在我们应用开发时,经常会有一些程序运行参数需要保存,如一些修正系数.这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,而STM32F103内部的Flash容量较大,而且ST的库函数中还提供了基本的Flash操作函数,实现起来也比较方便. 以大容量产品STM32F103VE

今天在进行STM32内部falsh存储的时候,发现固件库历程的函数原型是这样的: 第一个是地址,在我的STM32中是2K一页的,第二个是要写入的数据. 问题就来了,存储一个小数该怎么办呢?固件库给的是整形数据啊! 三种解决办法: 第一:最具大众性的 把小数乘以系数放大,当做整数存储,然后再除以放大系数得到小数本身.例如 float  a=1.23; int b=a*100;把b存进去,取出来的时候再除以100,就可以得到小数a了.这是最简单可能也是最好想到的了,但同时,这也是最麻烦的了.稍有C语

​ /* Base address of the Flash sectors */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint

嵌入式闪存 闪存存储器有主存储块和信息块组成 大容量产品主存储块最大为64K×64位,每个存储块划分为256个2K字节的页 编程和擦除闪存 闪存编程一次可以写入16位(半字) 闪存擦除操作可以按页面擦除或完全擦除(全擦除).全擦除不影响信息块 编程过程 页擦除过程 操作步骤 1.解锁 2.读操作 3.擦除操作 4.写操作 5.获取FLASH状态 6.锁定 举例 #define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 #define STM32_PAGE_NUM 256 #defi

一.介绍 首先我们需要了解一个内存映射: stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片flash大小不同. RAM起始地址是0x2000 0000,结束地址是0x2000 0000加上芯片的RAM大小.不同的芯片RAM也不同. Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据,断电不丢失, RAM可以理解为内存,用来存储代码运行时的数据,变量等等.掉电数据丢失. STM32将外设等都映射为地址的形式

第50章     读写内部FLASH 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F4xx规格书>.库说明文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>. 50.1 STM32的内部FLASH简介 在STM32芯片内部有一个FLASH存储器,它主要用于存储

因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /******************************************************************************** Function Name  :

源:STM32 对内部FLASH读写接口函数 因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /***************************************************************************

Flash 中文名字叫闪存,是一种长寿命的非易失性(断电数据不丢失)的存储器.可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程,在进行写入操作之前必须先执行擦除.一个Nand Flash由多个块(Block)组成,每个块里面又包含很多页(page).每个页对应一个空闲区域/冗余区域(spare area),这个区域不是用来存储数据的,用于放置数据的校验值检测和纠错的.块,是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位.页,是Nand Flash的写入操作的基本/最小的单位. 首先简要写一下FLASH

@20119-01-29 [小记] STM32擦除内部FLASH时间过长导致IWDG复位分析

我们的项目中需要保存一些系统配置参数,这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.这就需要考虑这些参数保存的问题.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,恰好有些MCU拥有比较大的FLASH,使用少量来存储这些参数则既方便有经济.STM32F4的Flash架构如下: 这次NUCLEO-F412ZG测试板上

说到STM32的FLSAH,我们的第一反应是用来装程序的,实际上,STM32的片内FLASH不仅用来装程序,还用来装芯片配置.芯片ID.自举程序等等.当然, FLASH还可以用来装数据. FLASH分类 根据用途,STM32片内的FLASH分成两部分:主存储块.信息块. 主存储块用于存储程序,我们写的程序一般存储在这里. 信息块又分成两部分:系统存储器.选项字节. 系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序(BootLoader),当使用ISP方式加载程序时,就是由这个程序执行.这个

一.内容概述  采用STM32内部自带USB控制器外加大页NAND FLASH K9F1G08U0A实现一个128M的U盘. 1.STM32的USB控制器 STM32F103的MCU自带USB从控制器,符合USB规范的通信连接:PC主机和微控制器之间的数据传输是通过共享一专用的数据缓冲区来完成的,该数据缓冲区能被USB外设直接访问.这块专用数据缓冲区的大小,由所使用的端点数目和每个端点最大的数据分组大小所决定,每个端点最大可使用512字节缓冲区,最多可用于16个单向或8个双向端点.USB模块同P

STM32中存储区分为:随机存取存储器RAM和只读存储器ROM. 其中: RAM为常说的内存,比如手机的2G内存4G内存等,就是程序跑起来的时候所占用的存储空间,特点是掉电数据丢失. ROM为常说的硬盘,比如手机的64G和128G等,可以简单的理解为硬盘的存储空间,特点是掉电数据不丢失,所以又叫“非易失性存储器件”.  ROM又包含:EEPROM和flash. 画个嵌入式产品存储器件的思维导图如下(如有什么地方不对,恳请大神们进行指正):  作为ROM的一份子,flash的特点自然是掉电数据不丢

前言 上一篇Jlink系列文章介绍了如何使用J-Flash来下载Hex或Bin文件到单片机,具体可参考Jlink使用技巧之单独下载HEX文件到单片机,本篇文章介绍,如何使用JFlash来读取单片机的程序,学习单片机程序文件的读取,不是为了破解别人的程序,而是学习破解的原理,从而更好保护自己的程序不被破解,希望大家也能尊重他人的劳动成果. JFlash的下载和安装 首先,安装JFlash软件,安装完成后,会默认安装JLink驱动程序,主要包含以下几个工具: JFlash,主要用于程序下载和读取.

定义一个全局变量数组:const u8 TEXT_Buffer[]={"STM32F103 FLASH TEST"};    //u8和char* 写入到内存里会有什么区别???????不都是0101吗,难道一个元素占的位置大小不同????? #define SIZE sizeof(TEXT_Buffer)                        //数组长度 sizeof是一个函数 ,函数的作用是求出括号里参数的长度#define FLASH_SAVE_ADDR  0X0807

012_STM32程序移植之_内部flash开机次数管理lib库建立 1. 测试环境:STM32C8T6 2. 测试接口: 3. 串口使用串口一,波特率9600 单片机引脚------------CH340引脚 VCC--------------------VCC GND-------------------GND PA9--------------------RXD PA10-------------------TXD 1.       紧接011,下面进行lib可的移植 2.       需

011_STM32程序移植之_内部flash开机次数管理 1. 测试环境:STM32C8T6 2. 测试接口: 3. 串口使用串口一,波特率9600 单片机引脚------------CH340引脚 VCC--------------------VCC GND-------------------GND PA9--------------------RXD PA10-------------------TXD 1.       功能: 1.       使用STM32内部falsh进行开机次数记

1.基本简介 TMS570LS3137内部Flash分为三个 Bank,主Flash 数据存储区3MB,是Bank1和Bank2.还有一个Bank7是作为内部Flash模拟EEPROM使用.内部存储器如下图所示: FEE功能只是用于Bank7,需要使用这块存储器就需要相应的函数实现数据的读取.写入和擦除.Ti为我们准备了F021FLASH-library实现了程序代码和系统存储器之间的桥梁.因此我们只需要调用F021FLASH-library的接口代码即可实现对存储器的读写操作.这可比翻手册写代

 一.实验内容: 通过串口发送单个字符到NRF51822,NRF51822 接收到字符后将其写入到FLASH 的最后一页,之后将其读出并通过串口打印出数据. 二.nRF51822芯片内部flash知识: EN-nRF51D 开发板使用NRF51822 芯片为nRF51822-QFAA,如下图所示,共有256KBFLASH,256 页,页大小为1024 字节. NRF51822 内部FLASH 写流程如下: 三.代码解析: main: int main(void) { ... 串口初始化 prin