DS18B20配置

复位脉冲：

　　先拉低至少480us，以产生复位脉冲，接着释放4.7k电阻为高，延时15~60us，

进入接收。

 void DS18B20_Rst(void)
 {
     DS18B20_IO_OUT();     //SET PG11 OUTPUT
     DS18B20_DQ_OUT=;     //拉低DQ
     delay_us();        //拉低750us
     DS18B20_DQ_OUT=;     //DQ=1
     delay_us();         //15US
 }

应答脉冲：

　　然后在拉低总线为60~240us，产生低电平应答脉冲（接收）。

 u8 DS18B20_Check(void)
 {
     u8 retry=;
     DS18B20_IO_IN();    //SET PG11 INPUT
     while (DS18B20_DQ_IN&&retry<)
     {
         retry++;
         delay_us();
     };
     if(retry>=)return ;
     else retry=;
     while (!DS18B20_DQ_IN&&retry<)
     {
         retry++;
         delay_us();
     };
     if(retry>=)return ;
     return ;
 }

写时序：

　　写1：先低电平延时2us，在释放总线延时60us。写0：先低电平60us，在释放

总线延时2us。

 void DS18B20_Write_Byte(u8 dat)
  {
     u8 j;
     u8 testb;
     DS18B20_IO_OUT();    //SET PG11 OUTPUT;
     for (j=;j<=;j++)
     {
         testb=dat&0x01;
         dat=dat>>;
         if (testb)
         {
             DS18B20_DQ_OUT=;    // Write 1
             delay_us();
             DS18B20_DQ_OUT=;
             delay_us();
         }
         else
         {
             DS18B20_DQ_OUT=;    // Write 0
             delay_us();
             DS18B20_DQ_OUT=;
             delay_us();
         }
     }
 }

读时序：

　　主机输出低电平2us，然后在释放总线延时12us，接着在读取数据是0还是1，并

且延时50us。先读一个字节，然后在读一个位。

 u8 DS18B20_Read_Bit(void)
 {
     u8 data;
     DS18B20_IO_OUT();    //SET PG11 OUTPUT
     DS18B20_DQ_OUT=;
     delay_us();
     DS18B20_DQ_OUT=;
     DS18B20_IO_IN();    //SET PG11 INPUT
     delay_us();
     if(DS18B20_DQ_IN)data=;
     else data=;
     delay_us();
     return data;
 }