转自:https://blog.csdn.net/pengrui18/article/details/32337297 今天在看别人如何根据物理地址计算NANDFLASH的列地址(column addres)和页地址(page address),结果看到这篇文章时,感觉有点不对劲.http://blog.csdn.net/feihuxiaozi/article/details/6943124.我在u-boot下根据代码计算,不管怎么计算都和他的例子对不上: 0xBB8CCB8 = 0000101

NandFlash详述 转自:http://wenku.baidu.com/view/04d9330bb52acfc789ebc92f.html?re=view 1. 硬件特性: [Flash的硬件实现机制] Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的如硬盘,ROM等, 与此相对的,易失性就是断电

扮演角色 相当于嵌入式设备的硬盘 NandFlash分类 1.SCL(single level cell):单层式存储 2.MLC(multi level cell):多层式存储 3.SCL在存储格上只存储一位数据,而MLC则存放两位数据 MLC与SLC对比 1.价格 由于MLC采用了更高密度的存储方式,因此同容量的MLC价格上远低于SLC 2.访问速度 SLC的访问速度一般要比MLC快3倍以上 3.使用寿命 SLC能进行10万次的擦写,MLC能进行1万次擦写 4.功耗 MLC功耗比SLC高15

转自:https://www.cnblogs.com/PengfeiSong/p/6380447.html nand 1.nand的单元组织:block与page(大页Nand与小页Nand)(1)Nand的页和以前讲过的块设备(尤其是硬盘)的扇区是类似的.扇区最早在磁盘中是512字节,后来也有些高级硬盘扇区不是512字节而是1024字节/2048字节/4096字节等.Nand也是一样,不同的Nand的页的大小是不同的,也有512字节/1024字节/2048字节/4096字节等.(2)一个blo

nand 1.nand的单元组织:block与page(大页Nand与小页Nand)(1)Nand的页和以前讲过的块设备(尤其是硬盘)的扇区是类似的.扇区最早在磁盘中是512字节,后来也有些高级硬盘扇区不是512字节而是1024字节/2048字节/4096字节等.Nand也是一样,不同的Nand的页的大小是不同的,也有512字节/1024字节/2048字节/4096字节等.(2)一个block等于多少page也是不定的,不同的Nand也不同.一个Nand芯片有多少block也是不定的,不同的Na

----------------------------------------------------------------------文章1---------------------------------------------------------------------- Flash简介: Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Devic

说明: 根据物理结构上的区别 , NandFlash主要分为如下两类:1)•SLC (Single Level Cell): 单层式存储2)•MLC (Multi Level Cell): 多层式存储@:SLC在存储格上只存一位数据, 而MLC则存放两位数据. 1.nand.c #define NFCONF (*(volatile unsigned long*)0x4E000000)#define NFCONT (*(volatile unsigned long*)0x4E000004)#def

插了一个 U 盘,想格式化或者创建文件,但是提示我 U 盘是写保护的. 解决方法如下: Open a command prompt type DISKPART press type LIST VOLUME press type SELECT VOLUME X, where X is the volume number you want to remove the write protect from. In my case is was Volume 6 type ATTRIBTES DISK

U盘被写保护如何解除   在使用U盘的时候,一直都很正常,但是突然有一天,U盘被提示被写保护了,不能够进行读写数据,如果这时正着急使用,一定会被气疯了吧,其实解决这个问题,是非常简单的. U盘被写保护 有的人说把U盘送去修理,或者说你的电脑中病毒了,要重装系统,还有更直接的说你的U盘废了,换一个吧!反正我就是不死心,没试过其它方法不要这么早就给U盘下“死刑”的定论.当然,怎么去除U盘写保护,也有的说下个U盘修复工具修复一下,网上的软件那么多,如果下个有毒的软件来那不是全体遭殃!还是算了吧. 我也

由于喜欢折腾,我是在linux下使用jlink的,既然JLinkExe可以进行内存读写操作,loadbin等操作,并且通过指定命令文件支持批量指令输入,那么首先jlink是可以直接访问内部存储器的,包括它的RAM和各种Soc上外设如存储控制器,串口配置寄存器等,但是不能直接访问外部存储器,如Norflash.这样一来,先关狗,设好时钟,然后通过wmem32一系列命令,操作存储控制器,这样就可以访问SRAM,然后loadbin到内存,再写回到norflash,或者nandflash,其中nandf

NANDFLASH: Nand-flash内存是flash内存的一种,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构.其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案.Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机.MP3随身听记忆卡.体积小巧的U盘等. NORFLASH: NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术.NOR的特点是芯片内执行

