http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压.一般2V-4V就可以了.    但是,场效应管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止.    开关只有两种状态通和断,三极管和场效应管工作有三种状态,1.截止,2.线性放大,3.饱和(基极电流继续增加而集电极电流不再增加).使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路,一般以晶体管截止

原文地址点击这里: 在前一节,我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍, 并且还提到过一种广为流传的说法:相对于NMOS管,PMOS管的沟道导通电阻更大.速度更慢.成本更高等,虾米情况?我们还是从头说起吧! 如果读者有一定的电子技术应用经验的话,对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍,几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管(而不是PMOS管),如正激.反激.推挽.半桥.全桥等拓扑,NMOS管的应用电路案例真心不要太多,如下图所示(当然,这些也并不全是完全独立

将原来导的包remove from build path,并复制到Web-root下的lib目录中,再add to build path,

1 问题描述 在1处显示成功,但是在2处却没有相应的包 2 问题原因 查看pom.xml的源码,看你的依赖是否和我的方框中标签是一样的,有的会多出一个  xxxupdate 的标签(我这里给出的是正确的形式) 还有其他原因,待更新... 3 解决办法 3.1 先将 pom.xml 的源码改成正确的形式,再刷新一下,观察Maven Dependencies是否出现相应的包:如果没有就重启eclipse再观察 3.2 如果3.1执行后还是不行 clean 一下 项目(project -->> cl

使用MindManager我们可以制作出很多简洁明了的思维导图,然而,不论是分享还是查看这些导图,我们往往需要对导图进行加密操作,尤其是制定公司或企业的下一步发展计划时,加密导图就显得很有必要了. MindManager为我们提供了思维导图的加密功能,使得我们可以在很大程度上保证导图的保密性.本次小编使用的软件版本是MindManager 21(win系统),下面就让小编来为大家介绍一下加密功能简单操作吧. 一.加密导图 在MindManager中加密思维导图时,我们通常需要设置两种密码,一种是

pc线路板是有导电功能的,那么如何仅适用手工计算出线路的阻值能?那么就需要使用到一个公式: W*R*T=6000 W是指铜箔的宽度单位是密耳mil. T是指铜箔厚度单位是盎司oz. R是指铜箔的电阻单位是mΩ/ft. 6000是常数不变量. 根据这个公式就可以计算出横切面积内铜箔的电阻值.其中1oz=35um,当铜箔被蚀刻成线路的时候,这个时候只要将所要计算阻值的线路测量出宽度和长度就可以计算出线路的阻值是多少.

仔细查看报错原因就能知道,报错是因为包冲突的原因,可以每种只放一个jar包,就能过避免这种错误. 例如:只导入commons-codec-1.11-javadoc,jar和bcprov-jdk15on-160.jar

CV:Constant Voltage恒压 SMMB charger:Switch-ModeBattery Charger and Boost peripheral开关模式电池充电器和升压外围设备 OCV:Open circuitvoltage EOC:End OfCharge充电结束 UUC:UnusableCapacity不可用电量 对应的源代码文件为\kernel\drivers\power\qpnp-vm-bms.c,高通QPNP电压模式的PMIC电池管理系统(Qualcomm'sQPN

本章目标:     了解S3C2410/S3C2440和触摸屏的结构:     了解电阻触摸屏的工作原理和等效电路图:     了解S3C2410/S3C2440触摸屏控制器的多种工作模式:     掌握S3C2410/S3C2440 ADC和触摸屏的编程方法: 14.1 ADC和触摸屏硬件介绍及使用 14.1.1 S3C2410/S3C2440      S3C2410/S3C2440  的ADC可以接收8个通道的模拟信号输入,并将它们转换 为10位的二进制数据.在2.5MHz的A/D转换时钟

GPIO(General-purpose input/output 通用目的输入/输出端口) 电压(A模拟量)与电平(D数字量) GPIO 8种工作模式(输入四种.输出四种) 1.GPIO_Mode_AIN 模拟输入 2.GPIO_Mode_IN_FLOATING 浮空输入 3.GPIO_Mode_IPD 下拉输入 4.GPIO_Mode_IPU 上拉输入 5.GPIO_Mode_Out_OD 开漏输出 6.GPIO_Mode_Out_PP 推挽输出 7.GPIO_Mode_AF_OD 复用开漏

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

mos工作原理:http://www.360doc.com/content/15/0930/11/28009762_502419576.shtml, 开关特性好,长用于开关电源马达驱动,CMOS相机场合. MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的.在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电

1.MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路.MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种.P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管.实际应用中,NMOS居多.其主要特点是结构简单.制造方便.集成度高.功耗低,但速度较慢.三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流. 2.PMOS的特性,Vgs

设计的MOS管三极管简单开关电路驱动能力不够 [复制链接]     lxizj 9 主题 454 帖子 1783 积分 四级会员(40) 积分 1783 发消息 16#   发表于 2012-4-23 17:02 | 只看该作者 这个东西仔细看看规格书就知道了.0 n" Z0 o. r7 ~$ `; a) u! {9 j 1.首先,为什么10K/10K的分压不行? # Q7 _$ S" A. D3 r6 [, S 9楼说的有道理.从规格书上看,AOD409的阙值电压是2.4V,而10K

MOS-N 场效应管 双向电平转换电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用 如上图所示,是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路.双向传输原理: 为了方便讲述,定义 3.3V 为 A 端,5.0V 为 B 端. A端输出低电平时(0V) ,MOS管导通,B端输出是低电平(0V) A端输出高电平时(3.3V),MOS管截至,B端输出是高电平(5V) A端输出高阻时(OC) ,MOS管截至,B端输出是高电平(5V) B端输出低电平时(0V) ,MOS管内的二极管导通,从而使MOS管导通,A端输

mos管的基本参数,大家熟悉的必然是Ids电流,Ron导通电阻,Vgs的阈值电压,Cgs.Cgd.Cds这几项,然而在高速应用中,开关速度这个指标比较重要.<ignore_js_op> 上图四项指标,第一项是导通延时时间,第二项是上升时间,第三项是关闭延时时间,第四项是下降时间.定义如下图:<ignore_js_op> 在高速H桥应用中,MOS管内部的反向并联寄生二极管的响应速度指标Trr,也就是二极管的反向恢复时间这个指标很重要,否则容易炸机,下图为高速二极管.<ignor

实际工程应用中常用的MOS管电路(以笔记本主板经典电路为例): 学到实际系统中用到的开关电路模块以及MOS管非常重要的隔离电路(结合IIC的数据手册和笔记本主板应用电路): MOS管寄生体二极管,极性判断?** 1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流.MOSFET管是FET的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管.NMOS做下管比较方便.使用PMOS做下管.NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用. 下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图: NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高):而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高),下面以导通压差6V为例. NMOS管 使用NMOS当下管,S极直接接