基于SILVACO ATLAS的a-IGZO薄膜晶体管二维器件仿真（02）

Silvaco的破解用了好久好久，而且之后拷了上次例子的代码，Tonyplot的输出存在报错，还是四连。

当然这个点一下还是会出图的。但是，源代码稍微改了下结构，又有报错，而且程序直接终止。

go atlas

mesh width=180 outf=tftex10_1.str master.out

x.m l=0 s=0.25
x.m l=40 s=0.25
y.m l=0 s=0.0005
y.m l=0.06 s=0.0005
y.m l=0.41 s=0.005

region num=1 material=igzo y.min=0    y.max=0.06
region num=2 material=sio2 y.min=0.06 y.max=0.11
region num=3 material=al2o3 y.min=0.11 y.max=0.41

elec num=1 name=gate bottom
elec num=2 name=source y.max=0.0 x.min=0.0  x.max=5.0
elec num=3 name=drain  y.max=0.0 x.min=35.0 x.max=40.0
#contact num=1 n.ploy

#contact num=1 all

#contact num=1 workf=4.33

#contact name=gate n.ploy
contact num=2 workf=4.33
contact num=3 workf=4.33

save outf=tft.str
tonyplot tft.str

quit

把求解部分都砍掉了，只留下了结构的输出，但是每次运行到定义到栅极接触的语句都会报错。

昨天有点事，时间不多，但是一直报错没解决就只能换结构了。比如栅氧化层换成单层氮化硅。

go atlas

mesh

x.m l=0 s=0.5
x.m l=40 s=0.5
y.m l=0 s=0.001
y.m l=0.06 s=0.001
y.m l=0.36 s=0.01

region num=1 material=igzo y.min=0    y.max=0.06
region num=2 material=sin y.min=0.06 y.max=0.36

elec num=1 name=gate y.min=0.36 y.max=0.36 x.min=0.0 x.max=40.0
elec num=2 name=source y.min=0.0 y.max=0.0 x.min=0.0  x.max=5.0
elec num=3 name=drain  y.min=0.0 y.max=0.0 x.min=35.0 x.max=40.0

save outf=tft.str

contact name=gate n.poly
interface qf=3e10
contact num=2 workf=4.33
contact num=3 workf=4.33

tonyplot tft.str

quit

这个in文件就只有一个器件结构的输出，如下：

材料定义与分层

网格划分情况

接下来就要引入igzo材料模型进行转移曲线的拟合了....

看了下官网剩下的几个例子进行了很多工艺仿真以及其他操作，暂时用不到，目前还是单一的专攻ATLAS吧。。。下面一个例子虽然是一半工艺仿真，但是还是有很多高端操作。

tftex12.in : Insulator Trap Induced Measurement Sweep Hysterisis

# (c) Silvaco Inc., 2019

go athena
#工艺仿真？？？
line x loc=0  spac=1
line x loc=6  spac=0.8
line x loc=7  spac=0.05
line x loc=12 spac=0.05
line x loc=13 spac=0.8
line x loc=19 spac=1

line y loc=0   spac=0.5
line y loc=0.1 spac=0.5
#？？？
init oxide

deposit aluminum thick=0.05 div=1
etch aluminum start x=6  y=-0.1
etch           cont x=7  y=0
etch            cont x=12 y=0
etch           done x=13 y=-0.1
#工艺仿真的沉积与刻蚀
electrode name=source x=1
electrode name=drain  x=18

deposit material=IGZO thick=0.02 div=15 dy=0.002
etch    material=IGZO left  p1.x=2
etch    material=IGZO right p1.x=17

deposit oxide thick=0.1 div=10

deposit titanium thick=0.1 divisions=1
etch titanium left  p1.x=6
etch titanium right p1.x=12.5
etch above p1.y=-0.15
electrode name=gate x=9.5
structure outfile=tftex12_0.str
tonyplot tftex12_0.str -set tftex12_0.set

go atlas

mesh inf=tftex12_0.str width=140
#直接导入网格文件
set measurementtime=0.0001

doping material=IGZO donor concentration=5e17 uniform

material material=IGZO nc300=5e18 nv300=5e18 eg300=3.1 mun0=15 mup0=0.1 \
         affinity=4.16 permittivity=10 me.tunnel=0.01
#IGZO直接更改参数
material material=oxide permittivity=3.9

models srh fldmob print trap.tunnel ^trap.coulombic mass.tunnel=0.1 bbt.std
#这次怎么这么多？？？
contact name=gate   n.poly
contact name=source workfunc=4.16+0.17
contact name=drain  workfunc=4.16+0.17
#功函数要加一下？？？

defects material=IGZO tfile=tftex12.dat sigtde=1e-12 sigtdh=1e-12 sigtae=1e-12 \
        sigtah=1e-12 wtd=0.12 ntd=1.55e20 nta=2e18 wta=0.085 wgd=0.4 egd=2.9 \
        ngd=6.5e16 nga=4e15 ega=1 wga=0.5 siggde=1e-12 siggdh=1e-12 \
        siggae=1e-12 siggah=1e-10 

inttrap e.level=0.4 acceptor density=1.0e12 s.x degen=4 sign=1.0e-13 \
        sigp=1.0e-14 heiman depth=0.004 hpoints=10
#？？？应该是界面缺陷的定义
method climit=1e-4
#？？？
output con.band val.band
#？？？
solve init
solve previous
#手册上也没搜到这啥意思
log outf=tftex12_0.log
solve vdrain=0 vstep=0.1 vfinal=1 name=drain
solve  vstep=0.5 vfinal=5 name=drain

log outf=tftex12_1.log
#.log文件有啥用？？？
solve vfinal=15  vstep=0.2 name=gate timespan=$measurementtime
save outf=tftex12_1.str
extract name="Vth" x.val from curve(v."gate", i."drain") where y.val=1e-5
extract name="Ion" y.val from curve(abs(v."gate"),abs(i."drain")) where x.val=14
#直接提取参数，阈值电压与开启电流
log off

log outf=tftex12_2.log
solve vfinal=0 vstep=-0.2 name=gate timespan=$measurementtime
log off

tonyplot tftex12_1.log -overlay tftex12_2.log -set tftex12_1.set
#这俩啥意思又忘了查
#还没有quit

哎

开学时间又延迟了，祝愿武汉早日挺过难关。