[转帖]Intel固态硬盘总结

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2012年推出的S3700，采用的是25nm闪存颗粒。

2015年推出s3710，采用的是20nm闪存颗粒。

S3700最高容量800GB，而S3710提升到了1.2TB。

速度方面，新款S3710可达到500MB/s的顺序读取和520MB/s的持续写入，随机性能也分别达到了读取85K和写入45K IOPS。相比之下，旧款S3700的成绩则只有500/460 Mbps和75k/36k IOPS。

不过在耐久度方面，两款没有不同，均可在五年的质保期内，持续每日写入10倍于自身容量的数据。以最高容量1.2TB为例，其写入量达到了惊人的24.3PB。

至于性能稍低的S3610，则是定位于“数据中心级”的中端产品。该系列SSD同样拥有5年的质保期，年化失效率为0.44%。耐久度方面，S3610则只能够在五年的质保期内，每日持续写入3倍于自身容量的数据。尽管如此，这一成绩仍优于入门级的S3500。速度方面，S3610也没有S3710那样抢眼。尽管持续读写成绩差不多，但是随机写入降低到了28k IOPS。

Intel 730 (骷髅头)

Capacity	240GB	480GB
Controller	Intel 3rd Generation (SATA 6Gbps)
NAND	Intel 20nm MLC
Sequential Read	550MB/s	550MB/s
Sequential Write	270MB/s	470MB/s
4K Random Read	86K IOPS	89K IOPS
4K Random Write	56K IOPS	74K IO
Power (idle/load)	1.5W / 3.8W	1.5W / 5.5W
Endurance	50GB/day (91TB total)	70GB/day (128TB total)
Warranty	Five years
Availability	Pre-orders February 27th - Shipping March 18th

	Intel SSD 730	Intel SSD 530	Intel SSD DC S3500	Intel SSD DC S3700
Capacities (GB)	240, 480	80, 120, 180, 240, 360, 480	80, 120, 160, 240, 300, 400, 480, 600, 800	100, 200, 400, 800
NAND	20nm MLC	20nm MLC	20nm MLC	25nm MLC-HET
Max Sequential Performance (Reads/Writes)	550 / 470 MBps	540 / 490 MBps	500 / 450 MBps	500 / 460 MBps
Max Random Performance (Reads/Writes)	89K / 75K IOPS	48K / 80K IOPS	75K / 11.5K IOPS	76K / 36K IOPS
Endurance (TBW)	91TB (240GB) 128TB (480GB)	36.5TB	140TB (200GB) 275TB (480GB)	3.65PB (200GB) 7.3PB (400GB)
Encryption	-	AES-256	AES-256	AES-256
Power-loss Protection	Yes	No	Yes	Yes

HET 通过使用较低的编程电压以性能换取耐用性，从而减少对氧化硅的压力。

S3700

Enterprise SSD Comparison
	Intel SSD DC S3700	Intel SSD 710	Intel X25-E	Intel SSD 320
Capacities	100 / 200 / 400 / 800GB	100 / 200 / 300GB	32 / 64GB	80 / 120 / 160 / 300 / 600GB
NAND	25nm HET MLC	25nm HET MLC	50nm SLC	25nm MLC
Max Sequential Performance (Reads/Writes)	500 / 460 MBps	270 / 210 MBps	250 / 170 MBps	270 / 220 MBps
Max Random Performance (Reads/Writes)	76K / 36K	38.5K / 2.7K IOPS	35K / 3.3K IOPS	39.5K / 600 IOPS
Endurance (Max Data Written)	1.83 - 14.6PB	500TB - 1.5PB	1 - 2PB	5 - 60TB
Encryption	AES-256	AES-128	-	AES-128
Power Safe Write Cache	Y	Y	N	Y

S3700 是 Intel SSD 710 的替代产品，因此使用 Intel 的 25nm MLC-HET（高耐久技术）NAND。S3700 的额定容量为每天 10 次完整驱动器写入（4KB 随机写入），持续 5 年。

与以前的企业驱动器一样，S3700 具有板载电容器，可在发生电源故障时将驱动器上传输的任何数据提交给 NAND。S3700 支持在 12V、5V 或两种电源轨上运行——这是英特尔的首创。在有源负载下的额定功耗高达 6W（峰值功耗可达 8.2W），这是相当高的，并且会使 S3700 不适合笔记本电脑。

功耗贼高。

S3710

Intel SSD DC S3710 Specifications
Capacity	200GB	400GB	800GB	1.2TB
Controller	Intel 2nd Generation SATA 6Gbps Controller
NAND	Intel 128Gbit 20nm High Endurance Technology (HET) MLC
Sequential Read	550MB/s	550MB/s	550MB/s	550MB/s
Sequential Write	300MB/s	470MB/s	460MB/s	520MB/s
4KB Random Read	85K IOPS	85K IOPS	85K IOPS	85K IOPS
4KB Random Write	43K IOPS	43K IOPS	39K IOPS	45K IOPS
Read/Write Power Consumption	2.6W / 4.0W	2.7W / 5.4W	3.0W / 5.9W	3.1W / 6.9W
Endurance	3.6PB	8.3PB	16.9PB	24.3PB
MSRP	309\|309\|619	1,249\|1,249\|1,909

