NAND Flash可以划分为SLC.MLC和TLC SLC:单阶存储单元,读写速率快,可擦写次数高 MLC和TLC:多阶存储单元,MLC每个存储单元中存储2 bit数据,可以表示四种数据:SLC每个存储单元中存储3 bit数据,可以表示8中数据,容量大,成本低 SLC在编程时是按页顺序编程的,先编程第一页,再编程第二页,以此类推 TLC在编程时是按照progOrder编程的,下面以Micron B17A为例,介绍一下TLC的多pass编程. 根据Micron B17A的颗粒手册可知:B17A采