STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片,内部FLASH有1M之多.平时写的代码,烧写完之后还有大量的剩余.有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据.因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作. [STM32F4 内部Flash的一些信息] STM32F407VG的内部FLASH的地址是:0x08000000,大小是0x00100000. 写FLASH的时候,如果发现写入地址的FLASH没有被擦出,数据将不会写入.FLASH的擦除操作,只能按Sec

第50章     读写内部FLASH 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F4xx规格书>.库说明文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>. 50.1 STM32的内部FLASH简介 在STM32芯片内部有一个FLASH存储器,它主要用于存储

一.介绍 首先我们需要了解一个内存映射: stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片flash大小不同. RAM起始地址是0x2000 0000,结束地址是0x2000 0000加上芯片的RAM大小.不同的芯片RAM也不同. Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据,断电不丢失, RAM可以理解为内存,用来存储代码运行时的数据,变量等等.掉电数据丢失. STM32将外设等都映射为地址的形式

源:STM32 对内部FLASH读写接口函数 因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /***************************************************************************

Flash 中文名字叫闪存,是一种长寿命的非易失性(断电数据不丢失)的存储器.可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程,在进行写入操作之前必须先执行擦除.一个Nand Flash由多个块(Block)组成,每个块里面又包含很多页(page).每个页对应一个空闲区域/冗余区域(spare area),这个区域不是用来存储数据的,用于放置数据的校验值检测和纠错的.块,是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位.页,是Nand Flash的写入操作的基本/最小的单位. 首先简要写一下FLASH

 一.实验内容: 通过串口发送单个字符到NRF51822,NRF51822 接收到字符后将其写入到FLASH 的最后一页,之后将其读出并通过串口打印出数据. 二.nRF51822芯片内部flash知识: EN-nRF51D 开发板使用NRF51822 芯片为nRF51822-QFAA,如下图所示,共有256KBFLASH,256 页,页大小为1024 字节. NRF51822 内部FLASH 写流程如下: 三.代码解析: main: int main(void) { ... 串口初始化 prin

因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /******************************************************************************** Function Name  :

最近做到的项目在运行需要把一组uint8_t(unsigned char)的数据进行掉电储存,想到单片机STM32f030f4p6内部flash可以直接由程序操作,写了以下代码用于uint8_t数据打包保存和读取. 1.程序清单 与 测试结果 本程序包含5个文件,分别是: 1.Flash.c:内部flash读取储存相关函数 2.Flash.h:flash头文件 3.USART1.c:STM32F030F4P6的串口驱动,串口仅用于打印数据观察. 4.USART1.h:串口头文件 5.main.c

​ /* Base address of the Flash sectors */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint

在我们应用开发时,经常会有一些程序运行参数需要保存,如一些修正系数.这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,而STM32F103内部的Flash容量较大,而且ST的库函数中还提供了基本的Flash操作函数,实现起来也比较方便. 以大容量产品STM32F103VE

1.基本简介 TMS570LS3137内部Flash分为三个 Bank,主Flash 数据存储区3MB,是Bank1和Bank2.还有一个Bank7是作为内部Flash模拟EEPROM使用.内部存储器如下图所示: FEE功能只是用于Bank7,需要使用这块存储器就需要相应的函数实现数据的读取.写入和擦除.Ti为我们准备了F021FLASH-library实现了程序代码和系统存储器之间的桥梁.因此我们只需要调用F021FLASH-library的接口代码即可实现对存储器的读写操作.这可比翻手册写代

@20119-01-29 [小记] STM32擦除内部FLASH时间过长导致IWDG复位分析

今天在进行STM32内部falsh存储的时候,发现固件库历程的函数原型是这样的: 第一个是地址,在我的STM32中是2K一页的,第二个是要写入的数据. 问题就来了,存储一个小数该怎么办呢?固件库给的是整形数据啊! 三种解决办法: 第一:最具大众性的 把小数乘以系数放大,当做整数存储,然后再除以放大系数得到小数本身.例如 float  a=1.23; int b=a*100;把b存进去,取出来的时候再除以100,就可以得到小数a了.这是最简单可能也是最好想到的了,但同时,这也是最麻烦的了.稍有C语

012_STM32程序移植之_内部flash开机次数管理lib库建立 1. 测试环境:STM32C8T6 2. 测试接口: 3. 串口使用串口一,波特率9600 单片机引脚------------CH340引脚 VCC--------------------VCC GND-------------------GND PA9--------------------RXD PA10-------------------TXD 1.       紧接011,下面进行lib可的移植 2.       需

011_STM32程序移植之_内部flash开机次数管理 1. 测试环境:STM32C8T6 2. 测试接口: 3. 串口使用串口一,波特率9600 单片机引脚------------CH340引脚 VCC--------------------VCC GND-------------------GND PA9--------------------RXD PA10-------------------TXD 1.       功能: 1.       使用STM32内部falsh进行开机次数记

我造轮子,你造车,创客一起造起来!塔克创新资讯[塔克社区 www.xtark.cn ][塔克博客 www.cnblogs.com/xtark/ ]      本文介绍X-CTR100控制器 板载FLASH存储芯片W25Q64的使用. W25Q64,芯片容量为64M bit,即8M Byte,可用于存储参数.字库.图片等数据. 原理 W25Q64是华邦公司推出的大容量SPI FLASH产品,其容量为64Mb.该25Q系列的器件在灵活性和性能方面远远超过普通的串行闪存器件.W25Q64将8M字节的容

在学习块设备原理的时候,我最关系块设备的数据流程,从应用程序调用Read或者Write开始,数据在内核中到底是如何流通.处理的呢?然后又如何抵达具体的物理设备的呢?下面对一个带Cache功能的块设备数据流程进行分析. 1. 用户态程序通过open()打开指定的块设备,通过systemcall机制陷入内核,执行blkdev_open()函数,该函数注册到文件系统方法(file_operations)中的open上.在blkdev_open函数中调用bd_acquire()函数,bd_acquire

嵌入式闪存 闪存存储器有主存储块和信息块组成 大容量产品主存储块最大为64K×64位,每个存储块划分为256个2K字节的页 编程和擦除闪存 闪存编程一次可以写入16位(半字) 闪存擦除操作可以按页面擦除或完全擦除(全擦除).全擦除不影响信息块 编程过程 页擦除过程 操作步骤 1.解锁 2.读操作 3.擦除操作 4.写操作 5.获取FLASH状态 6.锁定 举例 #define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 #define STM32_PAGE_NUM 256 #defi

找到正点原子的官网,下载他的HAL库:http://www.openedv.com/thread-109778-1-1.html 找到此例程,并打开其工程文件. 找到此文件,复制到自己工程里 复制到自己的工程: stm32f1xx_hal_flash.h 322行添加 void FLASH_PageErase(uint32_t PageAddress);(如果重新使用STM32CUBEMX请重新添加) 我修改的地方:

举例 typedef enum { FLASH_MEMTYPE_PROG = (u8)0x00, /*!< Program memory */ FLASH_MEMTYPE_DATA = (u8)0x01 /*!< Data EEPROM memory */ } FLASH_MemType_TypeDef; int main() { u32 addr = 0x4000; CLK_HSIPrescalerConfig(CLK_PRESCALER_HSIDIV1); while(1) { FLASH