1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作.对NOR

所谓提高flash的擦写次数,并不是真正的提高flash擦写次数,而是通过以"空间换时间"概念,在软件上实现“操作的次数大于其寿命”.详见链接: http://bbs.eeworld.com.cn/thread-235786-1-1.html  

NOR Flash擦写和原理分析 1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),

Nor Flash上电后处于数据读取状态(Reading Array Data).此状态可以进行正常的读.这和读取SDRAM/SRAM/ROM一样.(要是不一样的话,芯片上电后如何从NorFlash中读取启动代码.~) 一般再对Flash进行操作前都要读取芯片信息比如设备ID号.这样做的主要目的是为了判断自己写的程序是否支持该设备. Nor Flash支持2种方式获取ID号.一种是编程器所用的方法需要高电压(11.5V-12.5V).另一种方法就是所谓的in-system方法,就是在系统中通过N

1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作.对NOR

1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作.对NOR

最近因项目需要,做一个数据采集的单片机平台.需要移植 FatFs .现在把最后成果贴上来. 1.摘要 在 STM32 单片机上,成功移植 FatFs 0.12b,使用的 Nand Flash 芯片为 K9F2G08 . 特点: 系统配合 FatFs 实现了坏块管理,硬件ECC,软件 ECC 纠错 2.代码分析 2.1.擦写均衡分析 在create_chain 函数中实现,每次分配都由当前scl 指向的 free cluster 开始,逐块检查,是否有可用 cluster 存在.如果没有则取下一块

  很长一段时间没有更新博客了,是因为要推出新开发方案和做好客户服务工作,忙得不易乐乎.有关DAVINCI U-BOOT的移植,以前写过一篇u-boot-1.3.4(2008年的),其实和这个u-boot-2009.03差别不大,只不过这个u-boot-2009.03是从TI的网站上下载的,是DAVINCI系列最新的u-boot,也适合DM6467和DM365/368,移植的方法承接<Davinci DM6446开发攻略--u-boot-1.3.4移植(1)>,而本篇着重介绍nand flas

ICETEK-DM642-PCI板上的29L008B芯片提供了8M位的Flash空间(访问地址空间是CE1,90000000h~90080000h).主要用于自启动功能和存储FPGA的配置数据. 一.从FLASH自启动过程: 系统复位后,DM642将flash空间的前1k字节复制到片内0地址开始的存储单元,从0地址开始执行.而用户程序往往大于1K字节,所以位于0地址的程序常是一个装载程序(Bootloader),用来完成将应用程序从Flash中读出放到RAM中.因此,在Flash中开始的1k字节

使用mtd-utils工具实现对flash的升级分区的烧写yaffs2 yaffs2的格式是根据所使用的nandflash来制作的,不同的nandflash,得到的yaffs2是不一样的,具体可以参考自己所用的nandflash,以及生成yaffs2文件系统的工具mkyaffs2image.yaffs2包含了oob数据,所以写flash的时候要分开,本文所使用的是256M oob是64bit,page是2048byte-2kByte,block=64page制作的yaffs2的大小是(2048+

转自:http://blog.csdn.net/xgbing/article/details/18422691 版权声明:原创文章,转载请注明来自:http://blog.csdn.net/xgbing 传统的FLASH分为Nor falsh和Nand flash. (1)Nor flash Nor flash存储以块为单元,写入时必须先擦除,并且擦除和写入的速度都很慢.但nor fash具有SRAM接口,有单独的地址总线和地址总线,接口简单,就像是访问ROM一样,读取速度快,能随机访问存储单元

本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处. 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B),我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K),多走了两天弯路.以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动.本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明:1.Nor读取速度比NAND稍快 2.Na

整理自NOR FLASH 与NAND FLASH 1:NandFlash与NorFlash典型电路图 Nor Flash接原理图 从上图可以看出,该NorFlash采用并行地址和数据总线, 其中,21bit地址总线,16bit数据总线. 该NorFlash最大可寻址2M的地址空间.实际上,该NorFlash大小为2M.所以,NorFlash可作内存使用.可以直接寻址每一个存储单元. NandFlash的典型原理图 NandFlash没有区分地址总线和数据总线.只有一个8bit的I/O总线.6根控

Samsung  K9F1G08U0D,数据存储容量为128M,采用块页式存储管理.8个I/O引脚充当数据.地址.命令的复用端口.详细:http://www.linux-mtd.infradead.org/nand-data/nanddata.html 芯片内部存储布局及存储操作特点: 一片Nand flash为一个设备(device),其数据存储分层为: 1(device)= 1024(blocks) 1(block)= 64(pages) 1  (page) = (数据块大小)2048 + 

讨论到eMMC的发展历程,必须要从介绍Flash的历史开始 Flash分为两种规格:NOR Flash和NAND Flash,两者均为非易失性闪存模块. 1988年,Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.NOR类似于DRAM, 以存储程序代码为主,可以让微处理器直接读取.因为读取速度较快,但晶片容量较低,所以多应用在通讯产品中,如手机. 19***,东芝公司发表NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可

EEPROM,虽然也叫“非易失性数据存储器”,但它不能直接参与ALU运算,只是用于掉电不丢失的数据存储. EEPROM和片内RAM 类似,也属于数据存储器,它的特点是数据掉电可保持,而程序存储器一般指ROM,用于存储用户程序代码. EEPROM和FLASH基本都是非易失性存储器.EEPROM应属于数据存储器,但是它制造工艺和FLASH更近似. FLASH是用于存储程序代码的,有些场合也可能用它来保存数据,当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的(运行中可擦写),但要注意FLASH的擦写次数

[导读]Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点;在现在琳琅满目的电子市场上,Flash总类可谓繁多,功能各异,而你对它了解有多少呢? 为了让大家更深入了解Flash,今天将主要根据芯片的通信协议并且结合Flash的特点,给大家一个全新认识. Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点;在现在琳琅

这里我想以一个纯玩家的角度来谈谈关于NAND Flash的底层结构和解析,可能会有错误的地方,如果有这方面专家强烈欢迎指正. NAND Flash作为一种比较实用的固态硬盘存储介质,有自己的一些物理特性,需要有基本的管理技术才能使用,对设计者来说,挑战主要在下面几点: 1.需要先擦除才能写入.2.损耗机制,有耐久度限制.3.读写时候造成的干扰会造成数据出错.4.数据的保存期.5.对初始和运行时候的坏块管理. 只有至少满足这些基本的管理技术,才能让NAND Flash成为一款可以使用的固态存储介质

片机FLASH主要用作程序存贮器,就是替代以前的ROM,最大的有有点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写,目前市场上单片机的FALSH寿命相差比较大,擦写次数从1000~10万的都有,但存储时间可以保证40年,在选用时要注意. 还有一些廉价的单片机为了集成可掉电的数据存储器,没有选用价格昂贵的 EEPROM,而用FALSH来做的,但要注意其寿命最多就10万次,而且擦写不能字节擦写,这要注意使用的场合其寿命是否满足要求. RAM是数据存储器,跟计算机里面的内存差不多,主要是用来存放程序运行中的过程

是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Electrically Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND Flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可