射频FEM介绍
FEM介绍
1. 什么是FEM
1.1 FEM简介
- PA:Power Amplifier,功率放大器。是指能输出大功率信号的放大电路。
- LNA:Low Noise Amplifier,低噪声放大器。 噪声系数很低的放大器。一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器,以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。
- Switch:控制TX和RX切换工作的开关,使TX和RX共用天线。
- 反馈电路DET:输出功率与反馈电压值一般线性相关,根据反馈的电压值可以计算出输出功率大小。
- 个别FEM内部还包含功率耦合器(CPLR),实现功率反馈:反馈的不是电压值而是耦合得到的功率值,对比电压反馈更精确。
1.2 FEM主流厂家
- 美国厂家:Skyworks、Qorvo
- 台湾厂家:Richwave
- 国产厂家:康希通信
2. FEM重要参数介绍
2.1 TX指标
- 知识点一:20dBm=100mW,30dBm=1000mW
- 知识点二:当在功率P(dBm)上增加或减少3dB,则它以mW为单位的功率就会增加一倍或者减少一半。17dBm=20dBm-3dB=0.5 * (100mW)=50mW,23dBm=20dBm+3dB=2*(100mW)=200mW 。
- 知识点三:当在功率P(dBm)上增加或减少10dB,则它以mW为单位的功率就会增加至原来功率的10倍或降低至原功率的1/10。如10dBm=20dBm-10dB=0.1 * (100mW)=10 mW,30dBm=20dBm+10dB=10*(100mW)=1000mW
- 假设RFIC在HT20/MCS7模式下可以输出0dBm的功率,那么经过FEM放大之后,输出功率为23.5dBm。此时FEM的增益为23.5dB。此处重点是实际输出功率不能超过FEM的最大输出功率。
- 假设RFIC在HT20/MCS7模式下可以输出-10dBm的功率,那么经过FEM放大之后,输出功率为20dBm。此时FEM的增益为30dB。此处重点是实际发射增益不能超过FEM的最大发射增益。

2.2 RX指标
2.3 真值表
2.4 参考设计
3. FEM设计指南
- 建议选择开关频率大于1MHz且动态响应好的DC-DC电路给FEM供电,DCDC的输出电流要大于FEM的最大工作电流。
- 电源走线VCC1和VCC2按两个网络处理最后用0Ω汇集到PA电源,这样分配的滤波电容layout不会混乱且两路电源的互扰最小,VCC1,VCC2的滤波电容要预留够,保证其满载纹波小于100mV。
- 原理图设计预留够相关调试电路,Tx,Rx,ANT预留π型电路。
- 咨询FAE针对该FEM的layout guide,或者发给FAE review FEM部分电路的SCH和PCB layout. 按照layout guide和FAE指导进行PCB设计。
- 每颗FEM的PCB布局间距建议大于10mm以上,方便FEM的散热;同时FEM设计建议四层板或以上设计,预留完整的参考地平面,FEM背面开窗漏铜处理,方便贴导热硅胶,保证FEM稳定工作。
- 多颗FEM共存,建议每颗FEM的供电使用电阻或磁珠隔离。
- 2.4G和5G共存,建议2.4G和5G的FEM分别供电,如果成本和空间受限,可以不考虑。
4. 调试指标要求
- 射频实际的输出功率指标一般小于规格书标称值Output power 1~2dB。
- TX gain不建议满载,如达到规格书指标的-32dB,此时输出功率EVM可能会恶化,或者各个信道之间功率不平。
- LAN 增益一般要求达到规格书指标,例如16dB。
- FEM的电源纹波要小于电压的5%,电源功率不能超过规格书参数。
- 如果FEM芯片温度接近或超过标称值,需要考虑散热措施。
- ≥48h的长时间高、低温稳定性测试,可以配合整机测试。
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