基本操作 这里将会简要介绍一下NAND Flash的基本操作在NAND Flash内部是如何进行的,基本操作包括:读.写和擦除.   读:     当我们读取一个存储单元中的数据时(如图2.4),是使用一个门电压Vread(0V)作用于gate端,而没有被读取的存储单元的gate端则被偏置于Vpass.r(通常为4-5v),这样他们就能够不管阀值电压是多少而能够通过晶体管.事实上,一个被擦除过的Flash存储单元有一个低于0V的Vth值,而一个被写过的存储单元的Vth则一般会有一个正值,并且这个

有关DAVINCI U-BOOT的移植,以前写过一篇u-boot-1.3.4(2008年的),其实和这个u-boot-2009.03差别不大,只不过这个u-boot-2009.03是从TI的网站上下载的,是DAVINCI系列最新的u-boot,也适合DM6467和DM365/368,移植的方法承接.Davinci产品需要烧写UBL.U-BOOT.KERNEL.ROOTFS这四个最基本的文件.UBL的烧写有两种方式,一个就是TI开发包自带的NandWriter.out文件,这必须使用560-plu

https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1   Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级

[Nand Flash引脚(Pin)的说明] 图3.Nand Flash引脚功能说明 上图是常见的Nand Flash所拥有的引脚(Pin)所对应的功能,简单翻译如下: 1.       I/O0 ~ I/O7:用于输入地址/数据/命令,输出数据 2.       CLE:Command Latch Enable,命令锁存使能,在输入命令之前,要先在模式寄存器中,设置CLE使能 3.       ALE:Address Latch Enable,地址锁存使能,在输入地址之前,要先在模式寄存器中,

本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处. 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B),我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K),多走了两天弯路.以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动.本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明:1.Nor读取速度比NAND稍快 2.Na

NAND Flash 关于NAND FlashS5PV210的NAND Flash控制器有如下特点:1) 支持512byte,2k,4k,8k的页大小2) 通过各种软件模式来进行NAND Flash的读写擦除等3) 8bit的总线4) 支持SLC和MCL的NAND Flash5) 支持1/4/8/12/16bit的ECC6) 支持以字节/半字/字为单位访问数据/ECC寄存器,以字为单位访问其他寄存器.注意:在此使用的Mini210S的NAND Flash类型为SLC,大小为1G,型号为K9K8G

本章目标  了解NAND Flash 芯片的接口 掌握通过NAND Flash控制器访问NAND Flash的方法 8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用     NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似,用于保存系统运行所需的操 作系统.应用程序.用户数据.运行过程中产生的各类数据.与内存掉电数据丢失不同, NAND Flash中的数据在掉电后仍可永久保存. 8.1.1 Flash介绍     常用的Flash类型由NOR Flash和NAND Fl

1.       硬件特性: [Flash的硬件实现机制] Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).关于什么是非易失性/易失性,从名字中就可以看出,非易失性就是不容易丢失,数据存储在这类设备中,即使断电了,也不会丢失,这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的入硬盘,ROM等,与此相对的,易失性就是断电了,数据就丢失了,比如大家常用的内

[读(read)操作过程详解] 以最简单的read操作为例,解释如何理解时序图,以及将时序图 中的要求,转化为代码. 解释时序图之前,让我们先要搞清楚,我们要做的事情:那就是,要从nand flash的某个页里面,读取我们要的数据. 要实现此功能,会涉及到几部分的知识,至少很容易想到的就是:需要用到哪些命令,怎么发这些命令,怎么计算所需要的地址,怎么读取我们要的数据等等. 下面,就一步步的解释,需要做什么,以及如何去做: 1.需要使用何种命令 首先,是要了解,对于读取数据,要用什么命令. 下面是

关于NAND FLASH的结构是以页为单位写,以块为单位来擦除: 1Gb     为大页   page=2048Kb    BLOCK=128K 512Mb 为小页   page=512byte    BLOCK=16K PS:一页还有额外64字节OOB块,通常不计入读取范围. 另一个区别就是ECC的验证: ECC是每256个字节生产一个24位的值.NAND FLASH在写的时候会生成一个原始的ECC值保存在页的SPARE区,当要读页时也会生产一个ECC值,会跟SPARE的值进行异或比较,看结果

指令 功能 nand info 显示可使用的 Nand Flash nand device [dev] 显示或设定当前使用的 Nand Flash nand read  addr off  size Nand Flash 读取命令,从 Nand 的 off 偏移地 址处读取 size 字节的数据到 SDRAM 的 addr 地址. nand write        addr off  size Nand Flash 烧写命令,将 SDRAM 的 addr 地 址处的 size 字节的数据烧写到

