21/21412_212888167.shtml 闪存保存数据的原理: 与DRAM以电容作为存储元件不同,闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极.漏极和栅极.栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用 来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏.采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再 次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力.

基本操作 这里将会简要介绍一下NAND Flash的基本操作在NAND Flash内部是如何进行的,基本操作包括:读.写和擦除.   读:     当我们读取一个存储单元中的数据时(如图2.4),是使用一个门电压Vread(0V)作用于gate端,而没有被读取的存储单元的gate端则被偏置于Vpass.r(通常为4-5v),这样他们就能够不管阀值电压是多少而能够通过晶体管.事实上,一个被擦除过的Flash存储单元有一个低于0V的Vth值,而一个被写过的存储单元的Vth则一般会有一个正值,并且这个

NAND Flash的容量   一直到2006年,MLC芯片的容量每年都成倍数增长:由于NAND Flash的制程升级的挑战越来越大,所以NAND Flash之后的容量成倍增长所需要的时间也在不断增加,从06年以前的一年到18个月再到2年.由于MLC已经成为主流产品,SLC开始在制程和容量方面逐渐落后.例如SLC的NAND Flash从8Gb到16Gb的转移的花了3年的时间. 8LC和16LC的优点在于可以将更大容量的数据存储于一块芯片上面,而这些是SLC和MLC不能够做到的.例如,第一块16L

介绍     1965年,在双极管被W.Shockley.W.Brattain和J.Bardeen三人发明出来之后,Intel的合作创始人Gordon Moore发现了这样一条法则:当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数目,约每一年便会增加一倍,性能也将提升一倍.而事实上,在接下来的几年集成电路上的晶体管数目大概每18个月就会增加一倍.例如,从Pentium 1.3到Pentium 4之间的18个月里,单位面积里的晶体管数量就从2800万增加到了5500万.     今天,一个标准的桌面PC的

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/

出自http://blog.csdn.net/maopig/article/details/7029930 DM365的视频处理涉及到三个相关处理器,分别是视频采集芯片.ARM处理器和视频图像协处理器(VICP),整个处理流程由ARM核协调.视频处理主要涉及三个处理流程,分别是视频采集.视频编码和对编码后的视频的处理,为了提高性能,通常为每个处理流程提供一个处理线程. 视频采集   TVP5146将采集到的视频数据转化为数字信号,并将这些数据送入DM365的BT656接口,然后通过Resize得