RAM的分类

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RAM（随机存储器）可以分为SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）。我们经常说的电脑内存条指的是DRAM，而SRAM接触的相对要少（像大部分的FPGA就是基于SRAM工艺的）。

SRAM：静态RAM

SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存储器），它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

优点：速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。

缺点：集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。

DRAM：动态RAM

DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器）是最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。

SDRAM：同步动态RAM

SDRAM：（Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存取存储器），为DRAM的一种，同步是指Memory工作需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以时钟为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来

保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。

存储单元结构不同导致了RAM容量的不同。一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容（不包括行读出放大器等），而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大，但是读写速度不如SRAM。一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时的刷新来保持。

SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛。SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时能够保持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存，仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM。

DPRAM：双端口RAM DPRAM（Dual Port Random Access Memory，双端口随机存储器）是常见的共享式多端口存储器，双口RAM最大的特点是存储数据共享。一个DPRAM存储器配备两套独立的地址、数据和控制线，允许两个独立的CPU或控制器同时异步地访问存储单元。因为数据共享，就必须存在访问仲裁控制。内部仲裁逻辑控制提供以下功能：对同一地址单元访问的时序控制；存储单元数据块的访问权限分配；信令交换逻辑（例如中断信号）等。

FRAM：铁电体RAM FRAM（Ferroelectric Random Access Memory，铁电体存储器），其将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。FRAM 提供一种与RAM一致的性能，但又有与ROM 一样的非易失性。FRAM 克服以上二种记忆体的缺陷并合并它们的优点，它是全新创造的产品，一个非易失性随机存取储存器。