使用命令前用cat /proc/mtd 查看一下mtdchar字符设备:或者用ls -l /dev/mtd*#cat /proc/mtddev:    size   erasesize  namemtd0: 00c00000 00020000 “ROOTFS”mtd1: 00200000 00020000 “BOOTLOADER”mtd2: 00200000 00020000 “KERNEL”mtd3: 03200000 00020000 “NAND ROOTFS partition”mtd4:

本原理:在 windows 环境下借助 ADS 仿真器将在 SDRAM 中的一段存储区域中的数据写到 Nand flash 存 储空间中.烧写程序在纵向上分三层完成: 第一层: 主烧写函数(完成将在 SDRAM 中的一段存储区域中的数据写到 Nand flash 存储空间中): 第二层: 为第一层主烧写函数提供支持的对 Nand flash 进行操作的页读.写,块擦除等函数: 第三层:为第二层提供具体 Nand flash 控制器中对特殊功能寄存器进行操作的核心函数,该层也是真正的 将数据能够在

对 Nand Flash 存储芯片进行操作, 必须通过 Nand Flash 控制器的专用寄存器才能完成.所以,不能对 Nand Flash 进行总线操作.而 Nand Flash 的写操作也必须块方式进行.对 Nand Flash 的读操作可以按字节读取.   Nand Flash 控制器特性 1. 支持对 Nand Flash 芯片的读.检验.编程控制 2. 如果支持从 Nand Flash 启动, 在每次重启后自动将前 Nand Flash 的前 4KB 数据搬运到 ARM 的内部 RAM

使用mtd-utils工具实现对flash的升级分区的烧写yaffs2 yaffs2的格式是根据所使用的nandflash来制作的,不同的nandflash,得到的yaffs2是不一样的,具体可以参考自己所用的nandflash,以及生成yaffs2文件系统的工具mkyaffs2image.yaffs2包含了oob数据,所以写flash的时候要分开,本文所使用的是256M oob是64bit,page是2048byte-2kByte,block=64page制作的yaffs2的大小是(2048+

1. 简要说明 JLink的调试功能.烧写Flash的功能都很强大,但是对于S3C2410.S3C2440的Flash操作有些麻烦:烧写Nor Flash时需要设置SDRAM,否则速率很慢:烧写Nand Flash只是从理论上能够达到,但是还没有人直接实现这点. 本文使用一个间接的方法来实现对S3C2410.S3C2440开发板的Nor.Nand Flash的烧写.原理为:JLink可以很方便地读写内存.启动程序,那么可以把一个特制的程序下载到开发板上的SDRAM去,并运行它,然后使用这个程序来

  很长一段时间没有更新博客了,是因为要推出新开发方案和做好客户服务工作,忙得不易乐乎.有关DAVINCI U-BOOT的移植,以前写过一篇u-boot-1.3.4(2008年的),其实和这个u-boot-2009.03差别不大,只不过这个u-boot-2009.03是从TI的网站上下载的,是DAVINCI系列最新的u-boot,也适合DM6467和DM365/368,移植的方法承接<Davinci DM6446开发攻略--u-boot-1.3.4移植(1)>,而本篇着重介绍nand flas

uboot下可以从用tftp和nfs加载文件. 但是现在有个开发板配套uboot网络功能出现异常,执行ping命令就会导致开发板重启,只能选择先从sd卡加载文件 启动开发板,任意键进入uboot,然后执行下面的命令扫描sd卡设备: mmc rescan 然后获取sd卡信息: hwgw # fatinfo mmc Interface: MMC Device : Vendor: Man Snr 20d2c703 Rev: 8.0 Prod: SD01G Type: Removable Hard Di

转自 calvinlee1984 Subject:DNW烧写FL2440 NAND Flash分区 Date:     2-Mar-2011 By:         Calvinlee1984@163.com 1.DNW软件是Samsung公司为S3C2440A芯片配置的一款专用串口软件,可在Windows系统下通过USB烧写Flash. 2.安装USB驱动 连上PC机及开发板上的USB DEVICE接口,安装USB驱动程序(只有连上此开发板,才可看到如下图所示设备) 3.启动DNW,并配置DN

驱动可以参考At91_nand.c,这个比S3c2410.c (drivers\mtd\nand)简单多了 NAND FLASH是一个存储芯片那么: 这样的操作很合理"读地址A的数据,把数据B写到地址A" 问1. 原理图上NAND FLASH和S3C2440之间只有数据线, 怎么传输地址?答1．在DATA0-DATA7上既传输数据,又传输地址 当ALE为高电平时传输的是地址, 问2. 从NAND FLASH芯片手册可知,要操作NAND FLASH需要先发出命令 怎么传入命令?答2．在D