W25Q16V 是华邦出的一颗 spi flash. 25系列是比较通用的一个系列. 后面的数字 16 跟容量有关, 16 表示 16Mbits, 相当于 2MB. 与此类似的还有 W25Q128V 等, 128 就表示容量 16MB. 对于 W25Q16V: page 为最大的编程单位. 1 page = 256 bytes sector 为最小的擦除单位, 1sector = 16 pages = 4096 bytes (4KB) 块擦除有两种大小: 32K block = 8 secotr

前言 大多数玩单片机的人都知道Jlink可以烧写Hex文件,作为ARM仿真调试器,但是知道能烧写SPI Flash的人应该不多,本篇文章将介绍如何使用JLink来烧写或者读取SPI Flash存储器,JLink软件包含的工具中,有一个是JFlashSPI工具,这就是一个烧写和读取SPI存储器的工具了. 准备 要烧写程序或读取程序的的Flash芯片:SPI协议的Flash都可以,如W25Q128. JFlashSPI软件工具:在Jlink系列软件的安装目录下 JLink V9仿真器 要烧写的文件:

前言:    在嵌入式开发中,如uboot的移植,kernel的移植都需要对Flash 有基本的了解.下面细说一下标题中的中Flash中的关系 一,Flash的内存存储结构    flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash. NorFLASH使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,在小容量时有很高的性价比,这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM.    相对于NorFLASH,NandFLASH强调更高的性能,更

引言 经过前面的分析和介绍,我们对ORPSoC的启动过程(http://blog.csdn.net/rill_zhen/article/details/8855743)和 ORpSoC的debug子系统(http://blog.csdn.net/rill_zhen/article/details/9045837)有了初步的了解, 但是对于启动和debug前的工作还没有仔细分析过.比如FPGA是怎么config的,orpmon是怎么load的,是如何事先烧到外部的flash里的,等等. 本小节就试

读取厂家\设备 ID 发送 90H 指令,再发送 00h 的地址,然后接收即可. 代码如下: void SPIFlashReadID(int *pMID, int *pDID) { SPIFlash_Set_CS(0); /* 选中SPI FLASH */ SPISendByte(0x90); SPIFlashSendAddr(0); *pMID = SPIRecvByte(); *pDID = SPIRecvByte(); SPIFlash_Set_CS(1); } 两个状态寄存器 通过状态寄

背景: MCU:STM32F207 SPI flash: Winbond W25Q16BV OS: RTT V1.1.1 bsp: STM32F20x 1 将spi_core.c,spi_dev.c及spi.h三个文件加入工程 spi_core.c,spi_dev.c这两个文件位于RTT\components\drivers\spi目录下,而spi.h头文件位于RTT\\components\drivers\include\drivers目录下. 可在MKD工程的Drivers组下将上面两个源文

转自:http://m.elecfans.com/article/778203.html 本文主要是关于SPI FLASH与NOR FLASH的相关介绍,并着重对SPI FLASH与NOR FLASH的区别进行了详细的区分. SPI FLASH 首先它是个Flash,Flash是什么东西就不多说了(非易失性存储介质),分为NOR和NAND两种(NOR和NAND的区别本篇不做介绍).SPI一种通信接口.那么严格的来说SPI Flash是一种使用SPI通信的Flash,即,可能指NOR也可能是NAN

1.SPI FLASH的基本特征 本文实现用FPGA来设计SPI FLASH,FLASH型号为W25Q128BV.支持3种通信方式,SPI.Dual SPI和Quad SPI.FLASH的存储单元无法写入bit 1,只能写入bit 0,所以写入数据之前要将原来的数据擦除(FFh),遇到写入bit 1的情况不作处理.W25Q128BV的特征为如下图所示: 2.SPI FLASH的基本结构 W25Q128BV由Block0~Block255共256个Block组成,容量大小为256*64KB=256

一设计功能 对SPI_flash进行扇区擦除,分为写指令和扇区擦除两个时序部分. 二设计知识点 我简单理解flash,第一它是掉电不丢失数据的存储器,第二它每次写入新数据前首先得擦除数据,分为扇区擦除和全擦擦. 下面讲讲我自己亲自动手设计的原创代码过程: 自己设计过程: 第一步:就先看了SPI FLASH文档,了解SPI FLAHS的原理:先有写使能信号及其时序波形,然后是扇区擦除指令和地址及时序波形,再是延时3秒回到初始状态. 第二步:自己画出所有的状态及其转移图,还是就是用线性序列机表达写使

1.SPI Flash (即SPI Nor Flash)是Nor Flash的一种: 2.NOR Flash根据数据传输的位数可以分为并行(Parallel)NOR Flash和串行(SPI)NOR Flash: 3.SPI Nor Flash每次传输一个bit位的数据,parallel Nor Flash每次传输多个bit位的数据(有x8和x16bit两种): 4.SPI Nor Flash比parallel便宜,接口简单点,但速度慢. SPI FLASH是指外接口符合SPI协议,也就是串口.

