一. 要保证正确地读/写,必须注意CPU时序与存储器读/写周期的配合.一般存储器芯片手册都会给出芯片读/写周期的时序图. Intel 2114芯片的读.写周期时序如图所示. 二. 读周期 读操作时,必须保证片选信号为低电平,读写信号为高电平.tRC (读周期时间):指对芯片连续两次读操作之间的最小间隔时间.tA (读出时间):从给出有效地址后,经过译码电路.驱动电路的延迟,到读出所选单元内容,并经I/O电路延迟,直到数据在外部数据总线上稳定出现所需的时间.显然,读出时间小于读周期时间.tCO (

自己写的SRAM的程序,主要在于实用性,适应工作的工程需要.使用芯片为: 芯片时序图为: 代码: /********************************Copyright************************************** **----------------------------File information-------------------------- ** File name : ZF_SRAM.v ** CreateDate :2014.11

测试系统为:Centos 6.7 Python版本为: 3.6.4 脚本功能:查看指定磁盘的读写及时间等相关信息 #!/usr/bin/env python3 from collections import namedtuple Disk = namedtuple('Disk','major_number minor_number device_name read_count read_merged_count read_sections time_spent_reading write_cou

固态硬盘ssd写入量剩余读写次数怎么查 为什么要查固态硬盘的写入量呢,主要是因为闪存是有写入次数限制的,所以查次数就是看看寿命还有多少,说白了这是对耐久度的一点担忧.其实目前原厂出品的固态硬盘,即便是TLC闪存在家用条件下用满三五年也毫无问题,不过为了心中有个底儿,能随时查到写入量还是更放心.固态硬盘的SMART(Self Monitoring Analysis And Reporting Technolog,自我监测分析与报告技术)信息当中就包含了读取和写入量的信息.   就像HDTune是机

下面谈谈当存储字节的过程是怎样的:下面的示意图显示的也仅仅是最简单状态下的情况,当内存条上仅剩一个RAM芯片的情况.对于X86处理器,它通过地址总线发出一个具有22位二进制数字的地址编码--其中11位是行地址,11位是列地址,这是通过RAM地址接口进行分离的.行地址解码器(row decoder)将会首先确定行地址,然后列地址解码器(column decoder)将会确定列地址,这样就能确定唯一的存储数据的位置,然后该数据就会通过RAM数据接口将数据传到数据总线. 需要注意的是RAM内的部存储信

iso15693芯片读写工具套件 icode-slix2读写 nfc type 5 tag读写校验套件 iso15693工具套件支持icode-slix,icode-slix2芯片的读写,支持iso15693协议芯片的读写. 可定制添加支持其他功能.支持数据块的读功能,写功能.支持一键读出所有数据块内容功能. 支持读出卡片系列号UID功能. 套件包含读写器和软件.客户可以一键读出icode芯片所有内容,实现快速查看芯片内容是否写入正确. 软件由天安信技术专业开发,采用直接运行方式,软件占用存储空

一.磁盘 I/O 的概念 I/O 的概念,从字义来理解就是输入输出.操作系统从上层到底层,各个层次之间均存在 I/O.比如,CPU 有 I/O,内存有 I/O, VMM 有 I/O, 底层磁盘上也有 I/O,这是广义上的 I/O.通常来讲,一个上层的 I/O 可能会产生针对磁盘的多个 I/O,也就是说,上层的 I/O 是稀疏的,下层的 I/O 是密集的. 磁盘的 I/O,顾名思义就是磁盘的输入输出.输入指的是对磁盘写入数据,输出指的是从磁盘读出数据.我们常见的磁盘类型有 ATA.SATA.FC.

开发电子产品时,常常需要断电后保存某些数据,这就需要使用 FLASH或EEPROM芯片,这两种芯片,可擦除的次数是有限制的,通常FLASH为10万次,EEPROM要多一点,为100万甚至1000万次. FLASH的擦除不能单个字节进行,有一个最小单位,存储容量相对比较大,适合大量数据的存储:EEPROM可以单个字节进行擦除,存储容量不大,只适合存储少量的设置数据.   先以FLASH和EEPROM需要写入一个字节为例来说明新数据是如何写入的.假定都是在首地址要写入新数据0x55.不管是FLASH

STM32F103是一款高性价比.多功能的单片机,配备常用的32位单片机片外资源,基于ARM Cortex-M3的32位处理器芯片,片内具有256KB FLASH,48KB RAM ( 片上集成12Bit A/D.D/A.PWM.CAN.USB.SDIO.FSMC等资源).是应用的较为广泛的一款单片机, 内置48KB RAM在产品设计过程中如需要外扩SRAM存储器,采用一款由VTI科技公司推出的VTI7064专用STM32单片机外扩的串口SRAM,电源电压范围从4.5V到5.5V,其典型电压值为

1.使用ST-LINK V2下载器连接到STM32芯片, 点击Connect: 2.存在读保护: 3.修改选项字节(Option Bytes... ): 4.将读保护修改为Disabled. 5.打钩的扇区会添加写保护,点击Unselect all不选择写保护. 6.最后点击Apply,写入选项字节后Flash会被擦除. 7.能正常写入程序. 参考:https://blog.csdn.net/hxiaohai/article/details/78546431

