整理自NOR FLASH 与NAND FLASH 1:NandFlash与NorFlash典型电路图 Nor Flash接原理图 从上图可以看出,该NorFlash采用并行地址和数据总线, 其中,21bit地址总线,16bit数据总线. 该NorFlash最大可寻址2M的地址空间.实际上,该NorFlash大小为2M.所以,NorFlash可作内存使用.可以直接寻址每一个存储单元. NandFlash的典型原理图 NandFlash没有区分地址总线和数据总线.只有一个8bit的I/O总线.6根控

Flash插件地址: http://get.adobe.com/cn/flashplayer/存档版本地址: http://helpx.adobe.com/flash-player/kb/archived-flash-player-versions.htmlSolaris x86 and Sparc 版本地址: http://fpdownload.macromedia.com/get/flashplayer/installers/archive/fp_11.2.202.228_archive.z

背景 某个项目使用的介质是 spinor, 其 bootloader 需要从 flash 中加载 os. 启动速度是一个关键指标,需要深入优化.其他部分的优化暂且略过,此篇主要记录对 nor 读速度的优化过程. 了解现状 接到启动速度优化的任务之后, 首先是了解情况. 当前的 bootloader 实测读速度只有约 4M/s. 为了加快速度已经尝试过 spinor 驱动改为使用四线读命令读取数据.速度并没有明显改善.待确认改动是否生效. spinor 驱动改为使用 dma 搬运数据.尚未修改成功

计算物理地址 K9F2G08U0C是samsun出产的FLASH,容量为256MB 页--Page: (2K + 64)Byte 块--Block: (128K + 4K)Byte 128 / 2 = 64 Page 256M / 128 K  = 2048 Block 现在以第25块的30页中的24byte为例  物理地址 = 块大小×块号 + 页大小×页号 + 页内地址   = 128K x 25 + 2K x 30 + 24B = 3338264(10) = 32F018 (16) 如图

C:\Users\Administrator\AppData\Local\Google\Chrome\User Data\PepperFlash 火狐

出处:http://blog.chinaunix.net/uid-28852942-id-3992727.html这篇文章不是介绍 nand flash的物理结构和关于nand flash的一些基本知识的.你需要至少了解 你手上的 nand flash的物理结构和一些诸如读写命令 操作的大概印象,你至少也需要看过 s3c2440中关于nand flash控制寄存器的说明. 由于本人也没有专门学过这方面的知识,下面的介绍也是经验之谈. 这里 我用的 K9F2G08-SCB0 这款nand flas

出处:http://blog.chinaunix.net/uid-28852942-id-3992727.html 这篇文章不是介绍 nand flash的物理结构和关于nand flash的一些基本知识的.你需要至少了解 你手上的 nand flash的物理结构和一些诸如读写命令 操作的大概印象,你至少也需要看过 s3c2440中关于nand flash控制寄存器的说明. 由于本人也没有专门学过这方面的知识,下面的介绍也是经验之谈. 这里 我用的 K9F2G08-SCB0 这款nand fla

这篇文章不是介绍 nand flash的物理结构和关于nand flash的一些基本知识的.你需要至少了解 你手上的 nand flash的物理结构和一些诸如读写命令 操作的大概印象,你至少也需要看过 s3c2440中关于nand flash控制寄存器的说明. 由于本人也没有专门学过这方面的知识,下面的介绍也是经验之谈. 这里 我用的 K9F2G08-SCB0 这款nand flash 来介绍时序图的阅读.不同的芯片操作时序可能不同,读的命令也会有一些差别. 当然其实有时候像nand flash

代码一: #define Writeflash(addr,dat) *((volatile INT16U *)(addr<<1))=(INT16U)dat #define Readflash(addr) (*((volatile INT16U *)(addr<<1))) /*addr为读写操作的半字地址,data则为要写入的半字数据.因为ARM处理器是以字节为单位 进行数据处理的,而SST39VF160是16位数据宽度,所以,addr地址必须左移1位.*/ 代码二: //擦除是否为

(1)流水灯   1>我们来看原理图                                2>datasheet                             3>leds.c             #define GPFCON  (*(volatile unsigned long *)0x56000050)  //address      #define GPFDAT  (*(volatile unsigned long *)0x56000054)      #d

STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片,内部FLASH有1M之多.平时写的代码,烧写完之后还有大量的剩余.有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据.因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作. [STM32F4 内部Flash的一些信息] STM32F407VG的内部FLASH的地址是:0x08000000,大小是0x00100000. 写FLASH的时候,如果发现写入地址的FLASH没有被擦出,数据将不会写入.FLASH的擦除操作,只能按Sec

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A) 转载自:http://www.cnblogs.com/idle_man/archive/2010/12/23/1915303.html S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器.S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性: l        一个引导启动单元 l        Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand f

