SRAM的读、写操作、信息保持原理

\(Vcc\)会使得\(T_3\)和\(T_4\)导通，但是哪个先导通是随机的，那么当\(T3\)先导通的时候，\(a\)点变为高电平，此时电流经由 \(a\) 点导通\(T2\)，\(T2\)导通，使得 \(b\) 接地，变为低电平。

此时，\(a\) 点为1，\(b\) 点为0可以用来表示数据1。

这便是初始状态。

当行选通X与列选通Y为有效信号，此时 \(T_5\) 和 \(T_6\)、\(T_7\)、\(T_8\)导通，信号放大后，根据电流方向输出。

这便是读操作。

首先，电流经过T5，使得a点变为0，那么T2便被截断了，电流通过T6，使得T1导通，此时a便接地，可以保持低电平，T2被截断，b保持高电平。此时就改变了原来的状态。

这便是写的操作。

当选通信号再次变为无效信号时，那四个mos管便会被截断，此时内部由于电源的供电，存储元的状态会保持。