S3710 取代了流行的 S3700，除了控制器之外，NAND 已从 64Gbit 25nm HET MLC 切换到 128Gbit 20nm HET MLC（HET 代表高耐久性技术，本质上是英特尔对 eMLC 的营销术语）。尽管 NAND 芯片更大（因此速度稍慢），但性能从 76K 随机读取 IOPS 升级到 85K，从 36K 随机写入 IOPS 升级到高达 45K。改进主要归功于新的控制器，尽管英特尔告诉我混合中也有一些 NAND 级优化。五年内，耐用性保持在每天 10 次相同的驱动器写入，并且与往常一样，企业驱动器具有完整的断电保护以及 AES-256 加密。

S3610

Intel SSD DC S3610 Specifications
Capacity	200GB	400GB	480GB	800GB	1.2TB	1.6TB
Controller	Intel 2nd Generation SATA 6Gbps Controller
NAND	Intel 128Gbit 20nm High Endurance Technology (HET) MLC
Sequential Read	550MB/s	550MB/s	550MB/s	540MB/s	500MB/s	540MB/s
Sequential Write	230MB/s	400MB/s	440MB/s	520MB/s	500MB/s	500MB/s
4KB Random Read	84K IOPS	84K IOPS	84K IOPS	84K IOPS	84K IOPS	84K IOPS
4KB Random Write	12K IOPS	25K IOPS	28K IOPS	28K IOPS	28K IOPS	27K IOPS
Read/Write Power Consumption	2.6W / 3.3W	2.7W / 4.7W	2.7W / 5.3W	2.9W / 6.3W	3.0W / 6.4W	3.3W / 6.8W
Endurance	1.1PB	3.0PB	3.7PB	5.3PB	8.6PB	10.7PB
MSRP	209\|209\|419	509\|509\|839	1,289\|1,289\|1,719

S3510

各个类型对比

Comparison of Intel's Enterprise SATA SSDs
Model	S3510	S3610	S3710
Factors	2.5", 1.8" & M.2 2280	2.5" & 1.8"	2.5"
Capacity	Up to 1.6TB	Up to 1.6TB	Up to 1.2TB
NAND	16nm MLC	20nm HET MLC	20nm HET MLC
Endurance	0.35 DWPD	3 DWPD	10 DWPD
Random Read Performance	Up to 68K IOPS	Up to 84K IOPS	Up to 85K IOPS
Random Write Performance	Up to 20K IOPS	Up to 28K IOPS	Up to 45K IOPS
Approximate Pricing	~0.90/GB\| 0.90/��\| 1.05/GB	~$1.55/GB

Het高耐久技术

闪存写入的原理是量子隧穿效应，电子穿过绝缘层给浮置栅极充电，用电压的高低来表示数据的值，而在写入的过程中绝缘层逐渐被消耗，直至绝缘层消耗完之后闪存失效。SLC只有两种电压状态，用电压的高与低来表示二进制的0与1。而MLC要充更高的电压来表示4种电压（00/01/10/11），因此充电的电压高，绝缘层的损耗比较大，这就是MLC寿命不如SLC的原因。

HET技术的MLC也是4种电压，只不过充的电压比较低，用更低的充电电压来获得更低的绝缘层损耗，闪存依然是一般的MLC闪存。

我们都已经了解，闪存是靠给浮置栅极充电来存储数据的，有充电就有漏电，漏电的结果就是丢数据，所以充电更少的HET MLC比普通写入条件下的MLC在断电后更容易丢数据，这或许就是英特尔在读取密集型的S3510上并没有使用HET的原因。不过企业级应用一般都是24小时通电，所以不太担心断电后数据丢失的问题。
但这也提醒了我们个人用户，不要太长时间不给闪存产品通电，尤其是TLC闪存的SSD，否则就会丢数据，甚至全盘数据丢失。所以相对于机械硬盘，固态硬盘在某些情况下也更“娇贵”。

S3710与S3610冗余对比

S3710 800GB = 8*29F01T08OCMFP + 8*29F32B08MCMFP = 8*128 + 8*32 = 1280 GB Raw  60%冗余

S3610 800GB = 13*29F64B08NCMFP + 3*29F32B08MCMFP = 13*64 + 3*32 = 928 GB Raw  16%冗余

参考

不折腾会死之 SSD S3710

Intel Launches SSD DC S3610 & S3710 Enterprise SSDs

英特尔固态盘 DC S3700：分析英特尔第三代控制器

日擦写10次连写5年都不坏：一代MLC盘皇Intel S3710到底有多牛？

好奇Intel S3610 用的HET-MLC颗粒和3710的有啥区别？

Intel Announces DC S3710 and DC S3610 SATA 6Gb/s Data Center SSDs

海淘拆解英特尔s3710，以及快速分辨清零盘 MLC颗粒传家系列

超耐久（cao）MLC！英特尔HET闪存技术是什么原理？