我们的项目中需要保存一些系统配置参数,这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.这就需要考虑这些参数保存的问题.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,恰好有些MCU拥有比较大的FLASH,使用少量来存储这些参数则既方便有经济.STM32F4的Flash架构如下: 这次NUCLEO-F412ZG测试板上

我造轮子,你造车,创客一起造起来!塔克创新资讯[塔克社区 www.xtark.cn ][塔克博客 www.cnblogs.com/xtark/ ]      本文介绍X-CTR100控制器 板载FLASH存储芯片W25Q64的使用. W25Q64,芯片容量为64M bit,即8M Byte,可用于存储参数.字库.图片等数据. 原理 W25Q64是华邦公司推出的大容量SPI FLASH产品,其容量为64Mb.该25Q系列的器件在灵活性和性能方面远远超过普通的串行闪存器件.W25Q64将8M字节的容

norflash 带有 SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内容每一字节:nandflash器件使用复杂的IO口串行的存取数据,读写操作采用512字节的块(也就是读/写某个字节,必须从其所在的块起始位置开始读/写),这一点有点像硬盘管理类操作,很自然地,基于nandlflash的存储器就可以取代硬盘或其它块设备. flash存储原理 一.半导体存储设备的原理 目前市面上出现了大量的便携式存储设备,这些设备大部分是以半导体芯片为存储介质的.采用半导体存储介质,可以把体积变的很小

在做一个用到ucGUI的项目的时候要用到不定的汉字和英文字符,但是ucGUI本身又不支持读取芯片外部flash的字库来显示,于是查了下资料,如下: http://www.cnblogs.com/hiker-blogs/archive/2013/01/04/2843538.html 站在巨人的肩膀上,我找到了将汉字库写进flash后,通过ucGUI的控件显示出来的方法,但是至此,并不能在一个字符串里添加汉字和英文,用于同时显示,因为flash里面没有英文字符的模. 为了让一个控件同时显示汉字和英文

Q1:用IAR Embedded Workbench for MSP430 通过JTAG往MSP430上写程序.为了知道片内程序的版本,必须读出Flash 中内容.什么工具软件可以通过JTAG口实现这个功能?A1:熔丝未烧断的话,做个空程序的项目,然后在C-SPY选项里选择保留未改变的区域,DEBUG后看MEMORY里的内容!熔丝烧断的话只能用编程器或BSL,如果加密了,只能通过BSL来读了,不过你要知道中断向量表的32个字节的内容,即密码. Q2:MSP430F449中我想把一个整形的数A存入

1.1 SST25VF080B简介1.1.1 主要特性 关键点:容量.速度(时钟速度.读写速度).功耗. l 容量:8MBit: l 最高SPI时钟频率:50MHz: l 低功耗模式下电流消耗:5uA,正常读模式电流:15mA:低功耗!采用不同的制造技术功耗要低很多. l 整片擦除:35ms:扇区/块擦除:18ms:字节编程:7us:整片擦除的速度要快很多! 1.2 系统框图与电路1.2.1 系统框图 关于内部存储矩阵的访问和存储结构同并行NorFlash的一致,只不过多了个串行接口,用于实现对

1.1 SST25VF080B简介 1.1.1 主要特性 关键点:容量.速度(时钟速度.读写速度).功耗. 容量:8MBit: 最高SPI时钟频率:50MHz: 低功耗模式下电流消耗:5uA,正常读模式电流:15mA:低功耗!采用不同的制造技术功耗要低很多. 整片擦除:35ms:扇区/块擦除:18ms:字节编程:7us:整片擦除的速度要快很多! 1.2 系统框图与电路1.2.1 系统框图 关于内部存储矩阵的访问和存储结构同并行NorFlash的一致,只不过多了个串行接口,用于实现对串行数据的解码

转载自:http://blog.csdn.net/liangkaiyang/article/details/59556531.什么是内存     什么是内存呢?在计算机的组成结构中,有一个很重要的部分,就是存储器.存储器是用来存储程序和数据的部件,对于计算机来说,有了存储器,才有记忆功能,才能保证正常工作.存储器的种类很多,按其用途可分为主存储器和辅助存储器,主存储器又称内存储器(简称内存),辅助存储器又称外存储器(简称外存).外存通常是磁性介质或光盘,像硬盘,软盘,磁带,CD等,能长期保存信息

