驱动电路 典型的H桥驱动电路如下:要使电机旋转只需导通对角线上的两个三极管即可,如导通Q1,Q4,关闭Q2,Q4即可驱动电机正转:若想电机反向转动,即导通三极管Q2,Q3,关闭Q1,Q4.此时电路图可简化为如下所示:但当我们直接导通一个半桥上的Q1,Q3(或Q2,Q4)时,电源被短接,由于三极管电阻很小,此时流过三极管的电流很大,非常容易烧坏三极管,因此实际运用中一定不能导通同一个半桥上的三极管. 但是在实际情况中,三极管导通/关闭和电路中的其它原件操作都存在一定延时的,因此不能简单的认为,只需

1.该款电路为兼容可控硅调光的LED驱动电路,采用OB3332为开关控制IC,拓扑方案为Buck: 2.FB1:磁珠的单位是欧姆,而不是亨利,这一点要特别注意.因为磁珠的单位是按照它在某一频率 产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆.磁珠的 DATASHEET上一般会提供频率和阻抗的特性曲线图,一般以100MHz为标准,比如600R@100MHz,意思就是在100MHz频率的时候磁珠的阻抗相当于600欧姆: 3.UFM14PL-TP普通二极管: Maximum Recurrent Peak Re

源:http://www.micro-bridge.com/news/news.asp?id=258 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 1.MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道M

作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以

在嵌入式系统里,较多场合需要LCD人机界面.分析以下LCD驱动电路. LCD_VIN是3.6~5V,经过DC/DC burst升压得到LCD_AVDD,LCD_AVDD为LCD需要的模拟电压,根据LCD实际情况调整FB脚电压确定,这里假设是10V. VGH是LCD的开关管的开启电压,假设这里需要15V,VGL是LCD开关管的关闭电压,假设这里需要-6.8V. 这里比较有意思的是VGH和VGL的产生. 以下给出绿.红.蓝三个节点的波形: 绿: 红: 蓝: 绿点为开关电源的开关波形,红点为绿点向上偏

双头比例阀驱动电路,采用单片机输出2路PWM,分别驱动功率器件(U100的2和4脚),经过U100的8和10脚输出供电电源的高压PWM波形,这个高压PWM经过R104和R114分别采样后经过电流放大器U101和U111输出电压.以上侧为例,放大倍数由R106和R105确定,A=10/0.2=50,输出电压I-PVO1的值等于R104上的电压也就是Is*50,最后经过滤波电路R107和C104输出,现在的问题是R107左右两侧的波形都有尖刺出现. 比例阀线圈接在PVOx与GND,x=1和2对应上下

一.MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的

三极管与MOS管都常在电路中被当做开关使用,比较起来: 1. 三极管集电极电流IC (一般为mA级别),远小于MOS管ID(一般为A级别),因此MOS管多用在大电流电路中,如电机驱动 2. 三极管耗散功率(一般为mW级别)一般也远小于MOS管耗散功率(一般为W级别) 3. 三极管死区时间及上升时间一般长于MOS管死区时间及上升时间,高速情况下多用MOS管 4. MOS管导通电阻一般较小,为mΩ级别 三极管基极串联电阻选取: 三极管集电极电流IC 为mA级别,截止电流为nA级别,因此基极串联电阻一

STM32 的通用定时器是一个通过可编程预分频器(PSC)驱动的 16 位自动装载计数器(CNT)构成.STM32 的通用定时器可以被用于:测量输入信号的脉冲长度(输入捕获)或者产生输出波形(输出比较和 PWM)等.使用定时器预分频器和 RCC 时钟控制器预分频器,脉冲长度和波形周期可以在几个微秒到几个毫秒间调整. STM32 的每个通用定时器都是完全独立的,没有互相共享的任何资源. 通用定时器设置的一般步骤可以总结为如下几个步骤: 1．定时器时钟使能 2．设置定时参数 3．定时器工作方式初始化

1)驱动下载及安装.目前ST公司支持WIN7版本号为:VCP_V1.3.1_Setup.exe (在官网上搜索stsw-stm32102即是了):先安装驱动后再插入USB不然安装不成功. 2)固件下载.目前ST公司最新USB固件库为:STM32_USB-FS-Device_Lib_V4.0.0(在官网上搜索stsw-stm32121即是了). 3)ST官网:www.st.com 4)检查系统是否带了usbser.sys文件.很多GHOST版本的系统,系统驱动文件丢失导致!INF文件下载地址:ht

