<学渣的电子技术自学笔记>--三极管的放大区.截止区与饱和区(基于NPN型) 1.放大区   三极管输出特性曲线近似水平的部分是放大区.在放大区,\(I_C=\overline{β}I_B\).因此,放大区也被称作线性区.三极管处于放大状态时,发射结正向偏置,集电结反向偏置.对NPN型而言,\(U_{CE}>U_{BE},U_{BE}>0,U_{BC}<0\).   三极管输出特性曲线   2.截止区   \(I_B=0\)的曲线以下的区域处于截止区.此时发射结处于反偏,集电

N沟道mos管和p沟道mos管负载的接法不一样,随意接的话导致VGS不满足条件:如下图N沟道接法,下拉电阻R2必须接,否则电路状态不稳定. 三极管原理类似如下图(满足三极管导通条件) NPN型三极管:若组成开关电路,则负载必须接在集电极(因为若接在发射极会导致Ib的取值同时与Rb和射集电阻Re有关,Ib=Vb/(Rb+Re)两个变量,不可控,Re取得过大导致Ib太小,无法工作在开关状态,Re取得过小导致Re上分的的电压太小,也无法使三极管饱和:接在集电极就不一样了,Ib=Vb/Rb,然后再选取合

有时,我们需要设计个滤波器滤除特定一个频率的噪音.这时就需要陷波滤波器了. 陷波器是带阻滤波器的一种,带阻滤波器的滤除频率有一定宽度,而陷波就是对某一个频率噪音的滤除. 双T型陷波滤波器应该是最常见的陷波滤波器,下面就简单介绍一下这种滤波器的特性. 最基本双T型结构如图1所示. 图 1 双T型基本结构 上图中各器件的值要满足如下的关系. C1=C2=C,C3=2C. R1=R2=R,R3=R/2 对上图中的电路列写电路方程如下: 略加计算可以得到: 可以看出上面的式子都是典型的二阶系统.所以有下

需求:传入的是函数名.属性名,想通过字符串调用函数,接近属性. 通过字符串接近.变动属性 变量:model_name, field_name # 获取 model model = AppConfig.get_model(model_name) # 获取 field_name 的值 getattr(model, field_name) # 变动 field_name 对应的值,比如 + 1 # 使用 Django F from django.db.models import F reporter

题目链接 Coloring Brackets 考虑树型DP.(我参考了Q巨的代码还是略不理解……) 首先在序列的最外面加一对括号.预处理出DFS树. 每个点有9中状态.假设0位不涂色,1为涂红色,2为涂蓝色. 0:0 0 1:0 1 2:0 2 3:1 0 4:1 1 5:1 2 6:2 0 7:2 1 8:2 2 其中1.2.3.6为有效的状态. DP的时候如果当前括号下没有子括号那么这个状态方案数为1. 先处理出第一对括号.然后处理接下来的括号. 拼接的时候如果出现()() 中间两个括号同时

1.什么是源型 漏型?什么是上拉电阻?下拉电阻?什么是 线驱动输出 集电极开路输出,推挽式输出? 我们先来说说集电极开路输出的结构.集电极开路输出的结构如图1所示,右边的那个三极管集电极什么都不接,所以叫做集电极开路(左边的三极管为反相之用,使输入为“0”时,输出也为“0”).对于图1,当左端的输入为“0”时,前面的三极管截止(即集电极c跟发射极e之间相当于断开),所以5v电源通过1k电阻加到右边的三极管上,右边的三极管导通(即相当于一个开关闭合):当左端的输入为“1”时,前面的三极管导通,而后

模电总复习之爱课堂题目概念整理 Chapter 1 1) 设室温情况下某二极管的反偏电压绝对值为1V,则当其反偏电压值减少100mV时,反向电流的变化是基本不发生变化. 2) 二极管发生击穿后,在击穿区的曲线很陡,反向电流变化很大,但两端的电压降却几乎不变. 3) 二极管的反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两类. 4) 齐纳击穿的反向击穿电压小于6V. 5) 二极管电击穿是可逆的,热击穿不可逆. 6) 在P型半导体中,多子是空穴,少子是自由电子. 7) 在P型半导体中:在室温下,当温度升高时,空穴的

回到目录 1. 恒流源 (1)简易恒流源 用BJT晶体管可以构造一个简易的恒流源,实现电路如下: 图3-11.01 前面我们在射极放大电路的分压偏置时讲过,分压偏置具有非常好的稳定性,几乎不受晶体管的β参数偏移的影响,因此可以用这个分压偏置电路来实现恒流源.其电路计算方法与分压偏置也是类似的: 基极电压VB为: 发射极电压VE为: 最终输出电流为: 当然,这个恒流源假设BJT晶体管工作在正常的放大区内,所以负载的阻值RL不能太大,否则RL上会产生过大的压降,迫使VCE变小直至小于VCEsat而进

电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件,设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的.因此怎么正确检测电子元器件就显得尤其重要,这也是电子维修人员必须掌握的技能.我在电器维修中积累了部分常见电子元器件检测经验和技巧,供大家参考. 1．测整流电桥各脚的极性 万用表置R×1k挡,黑表笔接桥堆的任意引脚,红表笔先后测其余三只脚,如果读数均为无穷大,则黑表笔所接为桥堆的输出正极,如果读数为4-10kΩ,则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极,其余的两引脚为桥堆的交流输入端. 使用数字万用表时只需将档位打