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静态存储器SRAM是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的存储器.在SRAM 存储阵列的设计中,经常会出现串扰问题发生.那么要如何减小如何减小SRAM读写操作时的串扰,以及提高SRAM的可靠性呢,下面宇芯来简单介绍. 设计结果与仿真分析图1为脉冲产生电路通过analog Environment的仿真波形图.当地址产生变化,由于信号经过的延迟路径长短不同而产生了脉冲,当V1脉冲生成时,作为灵敏放大器输入端电位平衡的控制信号,缩短了预充时间,大大提高了读取速度.V2 作为位线预充电路的控制信号,

字节控制功能.支持高/低字节控制. 看看实现 IS62WV51216 的访问,需要对 FSMC进行哪些配置. 这里就做一个概括性的讲解.步骤如下: 1)使能 FSMC 时钟,并配置 FSMC 相关的 IO 及其时钟使能. 要使用 FSMC,当然首先得开启其时钟.然后需要把 FSMC_D0~15,FSMCA0~18 等相关IO 口,全部配置为复用输出,并使能各 IO 组的时钟. 使能 FSMC 时钟的方法: RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENAB

1. SRAM芯片的引脚定义早期的SRAM 芯片采用了20 线双列直插(DIP:Dual Inline Package)封装技术,它们之所以具有这么多的针脚,是因为它们必须:• 每个地址信号都需要一根信号线• 一根数据输入线和一根数据输出线• 部分控制线(Write Enable, Chip Select)• 地线和电源线下面的是一个16K x 1-bit SRAM 芯片的针脚功能示意图: • A0-A13 是地址输入信号引脚• /CS 是芯片选择引脚,在一个实际的系统中,一定具有很多片SRAM

十五.串口发送图片数据到SRAM在TFT屏上显示 之前分享过rom存储图片数据在TFT屏上显示,该方法只能显示小点的图片,如果想显示TFT屏幕大小的图片上述方法rom内存大小不够.小梅哥给了个方案,利用串口将图片数据传给SRAM,传完后在从SRAM中读取图片数据进行显示.有了梅哥的提示后就开始动工了,首先是设计SRAM的控制程序. SRAM(静态随机访问存储器)是一种半导体存储器.“静态”一词表明只要有电源供电,数据就会保存,而不会“动态”改变. 本实验平台是基于小梅哥出品的芯航线FPGA开发平

字节控制功能.支持高/低字节控制. 看看实现 IS62WV51216 的访问,需要对 FSMC进行哪些配置. 这里就做一个概括性的讲解.步骤如下: 1)使能 FSMC 时钟,并配置 FSMC 相关的 IO 及其时钟使能. 要使用 FSMC,当然首先得开启其时钟.然后需要把 FSMC_D0~15,FSMCA0~18 等相关IO 口,全部配置为复用输出,并使能各 IO 组的时钟. 使能 FSMC 时钟的方法: RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENAB

一.SRAM概述 SRAM主要用于二级快速缓存(Level2 C ache). 它利用晶体管来存储数据.与DRAM相比,SRAM的速度快,但在同样面积中SRAM的容量要比其它类型的内存小. 大部分FPGA器件採用了查找表(Look Up Table,LUT)结构. 查找表的原理类似于ROM,其物理结构是静态存储器(SRAM), N个输入项的逻辑函数能够由一个2^N位容量的SRAM实现, 函数值存放在SRAM中,SRAM的地址线起输入线的作用,地址即输入变量值,SRAM的输出为逻辑函数值.由连线开

本例演示用的软硬件: 片内外设驱动库:STM32CubeF41.24.1的HAL库1.7.6,2019年4月12日 IDE:MDK-ARM 5.28.0.0,2019年5月 开发板:片外SRAM挂在FSMC_NORPSRAM3,16bit×219=1MiB 本例的目的是让编程人员使用片外SRAM就像使用片内SRAM一样,即不用把任何变量声明到指定的RAM地址.连接器也能自动地把片外SRAM作为变量的存储空间 如果把所有需要被放到片外SRAM的变量用__attribute__((at())).指针

本例演示用的软硬件: 片内外设驱动库:STM32CubeF41.24.1的HAL库1.7.6,2019年4月12日 IDE:MDK-ARM 5.28.0.0,2019年5月 开发板:片外SRAM挂在FSMC_NORPSRAM3,16bit×219=1MiB 本例的目的是让编程人员使用片外SRAM就像使用片内SRAM一样,即不用把任何变量声明到指定的RAM地址.连接器也能自动地把片外SRAM作为变量的存储空间如果把所有需要被放到片外SRAM的变量用__attribute__((at())).指针等

SRAM即静态随机存取存储器.它是具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路便能保存它内部存储的数据.在工业与科学用的很多子系统,汽车电子等等都用到了SRAM.现代设备中很多都嵌入了几千字节的SRAM.实际上几乎所有实现了电子用户界面的现代设备都可能用上了SRAM,如数码相机.手机.音响合成器等往往用了几兆字节的SRAM. 实时信号处理电路往往使用双口的SRAM.下面介绍一下关于静态存储SRAM芯片的设计   一个SRAM基本单元有0和1两个电平稳定状态.   SRAM基本单元主要由两个CMOS反相

传统存储器的技术局限以及不断缩小的制造尺寸所带来的巨大挑战促使科研人员开始寻找新一代存储器件,它应具有接近静态存储器的纳秒级读写速度,具有动态存储器甚至闪存级别的集成密度和类似Flash的非易失性存储特性. “万能存储器”概念作为新一代存储器的要求被提出来.自旋转移矩—磁随机存储器器件(Spin Transfer Torque - Magnetic RandomAccess Memory:STT-MRAM)就是一种接近“万能存储器”要求的极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案. 类比地球的公转与