Rt = R *EXP(B*(1/T1-1/T2))这里T1和T2指的是K度即开尔文温度,K度=273.15(绝对温度)+摄氏度:其中T2=(273.15+25)Rt 是热敏电阻在T1温度下的阻值: R是热敏电阻在T2常温下的标称阻值: B值是热敏电阻的重要参数: EXP是e的n次方: 求T1 =ln(Rt/R)/B+1/T2C程序: #include "math.h" const float Rp=10000.0; //10K const float T2 = (273.15+25.

什么是NTC NTC是热敏电阻,其电阻值对温度变化敏感,在不同的温度下,可以呈现不同的电阻值. 热敏电阻有两类,一类是负温度系数电阻(NTC),温度增加时,电阻值降低,另一类是正温度系数电阻(PTC),温度增加时,电阻值增加. 热敏电阻的电阻值计算 NTC的电阻值R与温度的关系可以近似表示为: 公式1,电阻与温度函数关系式 其中T是绝对温度,数值为摄氏温度+273.15,单位为K(开尔文). R0一般取温度25℃即298.15K时的电阻值,对应的T0取25℃,即298.15K. B为材料常数．不

软件环境:CodeWarrior 11.1 硬件环境:NXP S9KEAZ64A 传感器参数:NTC热敏电阻(R25 = 50k,B25-50 3950) 写在前面 最近做小项目需要用到NTC电阻,因此写一个调试备忘录记录下. 什么是NTC电阻? NTC热敏电阻就是负温度系数的电阻,当温度升高时,电阻降低(反之则为PTC电阻).NTC电阻灵敏度高,温度分辨率高,但 是测量温度范围较窄,通常低于100摄氏度. NTC电阻与温度之间的关系 NTC热敏电阻温度和电阻关系最常见的公式就是如下图基于参数“

c#获取cpu温度 很早一个项目做远控,所以需要用到获取cpu温度,但是就是不知从何下手,无意中发现了Open Hardware Monitor,令我的项目成功完成 亲测20台清装xp sp2的机器,无问题,Windows 7和Windows 8 也测试过,无问题..当然,此库可不止能获取cpu温度!! Open Hardware Monitor可以支持大部分常见的主板芯片与硬件组件,监控包含主板.CPU.硬盘.显示卡.装置的电压.温度.风扇转速与运作频率. 即时负载等信息. 下载地址:http

一.计算公式 补充: B=3950 R=10K T2=25度 查RT表,25度对应的是10K 电路: 热敏电阻与上拉电阻R813分压,获取温度与Vo电压的关系,在根据Vo折算出与MCU ADC的数值. 再将ADC代出Rt,即得到ADC与T的关系公式. 二.C实现 NTC 热敏电阻温度计算公式:Rt = R EXP(B(1/T1-1/T2)) 其中,T1和T2指的是K度,即开尔文温度. Rt 是热敏电阻在T1温度下的阻值. R是热敏电阻在T2常温下的标称阻值.100K的热敏电阻25℃的值为10K(

现在常用的SPICE仿真软件为方便用户使用都提供了较好的用户界面,在用仿真库中的元器件连成原理图后就可以进行仿真(当然要设置必要的仿真参数),但实际上只是用原理图自动产生了SPICE的格式语句,还是要通过读取语句来进行仿真,这是历史的遗留问题.在当时的技术条件下,不能用图形方式输入电路结构,只能通过文本文件来描述,也就是所谓网表.SPICE软件的设计者规范了要进行仿真的电路对应的SPICE网表文件格式,还定义了许多仿真描述语句和分析控制语句等,使仿真软件能通过读取这些特殊信息来进行相关计算和运行

基于自适应算法的PLC滴灌控制系统 陕西中际现代包装科技有限公司滴灌部 1.介绍 水资源正在成为一种珍贵的资源.城镇的市民使用成千上万立方的水来浇灌花园和绿地.他们依赖于使用固定灌溉计划的控制器.而这些控制器通常被编程为满足最大用水量,最终在凉爽的或阴天的日子里浪费了大量的水.农民的滴灌和喷灌系统也使用固定的灌溉控制器,因此在凉爽的日子里也浪费了大量的水,而且在生长季节开始,庄稼对水的需求是最小的. 本工作目的是开发开发自动的灌溉系统,使用单一的气候标准调整作物所需要的灌水深度.标准如:气温,总

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一位工程师曾经对我讲,他从来不看MOSFET数据表的第一页,因为“实用”的信息只在第二页以后才出现.事实上,MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息.但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据.本文概括了一些MOSFET的关键指标,这些指标在数据表上是如何表述的,以及你理解这些指标所要用到的清晰图片.像大多数电子器件一样,MOSFET也受到工作温度的影响.所以很重要的一点是了解测试条件,所提到的指标是在这些条件下应用的.还有很关键的一点是弄明白你在“产品简介”里看到的这

本文由作者张迎贞授权网易云社区发布. APP性能测试除了需要监控PCU.内存占用.流量等,还需要获取APP的电量数据,测试在可接受范围内,避免APP出现过度消耗电量的现象.手机有很多硬件模块:CPU,蓝牙,GPS,显示屏,Wifi,射频(Cellular Radio)等,在手机使用过程中,这些硬件模块可能处于不同的状态,譬如WIFI打开或关闭,屏幕是亮还是暗,CPU运行或休眠. 硬件模块在不同的状态下的耗电量是不同的.Android在进行电量统计时,并不是采用直接记录电流消耗量的方式,而是跟踪硬

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基于多级反馈环形振荡器的真随机数发生器设计 摘要 真随机数生成器(trng)在加密系统中起着重要的作用.本文提出了一种在现场可编程门阵列(FPGA)上生成真随机数的新方法,该方法以 多级反馈环形振荡器(MSFRO) 的随机抖动为熵源.在传统环形振荡器的基础上,增加了多级反馈结构,扩大了时钟抖动的范围,提高了时钟采样频率和熵源的随机性.与传统的时钟采样结构不同,我们利用MSFRO产生的时钟抖动信号对FPGA的锁相环(PLL)产生的时钟信号进行采样.对得到的输出值进行异或运算,以减小输出值的偏差,提

转自:http://www.360doc.com/content/14/0116/16/15528092_345730642.shtml 以及参考网络. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用. 这部分的讲述运用DDR3的简化时序图.DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格. 和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格, 这就是内存芯片寻址的基本原理

这两天正在学习FPGA如何控制DDR3的读写,找到一篇个人感觉比较有意义的文章,可以对DDR的内部结构有一个初步的了解.原文出处:http://blog.chinaunix.net/uid-28458801-id-3459509.html,感谢大神的付出. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的 内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(R

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