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

/**************************************************************************//** * @file main.c * @version V3.00 * $Revision: 3 $ * $Date: 15/09/02 10:03a $ * @brief Demonstrate how to set GPIO pin mode and use pin data input/output control. 演示如何设置GPI

作者:BakerZhang 链接:https://www.jianshu.com/p/3ac3a29b0f58来源:简书 感谢! —————————————————————————————————————————————— 第一部分:上拉电阻&下拉电阻 文章摘自:http://www.360doc.com/content/16/0315/06/29864439_542282998.shtml 是不是经常听别人讲,加个上拉电阻试试看,加个下拉电阻试试看,是不是还在疑惑上下拉电阻是什么,该怎么用,什

回到目录 和前面介绍二极管的PN结的工作原理一样,BJT的量子级工作机制也非常复杂,一般教科书上为了帮助学习者能快速理解,也都是用一种简化模型的方法来介绍BJT的工作机理,一般只需大致了解即可.只要记住关键的一点:BJT本质上是一种流控电流源(CCCS).它可以用一个较小的基极电流控制一个较大的集电极电流.与此类似的,晚几年发明的场效应管(FET)是一种压控电流源(VCCS),它用一个较小的电压来控制一个较大的电流. 1.   BJT的结构 BJT由三层掺杂半导体构成,下面是npn型和pnp型B

PSpice A/D9.1个别时候可能会出现异常现象,例如:某一步后,突然电路图的电源极性被自动改变了!造成直流电压和直流电流不正常,输出无波形.所以应该趁正常的时候做好备份是明智的. PSpice A/D9.1没有提供变压器仿真,但是可以用一个磁芯和3只电感来模拟. PSpice A/D9.2提供了变压器仿真库模块. 默认环境温度是27℃. 电阻的单位是:(Ω)(默认),K(Ω),MEG(MΩ):允许使用4R7.4K7的标注方法:但是,0.1Ω不能标成容易混淆的R1,也不支持4M7或4MEG7

4.2 功率半导体器件概述 功率半导体设计中最根本的挑战是获得高击穿电压,同时保持低正向压降和导通电阻.一个密切相关的问题是高压低导通电阻器件的开关时间更长.击穿电压,导通电阻和开关时间之间的折衷是各种功率器件的关键区别特征. 反向偏置的PN结及其相关的耗尽区的击穿电压是掺杂程度的函数:在PN结的至少一侧的材料中,获得高击穿电压需要低掺杂浓度,从而导致高电阻率.该高电阻率区域通常是设备导通电阻的主要贡献者,因此高压设备必定具有比低压设备更高的导通电阻.在多数载流子元件(单极型器件)中(包括MOS

1 三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化.有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下: MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化.有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管): 2 三极管和MOS管的正确应用 (1)P型三极管,适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况.只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V

首先咱们要搞清楚咱们自动刷机的原理,不谈修改固件那么高深的东西,简单的就是控制开机键. 使用继电器来控制基本上算是上个世纪的想法吧,之前博主也做过,做出来的感觉其实也很不错,就像是一个收藏品.因为继电器体积庞大,而且在工作的时候,吸合动作耗费的能量也比较大,不过最终效果还是不错的. 今天博主换了个思路,使用一个三极管来做开关,如果有朋友学过一些数字电路基础,应该秒懂其中的奥妙,但是对于不太懂数字电路的朋友来说就有点云里雾里了.一个小小的三极管怎么做开关呢? 博主先要给个三极管的简单介绍: 三极管

在上一篇博客<TensorFlow之DNN(一):构建“裸机版”全连接神经网络>中,我整理了一个用TensorFlow实现的简单全连接神经网络模型,没有运用加速技巧(小批量梯度下降不算哦)和正则化方法,通过减小batch size,也算得到了一个还可以的结果. 那个网络只有两层,而且MINIST数据集的样本量并不算太大.如果神经网络的隐藏层非常多,每层神经元的数量巨大,样本数量也巨大时,可能出现三个问题: 一是梯度消失和梯度爆炸问题,导致反向传播算法难以进行下去: 二是在如此庞大的网络中进行训

TTL与非门(TTL推挽式与非门)是TTL集成逻辑门的一种,主要由三极管和二极管构成.如图(a)所示,它由输入级,中间级,输出级三部分组成.TTL与非门的优点在于输出阻抗低,带负载能力强,工作速度快.下面我们详细分析电路各部分功能. 规定输入输出电位小于0.8V为低电平,大于2V为高电平.电路三极管为NPN型,NPN型三极管(T1为多发射极NPN三极管)构造如图(b)所示,一般三极管有以下特性: ♦ 当VBE>0.7V时,称发射结施加正偏电压,三极管导通:当VBE<0.7V时,称发射结施加反偏

个人常用 扬声器 spearker 计量表(电流表,电压表) meter 变压器 Trans CT 肖特基二极管 D Schotty 额外补充 英文名称       中文释义 2N3904  NPN型通用放大器 2N3906  PNP型通用放大器 ADC-8   通用的8位AD转换器 Antenna 天线 Battery   电池组 Bell  铃 Bridgel   整流桥堆 Buzzer    蜂鸣器 Cap 电容 Cap Feed       穿心电容器 Cap Semi       半导