NAND闪存是一种电压元件,靠其内存电压来存储数据,现在我们就来谈谈它的结构及工作原理. 闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET),里面有一个浮置栅极(Floating Gate),它便是真正存储数据的单元.请看下图:                   数据在闪存的存储单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的.存储电荷的多少,取决于图中的控制栅极(Control gate)所被施加的电压,其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷.而数据

转自:https://blog.csdn.net/qq_39560607/article/details/81714145 版权声明:请注明转载自Christa_RJ https://blog.csdn.net/qq_39560607/article/details/81714145NAND-Flash 的存储原理 固态硬盘最小单元的基本架构如下: 我们知道计算机中所有的信息储存最终都必须回归到 0与1,原则上,只要存储单元能提供两种或两种以上可供辨识的状态,便可以拿来纪录数据. (1)写入数据

NAND-Flash 的存储原理 固态硬盘最小单元的基本架构如下: 我们知道计算机中所有的信息储存最终都必须回归到 0与1,原则上,只要存储单元能提供两种或两种以上可供辨识的状态,便可以拿来纪录数据. (1)写入数据 在 NAND-Flash 中,当我们需要写入数据时,会在图中的控制闸(Control Gate)施加高电压,然后允许源极(Source)与汲极(Drain)间的 N信道(N-Channel)流入电子,等到电流够强,电子获得足够能量时,便会越过浮置闸(Floating Gate)底下

http://blog.chinaunix.net/uid-26876150-id-3723678.html Nor Flash 具有像内存一样的接口,它可以像内存一样读,却不可以像内存一样写,Nor Flash 的写.擦除都需要发出特定的命令.谈到 Nor Flash 通常就会涉及到 CFI ([Common Flash Interface) 接口,一般 Nor Flash 都支持发命令来读取厂家 ID 和 设备 ID 等基本信息,但并不是所有的 Nor Flash 都支持发命令来获取和芯片本

我的mini2440上是只接了一块Nor Flash,型号是S29AL016M90TAI02,这是一块2M Byte,16位宽度的Nor Flash,用于引导扇区的闪存.原理图里面关键的引脚是: 地址引脚:22个地址引脚A0-A21(S29AL016M90TAI02只接了A0-A19,20个地址,接到S3C2440的LADDR1-LADDR20,和图中NorFlash芯片型号不一致) 数据引脚:16个数据引脚D0-D15 /OE:OUTPUT ENABLE,输出使能,低电平有效. /WE:WRI

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A) 转载自:http://www.cnblogs.com/idle_man/archive/2010/12/23/1915303.html S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器.S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性: l        一个引导启动单元 l        Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand f

https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1   Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级

2.       软件方面 如果想要在Linux下编写Nand Flash驱动,那么就先要搞清楚Linux下,关于此部分的整个框架.弄明白,系统是如何管理你的nand flash的,以及,系统都帮你做了那些准备工作,而剩下的,驱动底层实现部分,你要去实现哪些功能,才能使得硬件正常工作起来. [内存技术设备,MTD(Memory Technology Device)] MTD,是Linux的存储设备中的一个子系统.其设计此系统的目的是,对于内存类的设备,提供一个抽象层,一个接口,使得对于硬件驱动设

出自http://blog.csdn.net/maopig/article/details/7029930 DM365的视频处理涉及到三个相关处理器,分别是视频采集芯片.ARM处理器和视频图像协处理器(VICP),整个处理流程由ARM核协调.视频处理主要涉及三个处理流程,分别是视频采集.视频编码和对编码后的视频的处理,为了提高性能,通常为每个处理流程提供一个处理线程. 视频采集   TVP5146将采集到的视频数据转化为数字信号,并将这些数据送入DM365的BT656接口,然后通过Resize得

4.1 nand flash启动u-boot nand flash 启动的时候,CPU 需要将 nand flash 中前面 4KB 的内容复制到 SRAM 中执行,然后将 NAND Flash 中的所有内容拷贝到 SDRAM中. 前4 KB 的拷贝 是硬件自动执行的. 4.1.1 地址空间 原理图如下: nand flash 只有数据总线,并没有像 SDRAM 一样有地址总线.这样就有两种寻址方式就不同. SDRAM 或 网卡.片内4K内存 都是地址总线接到 2440 上,他们的地址都是 CP