如果从头开始做SPI Flash固化是有一些麻烦的,要在完成综合之后,打开 synthesized Design (图) (图) 然后在synthesized Design打开状态下,选择Tools->Edit Device Properties编辑器件属性 (图) 我们这个FPGA有16MFlash,是Master SPIx1,大家有兴趣可以看一下Xilinx官网配置,你在此处修改都会保存在已经激活的xdc文件 (图) (图) (图) Finish就可以了,把synthesis去掉 (图) 我

学习目标: 1.了解nor flash存储芯片的概念和特性 2.掌握使用s3c2440芯片对外挂的nor flash进行读写擦除操作 1.NOR Flash的简单介绍 NOR Flash最早是由Intel公司于1988年开发出的,是现在市场上两种主要的非易失性存储器之一,它的出现彻底改变了存储器市场上由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Progr

W25Q80BV是台湾华邦电子(Winbond)生产的8M-bit串行flash芯片.主要特性有: 工作电压:2.5 ~ 3.6 V 功耗:读写(active)时4mA,低功耗(power-down)时<1μA 容量:8M-bit/1M-byte,包含4096个页(每页大小256字节) 接口:Standard/Dual/Quad SPI,支持时钟频率最高104MHz 支持以4/32/64k-bytes为单位进行Sector/Block擦除 一次写入最多256字节 软件/硬件写保护功能 大于10万

openwrt spi flash 分区适配过程 这里基于 openwrt mt7620a 平台来跟踪,主要是想理清 dts 里的分区描述是如何一步步转化成内核分区行为. 先来看看 dts 中关于分区的描述: palmbus@10000000 { spi@b00 { status = "okay"; m25p80@0 { #address-cells = <1>; #size-cells = <1>; compatible = "w25q128&quo

参考博文: 博文很长,但是实际要操作的步骤没几下. http://m.elecfans.com/article/730878.html  为了防止几年后文章链接找不到,我把文章复制过来了 /**********************************************转载注明出处 http://m.elecfans.com/article/730878.html  Start******************************************************

2020年,这个给大家一种很漫长的恍惚感的一年,终于是过去了.这一年我们很多新的人生第一次就这么被发生了,第一次居家办公这么长时间(很多人肥膘都长了不少,我却瘦了2斤,不知是工作太积极了还是被家里小怪兽给折磨的),第一次戴口罩这么长时间(大大超过了前两年北方雾霾严重的时候),第一次大家见面打招呼可以调侃一句"核酸"了没(北京人回答:"阴着呢"),第一次学生和老师这两个角色在非培训班的时候要上网课(此处家长两行泪),第一次在外留学生这么想回国,第一次这么多国人吃瓜看美

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Flash有掉电数据保存的特点,RAM掉电则数据丢失,但是RAM的速度更高,擦写次数理论上没有限制,而Flash则不行. Nand Flash相比其余的几种flash优势在于可擦写次数多,擦写速度快,但是在使用以及使用过程中会出现坏块因此需要做特殊 处理才可以使用.其主要用于数据存储,大部分U盘都是Nand Flash. Nor Flash读写时序类似于SRAM,只是写的次数较少,速度也慢,由于其读时序类似于SRAM,读地址是线性结构,多用于程序代码的 存储. SPI Flash同Nand Fl

由于altera公司的epcsxxx芯片比较贵,所以一般用其它公司的spi flash芯片代替也可以.据AlteraFAE描述:“EPCS器件也是选用某家公司的SPIFlash,只是中间经过Altera公司的严格测试,所以稳定性及耐用性都超过通用的SPIFlash” 如ST 的M25P10-A, M25P40, M25P16 和 M25P64正好可以替代Altera 的EPCS1, EPCS4, EPCS16 和 EPCS64

大体上可分为以下几个部分: 1.注册设备驱动 spi_register_driver 2.分配 mtd_info 结构体 3.配置 mtd_info 结构体 4.注册 mtd_info 结构体 构建 spi_driver 并注册 static struct spi_driver spi_flash_drv = { .driver = { .name = "spi_flash", .owner = THIS_MODULE, }, .probe = spi_flash_probe, .re