1.NandFlash分类 根据物理结构上的区别,NandFlash主要分为如下两类:•SLC (Single Level Cell): 单层式存储•MLC (Multi Level Cell): 多层式存储SLC在存储格上只存一位数据,而MLC则存放两位数据. 2.MLC与SLC对比 价格:由于MLC采用了更高密度的存储方式,因此同容量的MLC价格上远低于SLC.访问速度:SLC的访问速度一般要比MLC快3倍以上.使用寿命:SLC能进行10万次的擦写,MLC能进行1万次功耗:MLC功耗比SLC

u-boot中nandflash初始化流程分析(转) 原文地址http://zhuairlunjj.blog.163.com/blog/static/80050945201092011249136/   下面对nand flash的初始化代码nand_init()进行分析: 1.如果定义(CONFIG_COMMANDS & CFG_CMD_NAND)没定义(CFG_NAND_LEGACY) 则start_armboot()调用driver/nand/nand.c中的nand_init(),否则如

在淘宝上买修改openwrt的路由器,基本上都是改的16MB flash,那么为什么不改到1GB呢? 现在U盘的价格也很便宜啊. 于是我调查了一下,发现flash分为两种,NorFlash与NandFlash. 一般路由器需要一个bootloader来启动,一开始上电启动的时候,从0x00开启运行代码, 这个bootloader代码一般是可写的,不是固化在ROM里的,是烧写在flash里面的. 那么需要从flash里面运行代码这一点,就决定了路由器需要采用NorFlash,而不是NandFlas

WinCE开机启动Logo使用Eboot读取NandFlash中的图片数据,然后显示的方式.对于开机logo的方式网友http://jazka.blog.51cto.com/809003/664131有了详细的描述.但是自己在运用的时候遇到了一些问题.现在重新进行整理. 在loader.h中增加保留的block提供给图片用. [cpp] view plaincopy #define LOGO_BLOCK              8 #define LOGO_SECTOR_SIZE       

在mini2440的教程中,在构建nandflash系统的时候是首先通过supervivi借助dnw烧写uboot.bin到nand flash 第零块, 由于我使用的是64位操作系统,usb驱动没安装成功,就尝试了其他方法烧写uboot.bin到nandflash,尝试了N多种方法都失败了, 静下心来一想,既然NORFLASh中的uboot可以启动,为什么不直接通过uboot烧写呢,于是就试了一下,UBOOT下用tftp下载到内存,然后用nand write 指令烧写,成功了

  Flash编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写成1.所以在Flash编程之前,必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程,块内的所有字节变为0xFF.因此可以说,编程是将相应位写0的过程,而擦除是将相应位写1的过程,两者的执行过程完全相反. (1)闪存芯片读写的基本单位不同        应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块,有时块内还分扇区.读写时需要同时

转自:http://www.aiuxian.com/article/p-2796357.html 电子产品如果没有了电,就跟废品没什么区别,是电赋予了他们生命,然而程序则是他们的灵魂. 小时候一直很好奇,一个个死板的电子产品为什么一上电以后就能够工作了呢?为什么一个小小芯片就能够运行我们编写的程序呢?一个开发板从刚上电到整个操作系统能够运行起来是怎么办到的呢?这些东西困扰了好久,参考了好多资料现在才慢慢弄明白其中一些原理. 我们现在接触的大多数电子产品都是使用数字电路设计出来的,数字电路的精髓就

MTD,Memory Technology Device即内存技术设备,在Linux内核中,引入MTD层为NOR FLASH和NAND FLASH设备提供统一接口.MTD将文件系统与底层FLASH存储器进行了隔离. 如上图所示,MTD设备通常可分为四层,从上到下依次是:设备节点.MTD设备层.MTD原始设备层.硬件驱动层. Flash硬件驱动层:Flash硬件驱动层负责对Flash硬件的读.写和擦除操作.MTD设备的Nand Flash芯片的驱动则drivers/mtd/nand/子目录下,No

需求描述: 1.导出的Excel中部分列包含有下拉列表,并没有尝试过用代码实现这种功能,个人感觉比较棘手,故采用了模版的形式,直接导出数据到已经创建好的Excel模版中 2.Excel的第一列需要写保护,不允许用户修改 3.每一个大类导出到以大类名称命名的Excel中,连同各个对象对应的附件一同拷贝到同Excel的相同目录,然后压缩,下载 4.下载完成后删除该压缩文件,避免垃圾文件过多 public String doDownloadDatas() { String fileStr = null