ROM存储1/4周期正弦信号构造DDS

简单的dds程编写过程中我遇到问题以及一些个人的思考。初次接触FPGA，如有问题请多多指教~

1.几个疑问，解决和没有解决的。

为何采用ROM而不是直接采用DDS核来进行正弦信号的合成？

实际中如果只需要合成正弦信号，那么DDS核是一个很好的选择，而且DDS核可以选择是否采用泰勒校正以获取更低的杂散。由于ROM表中的数据可以由我们自己选择，采用ROM做DDS具有更强的灵活性。

在使用chipscope时，添加ICON核和.cdc文件的区别？

ICON核的添加需要改变原有程序的结构，需要重新综合，正是由于这个核在程序内部，我们可以轻易地选择需要观察的信号；

.cdc文件的插入不改变程序结构，只需要重新translate等，由于是对综合后的程序进行插入，所以有些信号会被优化掉或者改名字等。

双口ROM有无缺陷？

不知道……modelsim反正中表明，无法仿真collision等……Block Ram的手册中没有提到双口ROM，也许看看双口RAM会有帮助。

2.Matlab仿真

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注意：由于采用了1/4周期存储，要求整个周期的数值是中心对称的，半个周期的数值是轴对称的。这就意味着采样点中不应该有0值得存在。

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Matlab仿真——ROM表存储数据

%% ROM产生 （无符号数）
ROM_N=^; %ROM表深度
DATA_L=;  %ROM位宽
t=:ROM_N;
y=(^DATA_L-)*(sin(*pi*(t-0.5)/ROM_N/));%-.5保证对称性

ROM_DATA=round(y);

Matlab仿真——DDS程序（请原谅我没有用case……）

%% 正弦波dds产生
F_CLK=*^;  %时钟频率10M
PINC_IN_L=;   %增量长度
DDS_CLK=*^;    %dds输出频率10k
PHASE_IN=;    %初始相位
pinc=round(DDS_CLK*^PINC_IN_L/F_CLK);    %相位增量

SIM_L=;    %仿真长度
phase=PHASE_IN+pinc*(:SIM_L-);
addr=mod((floor(phase/^PINC_IN_L*ROM_N)),ROM_N*);
flag=floor(addr/ROM_N);
dds_out=:SIM_L;
for i=:SIM_L
    if(flag(i)==)
        dds_out(i)=ROM_DATA(addr(i)+);
    else if(flag(i)==)
        dds_out(i)=ROM_DATA(-addr(i)+);
        else if(flag(i)==)
                dds_out(i)=-ROM_DATA(addr(i)-+);
            else
                dds_out(i)=-ROM_DATA(-addr(i)+);
            end
        end
    end
end

plot(dds_out);

3.DDS的解释

Xilinx的DDS核的User Guide中队DDS做了很详细的说明，本节不再重复此内容，本节将叙述一种全新的DDS理解方式。这种理解方式解决了频率控制字长于ROM表深度时DDS的理解上的问题。

连续还是离散？

连续还是离散，在于我们用什么眼光去看待。如下图所示，我们可以理解蓝色的图是离散的，而红色的线是连续的。然而，对于我们要获取的信息而言，这两幅图是完全没有区别的。抽样定理中有理想抽样和平顶抽样（采样保持电路）之分，然而在频域效果上，是并没有很大区别的。

ROM表存储的是连续的数值

    按照上面的理论，可以认为ROM表中存储的是正弦信号的平顶采样结果。如下图所示（一个全周期的ROM表，对称性满足1/4周期存储的要求）

上图的频谱在信号与系统中有提及，上述波形的形成方式可以认为是在乘以周期为T的冲击函数，之后卷积一个宽度为T的窗函数。对应可以求得其频域。（具体可参考平顶抽样）

频率控制字

   频率控制字控制对上述的阶梯函数的采样，如果这样理解的话，就没有所谓的相位截取取ROM表的值的疑惑了。频谱图能够清晰的表现这一过程，然而由于blog表达不便，此处不做详细说明。

此处能够解释DDS产生的杂散。

4.Verilog实现

从设计设计上来说，Verilog和Matlab代码应该完全一致，包括代码编写的思路，以及命名都应该统一。但是下面的程序没有做到这一点，带改进。

`timescale 1ns / 1ps

module DDS_10k(
    input clk_10M,
    input rst,
    output[:] D_SIN,
    output[:] D_COS
    );

parameter pinc='d4294967;    //10k
reg[:] addr_temp='d0;
reg[:] addra,addrb;
reg mark_a,mark_b;

always@(posedge(clk_10M))    //复位
begin
    if(rst==)
        addr_temp<='d0;
    else
        addr_temp<=addr_temp+pinc;
end

always@(posedge(clk_10M))    //1/4周期控制
begin
    case(addr_temp[:])
        'b00:
            begin
                addra<=addr_temp[:];
                mark_a<=;
                addrb<=~addr_temp[:];
                mark_b<=;
            end
        'b01:
            begin
                addra<=~addr_temp[:];
                mark_a<=;
                addrb<=addr_temp[:];
                mark_b<=;
            end
        'b10:
            begin
                addra<=addr_temp[:];
                mark_a<=;
                addrb<=~addr_temp[:];
                mark_b<=;
            end
        'b11:
            begin
                addra<=~addr_temp[:];
                mark_a<=;
                addrb<=addr_temp[:];
                mark_b<=;
            end
    endcase
end

//ROM表读取
ROM_SIN_1k18 rom_dds (
  .clka(clk_10M), // input clka
  .addra(addra), // input [9 : 0] addra
  .douta(D_SIN[:]), // output [12 : 0] douta
  .clkb(clk_10M), // input clkb
  .addrb(addrb), // input [9 : 0] addrb
  .doutb(D_COS[:]) // output [12 : 0] doutb
);

reg sin_mark_temp;
reg cos_mark_temp;
assign D_SIN[]=sin_mark_temp;
assign D_COS[]=cos_mark_temp;

//此处ROM没有添加register，因此输出和地址有一个周期的延时，故Mark也要有一周期延时
always@(posedge(clk_10M))
begin
    sin_mark_temp<=mark_a;
    cos_mark_temp<=mark_b;
end

endmodule