闪速存储器 闪速(Flash)存储器是一种电可擦除可多次编程的存储器.工艺上主要有两类:或非(NOR)型阵列和与非(NAND)型阵列. 项目 读取速度 写入速度 擦除速度 特性 其他 NOR Flash 比NAND稍快一些 比NAND慢很多 远慢于NAND NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益 NOR带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地并行存取每一个字节,因此可以直接连接系统总线,构成主存. NAND Flash 比NOR稍慢一些 比NOR快很多 远快

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因

前言:    在嵌入式开发中,如uboot的移植,kernel的移植都需要对Flash 有基本的了解.下面细说一下标题中的中Flash中的关系 一,Flash的内存存储结构    flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash. NorFLASH使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,在小容量时有很高的性价比,这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM.    相对于NorFLASH,NandFLASH强调更高的性能,更

转载自:http://blog.csdn.net/liangkaiyang/article/details/59556531.什么是内存     什么是内存呢?在计算机的组成结构中,有一个很重要的部分,就是存储器.存储器是用来存储程序和数据的部件,对于计算机来说,有了存储器,才有记忆功能,才能保证正常工作.存储器的种类很多,按其用途可分为主存储器和辅助存储器,主存储器又称内存储器(简称内存),辅助存储器又称外存储器(简称外存).外存通常是磁性介质或光盘,像硬盘,软盘,磁带,CD等,能长期保存信息

FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器.当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有FLASH,早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构,现在已基本上停

转自:http://m.elecfans.com/article/778203.html 本文主要是关于SPI FLASH与NOR FLASH的相关介绍,并着重对SPI FLASH与NOR FLASH的区别进行了详细的区分. SPI FLASH 首先它是个Flash,Flash是什么东西就不多说了(非易失性存储介质),分为NOR和NAND两种(NOR和NAND的区别本篇不做介绍).SPI一种通信接口.那么严格的来说SPI Flash是一种使用SPI通信的Flash,即,可能指NOR也可能是NAN

1.SPI Flash (即SPI Nor Flash)是Nor Flash的一种: 2.NOR Flash根据数据传输的位数可以分为并行(Parallel)NOR Flash和串行(SPI)NOR Flash: 3.SPI Nor Flash每次传输一个bit位的数据,parallel Nor Flash每次传输多个bit位的数据(有x8和x16bit两种): 4.SPI Nor Flash比parallel便宜,接口简单点,但速度慢. SPI FLASH是指外接口符合SPI协议,也就是串口.

Avinash Aravindan reference:https://www.embedded.com/design/prototyping-and-development/4460910/2/Flash-101--NAND-Flash-vs-NOR-Flash Embedded system designers must take into account many considerations when selecting a Flash memory: which type of Fla

目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash.NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本. NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价.用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一

1,从NANDFLASH启动时,在ARM上电时,ARM会自动把NANDFLASH前4K的内容拷贝到S3C2440内部SRAM中,同时把SRAM的地址映射到0X00000000.ARM上电后会从SRAM处开始运行. 2,从NOR FLASH启动时,因为NORFLASH接在bank0.地址映射是0X00000000.所以ARM上电后直接运行NORFLASH里的程序.此时S3C2440内部SRAM地址为0X40000000. 3,ARM上电启动都是从0X00000000开始运行.但是对于复位程序入口,

ROM(Read Only Memory,只读存储器)芯片:在微机的发展初期,BIOS都存放在ROM芯片中.ROM内部的资料是在ROM的制造工序中,在工厂里用特殊的方法被烧录进去的,其中的内容只能读不能改,一旦烧录进去,用户只能验证写入的资料是否正确,不能再作任何修改.如果发现资料有任何错误,则只有舍弃不用,重新订做一份.ROM是在生产线上生产的,由于成本高,一般只用在大批量应用的场合. PROM(Programmable ROM,可编程ROM)芯片:由于ROM制造和升级的不便,后来人们发明了P

转载了,对于我理解两种Flash起到了帮助,希望博主继续再接再厉,更新博文 原文地址:存储器的联系与区别">NOR和NAND 存储器的联系与区别作者:暴走的工程师 一.类型理解    分为NOR(或非)  NAND(与非) 二.接口理解   NOR(或非)----地址.数据总线分开:   NAND(与非)----地址.数据总线共用. 三.读写单位:   NOR(或非)----字节:   NAND(与非)----页. 四.组成结构:    NOR(或非)----扇区.字节:    NAND(

1.Flash/Actionscript3 载入资源文件方法考 http://zengrong.net/post/1107.htm 2.使用Flash Professional CS5和Flash Builder 4组合动画和ActionScript http://www.infoq.com/cn/vendorcontent/show.action?vcr=1005 3.flash builder 在线帮助文档 http://help.adobe.com/en_US/Flex/4.0/Using

区别:http://zhidao.baidu.com/question/1068445.html?qbl=relate_question_0&word=Serial%20Flash%20%D3%EBNand%C7%F8%B1%F0 Nand Flash原理:http://blog.chinaunix.net/uid-22731254-id-3622773.html

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术. Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面. 东芝于1989年开发出NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级. 大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些,而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案. NOR Flash 的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),用户可以直接

RAM(Random Access Memory) 随机存储器.存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器.这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序. 按照存储信息的不同,随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM). ROM(Read-Only Memory)只读存储器,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器.其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除.通常

他们四者相互独立 RAM掉电易失数据: RAM又分两种,一种是静态RAM,SRAM:一种是动态RAM,DRAM.前者的存储速度要比后者快得多,我们现在使用的内存一般都是动态RAM. DDR是Double Data Rate SDRAM的缩写(双倍数据速率) 也就是DRAM的一种 ROM掉电不丢失数据. NOR Flash 和 NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术, Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用

flash插件是一个网页ActiveX控件,而flash播放器是一个exe的可执行程序.前者用于播放网页中的falsh动画,而后者用于播放本地swf格式文件.

http://blog.sina.com.cn/s/blog_4b37304d0100fg10.html