一.nand flash访问原理 地址空间概念 nand的编址 nand命令  命令,地址,数据 使用S3C2440的nand flash控制器访问nand flash 前几个编译出来的文件都小于4k,读出来放到SDRAM中去 SDRAM.dm9000地址-->2440地址 nand 没有地址总线 片内内存:SDRAM:网卡:寄存器  都是CPU统一编址 写地址,读数据   连续读一页                           只进行了读操作,擦除,oob访问都没有 二.源码分析 RA

概要: 本文介绍了DM368 NAND Flash启动的原理,并且以DM368  IPNC参考设计软件为例,介绍软件是如何配合硬件实现启动的. 芯片上电后是如何启动实现应用功能的?这是许多工程师在看到处理器运行的时候,通常都会问的一个问题.下面我们就以德州仪器的多媒体处理芯片TMS320DM368为例,介绍它的NAND Flash启动原理以及实现. 1. NAND Flash启动原理 德州仪器的多媒体处理芯片TMS320DM368可以实现1080P30 h264的编码,已经广泛的使用在了网络摄像

http://bbs.21ic.com/icview-586200-1-1.html 百为STM32开发板教程之十二——NAND FLASH 参考资料:百为stm32开发板光盘V3\百为stm32开发板光盘\芯片数据手册\K9F1208.pdf百为stm32开发板光盘\st官方参考资料\Application notes\AN2784 Using the high-density STM32F10xxx FSMC peripheral to drive external memories.pdf

对 Nand Flash 存储芯片进行操作, 必须通过 Nand Flash 控制器的专用寄存器才能完成.所以,不能对 Nand Flash 进行总线操作.而 Nand Flash 的写操作也必须块方式进行.对 Nand Flash 的读操作可以按字节读取.   Nand Flash 控制器特性 1. 支持对 Nand Flash 芯片的读.检验.编程控制 2. 如果支持从 Nand Flash 启动, 在每次重启后自动将前 Nand Flash 的前 4KB 数据搬运到 ARM 的内部 RAM

Nand flash 芯片型号为 Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为 64MB,采用块页式存储管理.8 个 I/O 引脚充当数据.地址.命令的复用端口. 芯片内部存储布局及存储操作特点 一片 Nand flash 为一个设备(device), 其数据存储分层为: 1 设备(Device) = 4096 块(Blocks) 1 块(Block) = 32 页/行(Pages/rows)  ;页与行是相同的意思,叫法不一样 1 块(Page) = 528 字节(Bytes) = 数

NAND FLASH 原理 http://www.360doc.com/content/12/0522/21/21412_212888167.shtml 闪存保存数据的原理: 与DRAM以电容作为存储元件不同,闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极.漏极和栅极.栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用 来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏.采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再 次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力.

     本篇文章主要介绍ECC基本原理以及在Nand Flash中的应用,本文记录自己对ECC校验原理的理解和学习. ECC介绍      ECC,全称为Error Correcting Code,错误纠正码,这是一种编码方式,用于在于可以在一定程度上自行发现和纠正传输过程中发生的错误.      香农在1948年发表的<通信的数学理论>中的信道编码定理指出:主要采取适当的纠错码,就可以在多类信道上传输消息,其误码率可以任意小.经过历代人们的持续努力,找出了许多好的信道编码方法,满足许多实用

ECC简介 由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块.为了检测数据的可靠性,在应用NAND Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略,而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测. 如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错. 对数

Exadata在V2时代,ORACLE为了进一步拓宽客户人群,除了宣称Exadata适用OLAP系统,同时也适用于OLTP系统,那怎么才能满足OLTP系统的高IOPS要求呢?于是Exadata引入了闪存卡,但当时的闪存卡一是价格昂贵,二是存储空间较小,才几十G的大小,如何充分利用这些闪存卡就成了一项艺术,最开始是将这些闪存卡创建成flashcache,但发现flashcache对数据文件的读取有非常大的帮助,此时日志文件写性能问题开始成为Exadata做为OLTP架构的障碍. 于是,从存储软件版

NAND FLASH  优势 : 可以用当硬盘   这里好像型号是 K9F2G08 基本结构: 不是很难自己看看,暂时不要看