最近在工作中,一直在调试关于MOSFET的电路.在设计过程中发现了PMOS和NMOS的差异,在此记录. 一. MOSFET简介 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)的中文应称为"金属氧化物半导体场效应管".从名字中就可看出这是一种场效应管,场效应管为我们带来了逻辑电路,从而有了计算机的物理实现.所有的场效应管的原则都是通过输入控制输出,具体来讲就是通过控制元件某部分的电压,来改变元件的导电性,从而改变流过元

原文地址点击这里: 在前一节,我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍, 并且还提到过一种广为流传的说法:相对于NMOS管,PMOS管的沟道导通电阻更大.速度更慢.成本更高等,虾米情况?我们还是从头说起吧! 如果读者有一定的电子技术应用经验的话,对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍,几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管(而不是PMOS管),如正激.反激.推挽.半桥.全桥等拓扑,NMOS管的应用电路案例真心不要太多,如下图所示(当然,这些也并不全是完全独立

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压.一般2V-4V就可以了.    但是,场效应管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止.    开关只有两种状态通和断,三极管和场效应管工作有三种状态,1.截止,2.线性放大,3.饱和(基极电流继续增加而集电极电流不再增加).使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路,一般以晶体管截止

pc线路板是有导电功能的,那么如何仅适用手工计算出线路的阻值能?那么就需要使用到一个公式: W*R*T=6000 W是指铜箔的宽度单位是密耳mil. T是指铜箔厚度单位是盎司oz. R是指铜箔的电阻单位是mΩ/ft. 6000是常数不变量. 根据这个公式就可以计算出横切面积内铜箔的电阻值.其中1oz=35um,当铜箔被蚀刻成线路的时候,这个时候只要将所要计算阻值的线路测量出宽度和长度就可以计算出线路的阻值是多少.

在很多电路途中会出现NMOS和PMOS管,因为不是中文那么直接,都说管压降之类的,但其实它的导通很重要以及区别,关系到你点亮电子元件> 参考: 1.https://blog.csdn.net/lg2lh/article/details/9124855 2.http://www.52rd.com/bbs/Archive_Thread.asp?SID=108410&TID=2 3.https://blog.csdn.net/phenixyf/article/details/45741959 NM

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管.NMOS做下管比较方便.使用PMOS做下管.NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用. 下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图: NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高):而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高),下面以导通压差6V为例. NMOS管 使用NMOS当下管,S极直接接

PMOS: NMOS: NMOS是栅极高电平(VGS > Vt)导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通.PMOS是栅极低电平(VGS < Vt)导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通. PMOS 和 NMOS使用总结 上图为USB OTG电源管理分离电路 分析如下 1)假定左侧无电压,右侧为5V U14左侧三极管关闭右侧三极管导通,导致Q3 PMOS管关闭,结果为右侧电流无法流入左侧: 2)假定左侧为5V,右侧无电压 U14左侧三极管导通右侧三极管关闭,导致Q3 PMOS管导通,结果

分简单,仅由3个电阻加一个MOS管构成,电路图如下: 此电路来自于飞利浦的一篇设计指导文档,是I2C总线官方推荐使用的电平转换电路.在实际使用过程中,需要尤其注意NMOS管的选型以及上拉电阻阻值的选取.由于该电路基于上拉电阻,NMOS管的电容特性可能会导致波形劣化.为了保证输出的上升速度,使得输出波形维持较好的形状以保证数据正确,通常选择Qg较小的NMOS管. 上图中,SDA1/SCL1,SDA2/SCL2为I2C的两个信号端,VDD1和VDD2为这两个信号的高电平电压.电路应用限制条件为: 1

现在常用的SPICE仿真软件为方便用户使用都提供了较好的用户界面,在用仿真库中的元器件连成原理图后就可以进行仿真(当然要设置必要的仿真参数),但实际上只是用原理图自动产生了SPICE的格式语句,还是要通过读取语句来进行仿真,这是历史的遗留问题.在当时的技术条件下,不能用图形方式输入电路结构,只能通过文本文件来描述,也就是所谓网表.SPICE软件的设计者规范了要进行仿真的电路对应的SPICE网表文件格式,还定义了许多仿真描述语句和分析控制语句等,使仿真软件能通过读取这些特殊信息来进行相关计算和运行

电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我么就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的. 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻,假设是6.5毫欧,通过的电流为1A(这个电流已经很大了),在他上面的压降只有6.5毫伏.

