MOS-N 场效应管 双向电平转换电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用 如上图所示,是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路.双向传输原理: 为了方便讲述,定义 3.3V 为 A 端,5.0V 为 B 端. A端输出低电平时(0V) ,MOS管导通,B端输出是低电平(0V) A端输出高电平时(3.3V),MOS管截至,B端输出是高电平(5V) A端输出高阻时(OC) ,MOS管截至,B端输出是高电平(5V) B端输出低电平时(0V) ,MOS管内的二极管导通,从而使MOS管导通,A端输

话不多说,先上代码: #include <wiringPi.h> #include <stdio.h> #include <sys/time.h> #define VOICE 0 void ultraInit(void){ pinMode(VOICE,OUTPUT);//我们此处是用的是GPIO.0输入输出端口,所以pin=0 } void doVoice(void){ digitalWrite(VOICE,LOW);//初始化引脚电平值为LOW ;i<=;i++

测试发现发送数据时MCU卡住不动,测试发现卡在了 while(NRF24L01_IRQ!=0); 也就是说管脚IRQ一直是高电平.仔细排查发现nrf24l01处于接收模式,改为发送模式就好了 NRF24L01_TX_Mode(); 因为无线模块时有效时无效查不出故障所在,暂时搁置

PW2320采用先进的沟道技术,以提供优良的RDS(ON),低栅电荷和电压门极电压低至2.5V时工作.该装置适合用作电池保护或在其他开关应用中. 特征 VDS=20V ID=8A RDS(开)<12mΩ@VGS=4.5V SOTA 3针封装 芯片代理:深圳市夸克微科技  郑R  13528458039 绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明) PW3400A采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON).低栅电荷和栅电压低至2.5V时工作.该装置适用于电池保护或在其他交换应用中. PW3428

场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET)简称场效应管,是一种由多数载流子参与导电的半导体器件,也称为单极型晶体管,它主要分型场效应管(Junction FET, JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide Semiconductor FET,MOSFET),属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高.噪声小.功耗低.动态范围大.易于集成.无二次击穿现象.安全工作范围宽等优点. 本节我们讲解一下N沟道增强型MOS场效应管,其基本结构如下图所示: 如

mos工作原理:http://www.360doc.com/content/15/0930/11/28009762_502419576.shtml, 开关特性好,长用于开关电源马达驱动,CMOS相机场合. MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的.在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电

1.为什么A/D转换前需要采样保持电路,它的基本原理是什么? 因为被取样的信号是动态,随时改变的,而A/D转换需要时间,在这个转换的过程中,信号是变化的,为了弥补A/D转换的时间差,所以需要采样保持.如果A/D转换很快,比信号本身的变化快10倍或者更高,则无需保持电路. 1. MOS管工作原理--MOS管简介 MOS管,即在集成电路中绝缘性场效应管.MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一

http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107-1015Ω).噪声小.功耗低.动态

一些关于MOS管的基础知识,很多资料来源于网络. 场效应管(FET)分类:(按材料) 1. 结型 2. 绝缘栅型(MOS) 耗尽型:在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子) 增强型:无掺杂. 结型: 工作原理: 在uds=0时: ugs=0V ugs>0V,并没有夹断 ugs>0V,夹断 uds>0时,沟道的变化不会像uds=0那么规则.但是当沟道夹断之后,iD只取决于uGS,即电压控制电流. N沟道增强型MOS: N沟道耗尽型MOS

http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO

MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管 在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种. 我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造.在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管.这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要.顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的.     1.导通特性   NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电

一.A/D转换的基本原理 在一系列选定的瞬间对模拟信号进行取样,然后再将这些取样值转换成输出的数字量,并按一定的编码形式给出转换结果. 整个A/D转换过程大致可分为取样.量化.编码三个过程.二.取样-保持电路 取样-保持电路的基本形式如上图,图中T为N沟道增强型MOS管,作模拟开关使用. 当取样控制信号Vi为高电平时T导通,输入信号Vi经电阻R1和T向电容CH充电.若取R1=RF,且视运算放大器为理想运算放大器,则充电结束后,Vo=Vch=-Vi 当Vi返回低电平以后,MOS管T截止,由于CH上

基于6575平台: GPIO驱动程序提供了两个接口: (1)内核空间:所提供的GPIO驱动程序,驱动程序可以调用其他函数 (2)用户空间:用户空间的程序可以通过发送IOCTL   /dev/ mtgpio的操作GPIO GPIO_PIN 枚举所有的GPIO引脚.它将被用于在每个gpio驱动 查看文本打印? typedef enum GPIO_PIN { GPIO_UNSUPPORTED = -1, GPIO0  , GPIO1  , GPIO2  , GPIO3  , GPIO4  , GPIO

CMOS门电路 以MOS(Metal-Oxide Semiconductor)管作为开关元件的门电路称为MOS门电路.由于MOS型集成门电路具有制造工艺简单.集成度高.功耗小以及抗干扰能力强等优点,因此它在数字集成电路产品中占据相当大的比例.与TTL门电路相比,MOS门电路的速度较低. MOS门电路有三种类型:使用P沟道管的PMOS电路.使用N沟道管的NMOS电路和同时使用PMOS和NMOS管的CMOS电路.其中CMOS性能更优,因此CMOS门电路是应用较为普遍的逻辑电路之一. 1. CMOS非

个人观点总结 对TTL和CMOS门电路的认识: 1.构成 TTL集成电路一般都是有三极管(或二极管)和电阻.电容构成,其中三极管(二极管)是作为主要的开关器件 CMOS集成电路一般是由场效应管和电阻.电容构成,其中场效应管作为主要的开关器件   2.  功耗 TTL电路功耗远大于CMOS电路的功耗,所以一般来说TTL电路很难实现大规模集成电路(LSI).这是TTL的一个最大的缺点,也是CMOS广泛被采用的 一个理由.但TTL电路响应速度快 3.防护 CMOS电路容易被静电电压损坏,需要考虑对其的

DALI2.0调光解码模块使用手册 一.概述(联系人:张先生,电话:13923882807,QQ:813267849) 欢迎使用本公司的DALI 2.0解码模块,该模块支持"DALI第二套协议","DALI NFC",兼容任何欧美系的DALI控制系统,具备10年的DALI行业经验.我公司一些客户用该模块过了DALI认证. 该模块体积微小,采用了先进的控制技术,完美兼容TRIDONIC(锐高),OSRAM(欧司朗),PHILIPS(飞利浦),路创,欧华,施耐德,快思聪

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在将Discovery的工程移植到Mini-STM32F4x9BI开发板时,使用ULINK2下载程序可能会出现如下图所示的“Invalid ROM Table”这个错误. 可能原因是使用Mini-STM32F4x9BI开发板时(STM32F429BITx)外部晶振为25M,而使用Discovery的工程(STM32F429ZITx),其外部晶振为8M,晶振频率修改错误导致程序超频锁死了.因此除了将Option for Target选项里面的device修改成STM32F429BITx和做一些必要

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

晶体三极管分为NPN和PNP型两种结构形式,除了电源极性的不同工作原理是大致相同的.对于NPN管,它是由2块N型半导体夹着一块P型半导体所组成的,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区所形成的PN结称为集电结,三条引线分别为发射极(Emitter).基极(Base)和集电极c(Collector).b点电压高于e点电压时,发射结正偏,而当c点电压高于b点电压时,集电结反偏,集电结电源要高于基极电源.由于在制造过程中,发射区的自由电子浓度要多于集电区的电子浓度,因此在正偏电压下,自