1.1 SST25VF080B简介1.1.1 主要特性 关键点:容量.速度(时钟速度.读写速度).功耗. l 容量:8MBit: l 最高SPI时钟频率:50MHz: l 低功耗模式下电流消耗:5uA,正常读模式电流:15mA:低功耗!采用不同的制造技术功耗要低很多. l 整片擦除:35ms:扇区/块擦除:18ms:字节编程:7us:整片擦除的速度要快很多! 1.2 系统框图与电路1.2.1 系统框图 关于内部存储矩阵的访问和存储结构同并行NorFlash的一致,只不过多了个串行接口,用于实现对

1.1 SST25VF080B简介 1.1.1 主要特性 关键点:容量.速度(时钟速度.读写速度).功耗. 容量:8MBit: 最高SPI时钟频率:50MHz: 低功耗模式下电流消耗:5uA,正常读模式电流:15mA:低功耗!采用不同的制造技术功耗要低很多. 整片擦除:35ms:扇区/块擦除:18ms:字节编程:7us:整片擦除的速度要快很多! 1.2 系统框图与电路1.2.1 系统框图 关于内部存储矩阵的访问和存储结构同并行NorFlash的一致,只不过多了个串行接口,用于实现对串行数据的解码

1.本节使用的nand flash型号为K9F2G08U0M,它的命令如下: 1.1我们以上图的read id(读ID)为例,它的时序图如下: 首先需要使能CE片选 1)使能CLE 2)发送0X90命令,并发出WE写脉冲 3)复位CLE,然后使能ALE 4)发送0X00地址,并发出WE写脉冲 5)设CLE和ALE为低电平 6)读出8个I/O的数据,并发出RE上升沿脉冲 (我们的nand flash为8个I/O口,所以型号为K9F2G08U0M) 1.2 nand flash 控制器介绍 在244

一.Flash与时钟系统的关系            STM32系统时钟:                 HSE 高速外部时钟,电路上焊接的外部时钟,一般是4Mhz-16Mhz,板子上的是8Mhz -->是外接的晶振,耗能高于内部,但准确度也高                  LSE 低速外部时钟,电路板上焊接的外部时钟,32.768Khz,用于RTC                  HSI 高速内部时钟,STM32内部的时钟,默认为8Mhz  -->是单片机内部的RC振荡电路     

1.本节使用的nand flash型号为K9F2G08U0M,它的命令如下: 1.1我们以上图的read id(读ID)为例,它的时序图如下: 首先需要使能CE片选 1)使能CLE 2)发送0X90命令,并发出WE写脉冲 3)复位CLE,然后使能ALE 4)发送0X00地址,并发出WE写脉冲 5)设CLE和ALE为低电平 6)while判断nRE(读使能)是否为低电平 7)读出8个I/O的数据,并发出RE上升沿脉冲 (我们的nand flash为8个I/O口,所以型号为K9F2G08U0M) 1

NOR Flash简介    NOR FLASH是INTEL在1988年推出的一款商业性闪存芯片,它需要很长的时间进行抹写,大半生它能够提供完整的寻址与数据总线,并允许随机存取存储器上的任何区域,而且它可以忍受一万次到一百万次抹写循环,是早期的可移除式闪存储媒体的基础. NOR Flash的原理 从物理层面解释,NOR闸闪存的每个存储单元类似一个标准MOSFET,除了晶体管有两个而不是一个闸极.在顶部的是控制闸(CONTROL Gate,CG),它的徐阿奴阿布是土匪以氧化物层与周遭绝缘的浮闸(F

NAND FLASH是一个存储芯片那么: 这样的操作很合理"读地址A的数据,把数据B写到地址A" 问1. 原理图上NAND FLASH和S3C2440之间只有数据线,     怎么传输地址?答1．在DATA0-DATA7上既传输数据,又传输地址     当ALE为高电平时传输的是地址, 问2. 从NAND FLASH芯片手册可知,要操作NAND FLASH需要先发出命令     怎么传入命令?答2．在DATA0-DATA7上既传输数据,又传输地址,也传输命令     当ALE为高电平时

一.s3c2440启动后会将nand flash的前4K程序复制到内部的sram中,这个过程是硬件自动完成的,但是如果我们的程序远远大于4K,这个时候就需要将程序从flash拷贝到内存中来运行了. 二.nand flash 接线图可以看出,nand flash没有地址总线,是八根数据线,SDRAM和网卡有地址总接到s3c2440的地址总线了,而nand flash没有地址线,所以他们的寻址方式不一样,SDRAM和网卡的地址是CPU可以看得见的,也就是CPU统一编址,而nand flash呢?也有

https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1   Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级