STM32F429驱动SDRAM

1 SDRAM控制原理

1.1 SDRAM信号线

1.2 SDRAM地址线

　　SDRAM包含有“A”以及“BA”两类地址线：

A：行（Row）与列（Column）共用的地址线

BA：独立的用于指定SDRAM芯片内部存储阵列号（Bank）

　　通讯时，当RAS=0，则“行地址选通器”被选通，地址线A[11:0]表示的地址会被输入到“行地址译码器”中，行地址被选中；同时地址线BA[1:0]表示的Bank也被锁存，选中要操作的Bank号；接着CAS=0，则“列地址选通器”被选通，地址线A[11:0]表示的地址会被输入到“列地址译码及锁存器”中作为列地址，完成寻址过程。

1.3 SDRAM数据线

　　IS45s16400J存储阵列的“数据宽度”是16位，但在实际应用中也可能会以8位宽度存取数据，这时我们只需要DQ[7:0]表示数据，而DQ[15:8]数据线表示的数据必须忽略。所以数据输入输出时，还会使用DQM[1:0]来配合，每根DQM线对应8位数据。如DQM0=0，DQM1=1时，数据线DQ[7:0]表示数据有效，而DQ[15:8]表示数据无效。

1.4 SDRAM容量计算

　　已知IS45s16400J芯片行地址12根线，列地址8根，4个Bank，位宽16bit。

可以计算出：

SDRAM的总单元数 =（2^行地址选择线）*（2^列地址选择线）*Bank选择线=2^(12+8)*4=2^10*4=1M bits*4

SDRAM总容量 = 单元数*位宽=1M bits*4*16=64M bits = 8MB(Bytes)

2 FMC

2.1 通信引脚

SDRAM引脚	FMC引脚	说明
CLK	FMC_SDCLK	同步时钟信号
CKE	FMC_SDCKE1	时钟使能信号
CS	FMC_SDNE1	片选信号
CAS	FMC_NCAS	列地址选通
RAS	FMC_NRAS	行地址选通
WE	FMC_SDNWE	写使能
DQM[0:1]	FMC_NBL[0:1]	数据输入/输出掩码信号
BA[0:1]	FMC_A[14:15]	SDRAM芯片内部Bank地址输入
A[0:11]	FMC_A[0:11]	地址输入
DQ[0:15]	FMC_D[0:15]	数据输入/输出

CKE和CS作用：

FMC_SDCKE0，FMC_SDCLK0：FMC映射的SDRAM的存储区域Bank1

FMC_SDCKE1，FMC_SDCLK1：FMC映射的SDRAM的存储区域Bank2

2.2 地址映射

FMC_SDCKE0，FMC_SDCLK0：FMC映射的SDRAM的存储区域Bank1（0xC000 0000~0xCFFF FFFF）

FMC_SDCKE1，FMC_SDCLK1：FMC映射的SDRAM的存储区域Bank2（0xD000 0000~0xDFFF FFFF）

注意：这里的Bank和上面所讲的SDRAM芯片内部存储区域Bank1~4是不一样的概念。