一.HSPICE基础知识Avant! Start-Hspice(现在属于Synopsys公司)是IC设计中最常使用的电路仿真工具,是目前业界使用最为广泛的IC设计工具,甚至可以说是事实上的标准.目前,一般书籍都采用Level 2的MOS Model进行计算和估算,与Foundry经常提供的Level 49和Mos 9.EKV等Library不同,而以上Model要比Level 2的Model复杂的多,因此Designer除利用Level 2的Model进行电路的估算以外,还一定要使用电路仿真软件

一.HSPICE基础知识Avant! Start-Hspice(现在属于Synopsys公司)是IC设计中最常使用的电路仿真工具,是目前业界使用最为广泛的IC设计工具,甚至可以说是事实上的标准.目前,一般书籍都采用Level 2的MOS Model进行计算和估算,与Foundry经常提供的Level 49和Mos 9.EKV等Library不同,而以上Model要比Level 2的Model复杂的多,因此Designer除利用Level 2的Model进行电路的估算以外,还一定要使用电路仿真软件

怎么正确的计算一个ip地址的subnet id? 来源于: How to calculate the correct subnet for an interface (文档 ID 1059759.1) 适用于: Oracle Database - Enterprise Edition - Version 10.2.0.1 and later Information in this document applies to any platform. 目标: 正确的计算一个ip地址的subnet i

第一步,先计算需要计算概率的词频,单词种类数,类别单词总数(类别均是按照文件夹名区分)(基础数据以及分词了,每个单词一行,以及预处理好) package org.lukey.hadoop.classifyBayes; import java.io.IOException; import java.net.URI; import java.util.ArrayList; import java.util.HashMap; import java.util.List; import java.uti

转载处:http://blog.csdn.NET/leixiaohua1020/article/details/11694369 最常用的全参考视频质量评价方法有以下2种: PSNR(峰值信噪比):用得最多,但是其值不能很好地反映人眼主观感受.一般取值范围:20-40.值越大,视频质量越好. SSIM(结构相似性):计算稍复杂,其值可以较好地反映人眼主观感受.一般取值范围:0-1.值越大,视频质量越好. PSNR,SSIM计算有如下工具可选: MSU Video Quality Measurem

本文采用Calendar 实现 ,当然也可以用java8提供的愉快且方便的时间处理- LocalDate import java.text.ParseException; import java.text.SimpleDateFormat; import java.util.Calendar; import java.util.regex.Matcher; import java.util.regex.Pattern; public class DateDaySub { private stat

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

节选自 http://www.dianyuan.com/bbs/987183.html [草根大侠]贴 关于MOS管导通内阻和米勒电容(Qgd)差异对效率的影响 http://www.epc.com.cn/subject/200910/13172.html 理解功率MOSFET的开关损耗(图) 最近做了一款正激有源钳位电源,DC48输入,DC28V输出,功率200W,频率100K.下边分别说说MOS管的差异 1.主MOS管用的IRF640,钳位管也用的IRF640 ,输出整流管用的MBR2020

PFC电源设计与电感设计计算 更新于2018-11-30 课程概览 常见PFC电路和特点1 常见PFC电路和特点1 CRM PFC电路设计计算 CCM PFC电路设计计算 CCM Interleave PFC电感纹波电流计算 DCM.CRM Interleave PFC电感纹波电流计算 高性价比大功率CRM Interleave PFC设计实例 PFC 电感电气性能指标的定义及电路中的作用 PFC 设计的电磁兼容问题与对策 耦合式Interleave PFC技术 常见PFC电路和特点1 各位电源

案例:设计一个Buck电路,满足如下性能指标要求:一.性能指标要求  1.输入电压  2.输出电压  3.输出电压纹波  4.电流纹波  5.开关频率  二.需要计算的参数  三.BUCK电路拓扑  四.BUCK电路工作原理  五.参数计算的假设前提条件  六.BUCK电路参数计算所需要的理论知识  七.导通时的占空比D的计算  八.电感L的计算  九.电容C的计算  十.案例中各个元器件的参数计算一.性能指标要求  1.输入电压      标准直流电压48V   2.输出电压      直流电

mos工作原理:http://www.360doc.com/content/15/0930/11/28009762_502419576.shtml, 开关特性好,长用于开关电源马达驱动,CMOS相机场合. MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的.在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电