今天在进行STM32内部falsh存储的时候,发现固件库历程的函数原型是这样的: 第一个是地址,在我的STM32中是2K一页的,第二个是要写入的数据. 问题就来了,存储一个小数该怎么办呢?固件库给的是整形数据啊! 三种解决办法: 第一:最具大众性的 把小数乘以系数放大,当做整数存储,然后再除以放大系数得到小数本身.例如 float  a=1.23; int b=a*100;把b存进去,取出来的时候再除以100,就可以得到小数a了.这是最简单可能也是最好想到的了,但同时,这也是最麻烦的了.稍有C语

转载自: http://bbs.elecfans.com/jishu_388272_1_1.html 说到STM32的FLSAH,我们的第一反应是用来装程序的,实际上,STM32的片内FLASH不仅用来装程序,还用来装芯片配置.芯片ID.自举程序等等.当然, FLASH还可以用来装数据.     自己收集了一些资料,现将这些资料总结了一下,不想看的可以直接调到后面看怎么操作就可以了.FLASH分类       根据用途,STM32片内的FLASH分成两部分:主存储块.信息块. 主存储块用于存储程

http://bbs.21ic.com/icview-202550-1-1.html 一.内存 我们一般说的内存指的是DRAM,其主要特点是断电会丢失数据,可读写 二.ROM 断电不会丢失数据,数据只读,擦除困难 三.flash(闪存) 断电不会丢数据,数据可读写 NOR FLASH可以直接运行代码

程序编译完成,会乘车program size .. 对STM32容量选型或者 计算FLASH 充当EEPROM起始地址时会用到此参数. 按照下面截图  程序空间 = (16700+732+4580)/1024 = 21.5K 但需要注意的是  程序的起始地址 为0x08000000,所以 flash的 起始地址 必须是 0x08000000 + 0x55FC(22012的16进制)  = 0x080055FC之后 其余的空间都可以作为 其他功能使用.

http://blog.sina.com.cn/s/blog_4b37304d0100fg10.html

flash是存储芯片的一种,通过特定的程序可以修改里面的数据.FLASH在电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思,即平时所说的“闪存”,全名叫Flash EEPROM Memory.flash存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还可以快速读取数据(NVRAM的优势),使数据不会因为断电而丢失. flash相对于EEPROM做的改进就是擦除时不再以字节为单位,而是以块为单位,一次简化了电路,数据密度更高,降低了成本.上M

8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用 NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似 NAND Flash在掉电后仍可保存 8.1.1 Flash介绍 有NOR Flash和NAND Flash两种 NOR Flash与SDRAM的接口完全相同,可以随机访问任意地址的数据 NOR Flash的块大小是64kb~128kb,NAND的块大小是8kb~64kb NAND Flash一般以512字节为单位进行读写 Flash存储期间的可靠性主要考虑3点:位翻转.

了解一个文件系统,除了了解运行机制(RAM结构)外,还需了解文件系统怎样物理存储的.RAM数据结构是为文件系统更好运行,而物理存储是文件系统载体.文件系统出问题后,最终要从物理存储寻找数据.参考"How Yaffs Works",文件数据都以顺序日志形式写到flash中,日志的每个entry都是一个chunk大小,所存的数据类型有两种:>>Data chunk: A chunk holding regular data file contents.>>Objec

转自:http://blog.csdn.net/xgbing/article/details/18422691 版权声明:原创文章,转载请注明来自:http://blog.csdn.net/xgbing 传统的FLASH分为Nor falsh和Nand flash. (1)Nor flash Nor flash存储以块为单元,写入时必须先擦除,并且擦除和写入的速度都很慢.但nor fash具有SRAM接口,有单独的地址总线和地址总线,接口简单,就像是访问ROM一样,读取速度快,能随机访问存储单元

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算 机的内存.        RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但 是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(

转自:http://blog.sina.com.cn/s/blog_5ddb672b0100fkcf.html 1.首先应该先了解Flash ROM的种类 NOR FLASH地址线和数据线分开,来了地址和控制信号,数据就出来. NAND Flash地址线和数据线在一起,需要用程序来控制,才能出数据.通俗的说,只给地址不行,要先命令,再给地址,才能读到NAND的数据,在一个总线完成的. 结论是:ARM无法从NAND直接启动.除非装载完程序,才能使用NAND Flash. Nand Flash的命令

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/