1 三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化.有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下: MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化.有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管): 2 三极管和MOS管的正确应用 (1)P型三极管,适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况.只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V

DMA,全称为:Direct Memory Access,即直接存储器访问.DMA传输方式无需CPU直接控制传输,也没有中断处理方式那样保留现场和恢复现场的过程,通过硬件为RAM与I/O设备开辟一条直接传送数据的通路,能使CPU的效率大为提高. DMA设置的一般步骤可以总结为如下几个步骤: 1．DMA时钟使能 2．DMA设置复位 3．设置DMA基地址,内存地址,输出方向参数 4．设置DMA数据大小,优先级,使用通道参数 5．DMA工作方式初始化 6．使能DMA 7．编写中断处理函数 前端采集模块

STM32F103C8T6拥有3个ADC,其独立使用已经在本文的3.1.3里面有详细的介绍,这里主要是介绍双ADC的同时使用,即STM32的同步规则模式使用.在此模式在规则通道组上执行时,外部触发来自ADC1的规则组多路开关(由ADC1_CR2寄存器的EXTSEL[2:0]选择),它同时给ADC2提供同步触发.此功能必须使用DMA通道.同时两组数据是公用一个寄存器,ADC1数据在低16位,ADC2数据在高16位.由于保证数据稳定,在双ADC同步规则模式的情况下,还添加了多通道同时采样. ADC1

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1.同步动态扫描 多个数码管的显示采用的是同步动态扫描方法,同步动态扫描指的是:行信号和列信号同步扫描,是一种并行操作. 2.数码管驱动电路实现思路      如果要求数码管显示我们想要的数字,首先需要写一个数据接收模块,这个模块接收数据之后需要做什么样的处理呢?这时候我们会想到两个数码管,其中一个显示十位数字,另一个显示各位数字,即把这个数据的十位传给其中一个数码管,各位数字传给另一个数码管来显示.这样我们就会明确了:数据接收模块需要将接收的数据进行拆分,分别输出其十位数据与个位上的数据 程序

驱动能力 电源驱动能力 -> 输出电流能力 -> 输出电阻 指输出电流的能力,比如芯片的IO在高电平时的最大输出电流是4mA -> 该IO口的驱动驱动能力为4mA 负载过大(小电阻) -> 负载电流超过其最大输出电流 -> 驱动能力不足 -> 输出电压下降 -> 逻辑电路无法保持高电平 -> 逻辑混乱 XX 一般说驱动能力不足是指某个IO口/引脚无法直接用高电平驱动某个外设,需要加三级管(驱动脚由三极管的发射极或集电极提供)或者MOS管. IO与输出电流 单

源:直流电机驱动PWM频率 1.没有统一的标准,其实PWM的频率和你的电机感抗和你需要的速度响应时间有很大的关系.一般的电机用14K就足够了.当然自需要简单的调速可以随便选. 如果电机转速比较高,感抗比较小,可以使用比较高的频率.一般最好不要超过20K  因为一般IGBT最高20K的开关频率. 而MOS 的开关频率比较高,, 但是过高的F 需要专用的驱动电路,不然MOS工作在放大区的时间比较长. 如果电机转速比较低,感抗比较大, 而且又是在做伺服, 那开关频率就需要低一点.  2.对于电机应用,

电路特点:有三极管组成4个桥的腿,中间可以使电容或是电机. 应用:直流电机的正反转控制.DC-AC逆变电源(脉冲直流变为周期交流) 关键点:同一个时刻只能对角的一对三极管导通,同侧不能一块导通,共2对相反的4个控制信号. 实用驱动电路:通过与门与非门变成2个方向控制盒一个使能控制,或一些驱动芯片. dirvemoto(direction,enble/disable)

1 引言 MOSFET凭开关速度快.导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用.要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数.在应用中MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下,如图1所示.由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地,较容易设计驱动电路,而上桥的驱动电压是跟随相线电压浮动的,因此如何很好地驱动上桥MOSFET成了设计能否成功的关键.半桥驱动芯片由于其易于设计驱动电路.外围元器件少.驱动能力强.可靠性高等优点在MOSFET驱动电路