今天主要解决一下defect语句:

defect region=1 nta=1.55e20 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e16 wga=2 ntd=1.55e20 ngd=0 wgd=0

之前(02)的例子里还有doping的定义:

doping material=IGZO donor concentration=5e17 uniform

doping前:

doping后:

???可能是掺杂多了???

Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors—Part I: Complete Extraction of Density of States Over the Full Subband-Gap Energy Range

这篇文章里给出了IGZO部分参数:

语句更改如下:

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=15

defect region=1 nta=1e18 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4.5e21 ngd=0 wgd=0

interface QF=-2e10 S.I

输出:(-16~-6)

接下来安排:

1.阅读文献,深度理解DOS模型的含义;

2.调试,寻找参数与开关比的关系,调整开关电流;

下午仿真文件目录:

200211_3j

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=15

defect region=1 nta=1e17 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4.5e21 ngd=0 wgd=0

interface QF=-5e10 S.I

200211_3j_2

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=20

defect region=1 nta=1e17 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4.5e21 ngd=0 wgd=0

interface QF=-5e10 S.I

200211_3j_3

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=20

defect region=1 nta=1e17 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4e20 ngd=0 wgd=0

200211_3j_4

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e22 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=20

defect region=1 nta=1e17 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4e20 ngd=0 wgd=0

200211_3j_5

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e22 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=20

defect region=1 nta=1e16 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=1e19 ngd=0 wgd=0

200211_3j_6

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e22 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=30

defect region=1 nta=1e16 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=1e19 ngd=0 wgd=0

输出:

放大,关注的开态电流:

主要变化还是依据于迁移率mun参数的改变,根据文献,开态饱和电流公式:

直接更改的参数只有迁移率与栅电容,但是迁移率有限制,即IGZO迁移率仍存在限制。下一步考虑更改氧化层参数。

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