本文来自cairang45的博客,讲述了STM32的GPIO口的输出开漏输出和推挽输出, 作者博客:http://blog.ednchina.com/cairang45 本文来自: 高校自动化网(Www.zdh1909.com) 详细出处参考(转载请保留本链接):http://www.zdh1909.com/html/MCS51/2944.html STM32的GPIO口的输出:开漏输出和推挽输出 >>推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件 >>开漏输出:输出端相当于三极管的集

/* *本文转载自互联网,仅供个人学习之用,请勿用于商业用途. */ 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的 ,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.   下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构   MOSFET管是FET的一种(另一种是JFE

源:http://www.micro-bridge.com/news/news.asp?id=258 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 1.MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道M

作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以

http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO

关于STM32GPIO口的8种工作模式,我们先引出一些问题? STM32GPIO口如果既要输入又要输出怎么办? 1.浮空输入模式 上图红色的表示便是浮空输入的过程,外部输入时0读出的就是0,外部输入时1读出的就是1,外部没有输入IO处于阻塞读不出电平状态. 用处:感觉在信号处理方面用的比较好,比如在读取一段一段的波形,可以清晰的知道什么时候是0信号,什么时候是1信号,什么时候是没有信号的. 类比:51单片机找不到类似的输入模式   2.上拉输入 上拉输入和浮空输入的区别是,上拉电阻的开关关闭了,

关于STM32GPIO口的8种工作模式,我们先引出一些问题? STM32GPIO口如果既要输入又要输出怎么办? 1.浮空输入模式 上图红色的表示便是浮空输入的过程,外部输入时0读出的就是0,外部输入时1读出的就是1,外部没有输入IO处于阻塞读不出电平状态. 用处:感觉在信号处理方面用的比较好,比如在读取一段一段的波形,可以清晰的知道什么时候是0信号,什么时候是1信号,什么时候是没有信号的. 类比:51单片机找不到类似的输入模式   2.上拉输入 上拉输入和浮空输入的区别是,上拉电阻的开关关闭了,

基于6575平台: GPIO驱动程序提供了两个接口: (1)内核空间:所提供的GPIO驱动程序,驱动程序可以调用其他函数 (2)用户空间:用户空间的程序可以通过发送IOCTL   /dev/ mtgpio的操作GPIO GPIO_PIN 枚举所有的GPIO引脚.它将被用于在每个gpio驱动 查看文本打印? typedef enum GPIO_PIN { GPIO_UNSUPPORTED = -1, GPIO0  , GPIO1  , GPIO2  , GPIO3  , GPIO4  , GPIO

转自http://ninghechuan.com 你要的FPGA&数字前端笔面试题来了 FPGA&ASIC基本开发流程 题目:简述ASIC设计流程,并列举出各部分用到的工具. 勘误:Calibre是Mentor公司的 ASIC开发基本流程 芯片架构,考虑芯片定义.工艺.封装 RTL设计,使用Verilog.System Verilog.VHDL进行描述 功能仿真,理想情况下的仿真 验证,UVM验证方法学.FPGA原型验证 综合,逻辑综合,将描述的RTL代码映射到基本逻辑单元门.触发器上 D

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

001. 画出CMOS反相器的电路原理图. 衬底的连接问题.PMOS衬底接电源,NMOS衬底接地 002. 反相器的速度与哪些因素有关?什么是转换时间(transition time)和传播延迟(propagation delay)? 反相器的速度与哪些因素有关. (1)  电容(负载电容.自载电容.连线电容)较小,漏端扩散区的面积应尽可能小.输入电容要考虑: (1)Cgs 随栅压而变化(2)密勒效应(3)自举效应 (2)   加大晶体管的尺寸(驱动能力),使晶体管的等效导通电阻(输出电阻)较小