笔记本常用MOS.三极管.二极管厂家: 1.EMC 杰力电子(台湾)官方网站:http://www.excelliancemos.com/tw/solution.php 2.UBIQ(台湾电源厂家UPI力智2008年成立的MOSFET部门)官方网站:http://www.ubiq-semi.com/en-article-upi-290-53 目前uPI主要做电源IC:LDO,BUCK,BOOST,力智的大部分型号都可以与立崎(RichteK)兼容的,品质与Richtex一致,价格上比Richte

VOIP Bandwidth consumption naturally depends on the codec used.  VOIP消耗的带宽一般取决于所使用的语音编码. When calculating bandwidth, one can't assume that every channel is used all the time. Normal conversation includes a lot of silence, which often means no packets

从<十进制和二进制的运算---我所理解到的人类的运算的本质>这里我们知道,人类进行运算的本质是查表,并且我们存储的表是有限的.那么计算机是怎进行四则运算的呢,也是查表吗,肯定不是,今天,我们先来说一说CPU是如何计算1+1的.现代计算机又叫电子计算机,肯定是由电路和电子元件来实现的呗.我们都知道一台计算机的核心就是处理器(CPU),它的职责就是运算,而CPU是一块超大规模的集成电路,所以我们要想弄清楚计算机的运算机制就要了解集成电路是如何具有运算能力的,而集成电路是由大量晶体管等电子元件封装而

E. Covered Points 利用克莱姆法则计算线段交点.n^2枚举,最后把个数开方,从ans中减去. ans加上每个线段的定点数, 定点数用gcs(△x , △y)+1计算. #include <algorithm> #include <iterator> #include <iostream> #include <cstring> #include <cstdlib> #include <iomanip> #include

SPOJ -Find The Determinant III 参考:https://blog.csdn.net/zhoufenqin/article/details/7779707 参考中还有几个关于行列式的性质. 题意: 计算矩阵的行列式答案 思路: 计算行列式的基本方法就是把矩阵化成上三角或下三角,然后观察对角线的元素,如果其中有一个元素为0则答案为0,否则行列式的值就是对角线上各个元素的乘积. #include <algorithm> #include <iterator>

STM32 TIM高级定时器的互补PWM支持插入死区时间,本文将介绍如何计算以及配置正确的死区时间. 文章目录 什么是死区时间? 数据手册的参数 如何计算合理的死区时间? STM32中配置死区时间 什么是死区时间? 死区时间主要是在逆变电路中,防止一个桥臂的上下两个开关器件同时导通,那么会导致电路电流上升,从而对系统造成损害.因为开关元器件的tdont_{don}tdon​和tdofft_{doff}tdoff​严格意义并不是相同的.所以在驱动开关元器件门极的时候需要增加一段延时,确保另一个开关

16楼说得非常明白,补充一点,R3如果不要,会有下冲产生.4 Q: Z/ G  G1 s8 Z- } 能解释下为什么会产生过冲吗?9 i, P* D* X) u. t/ b  ^ 让我们这些菜鸟学习学习         回复 支持 反对 举报   EDA365微信号及QQ群号! tyongfeng18 0 主题 3 帖子 83 积分 二级会员(20) 积分 83 发消息 32#   发表于 2012-7-31 13:51 | 只看该作者 当电压12V输入的时候,D2没拿掉为好.       回复

设计的MOS管三极管简单开关电路驱动能力不够 [复制链接]     lxizj 9 主题 454 帖子 1783 积分 四级会员(40) 积分 1783 发消息 16#   发表于 2012-4-23 17:02 | 只看该作者 这个东西仔细看看规格书就知道了.0 n" Z0 o. r7 ~$ `; a) u! {9 j 1.首先,为什么10K/10K的分压不行? # Q7 _$ S" A. D3 r6 [, S 9楼说的有道理.从规格书上看,AOD409的阙值电压是2.4V,而10K

区别: 1.MOS管损耗比三极管小,导通后压降理论上为0. 2.MOS管为电压驱动型,只需要给电压即可,意思是即便串入一个100K的电阻,只要电压够,MOS管还是能够导通. 3.MOS管的温度特性要比三极管好. MOS管比三极管最大的有点是所需的驱动功率小,用MOS管做电源驱动时,只需要一个驱动电压信号即可,就可以控制很大的电源电流了(几安培到几十安培),控制很方便,如果用三极管,需要几级推动电路,将控制电流逐步加大,也就是多级放大,常见的方式是达林顿电路,这样在设计电路时就很繁琐了,调试也费劲