u-boot分析(九)

  上篇博文我们按照210的启动流程,分析到了初始化串口,由于接下来的取消存储保护不是很重要,所以我们今天按照u-boot的启动流程对nand flash初始化进行分析。

今天我们会用到的文档:

1.        2440芯片手册:http://download.csdn.net/detail/wrjvszq/8358949

2.        6410芯片手册:http://download.csdn.net/detail/wrjvszq/8358965

3.        210芯片手册:S5PV210_UM_REV1.1(我的不知道为什么传不上去大家去百度搜吧)

4.        Nand flash芯片手册:大家根据自己的nand flash芯片型号,找到对应的手册

我们今天会通过以下几点,对nand flash的初始化进行介绍:

1.      Nand flash简介

2.      Nand flash初始化

3.      Nand flash读写操作

Nand flash简介

1.       分类

Nand flash闪存芯片又分为

1)        SLC(单层单元,每个存储格上存一个)

2)        MLC(多层单元,每个存储格上存两个)

3)        TLC(三层单元,每个存储格上存三个)

2.       访问方式

类似与我们单片机里面的外设,其有自己的控制器,可以对数据解析,我们要按照固定的格式和协议进行访问。

3.       地址构成

在Nand flash芯片手册中我们很容易找到其构成图,我们结合下图对其进行简单分析

1)        device一个Nand flash可以分为多个block

2)        block一个block可以分为多个pages

3)        page一个page可以分为两个区,分别为数据区和信息区(包括校验码等内容)

其地址构成分为:

行地址:表示要访问的页在块中的页编号

列地址:表示要访问的地址在该页中的偏移

Nand flash初始化

通过上面的分析我们对nand的基本信息有了了解,下面我们来分析其初始化,同样我们可以参考u-boot给出的代码得出其初始化流程:

1)        设置管脚

2)        初始化NFCONF寄存器

3)        初始化NFCONT寄存器

1.       初始化NFCONF寄存器

在初始化NFCONF寄存器的时候我们要特别注意下面几个值(这三个值是将nand flash和我们芯片自有的nand flash控制器的时序相匹配的重要值):TACLS、TWRPH0、TWRPH1。

我们可以在我们的芯片手册中找到nand flash控制器所提供的时序图,其中TACLS、TWRPH0、TWRPH1是我们自己可以配置的。

同时可以在nand flash芯片手册中找到其所需要的时序图,如下

简单通过时序比较我们就可以清楚的知道,TACLS、TWRPH0、TWRPH1分别对应tCLS、twp、tCLH

那么其所需要的这些值的大小到底是多少呢?我们通过nand的芯片手册就可以找到下表,其中的值是该时序所需的最小值。

通过以上分析,我们再结合在http://www.cnblogs.com/wrjvszq/p/4227435.html一文中设置的系统时钟,就可以轻松的设置我们的NFCONF寄存器了,NFCONT寄存器设置比较简单,按照寄存器说明即可,在此也就不过多分析了。

 /*
* Nand Interface Init for SMDKC110
*/
nand_asm_init: /* Setting GPIO for NAND */
/* This setting is NAND initialze code at booting time in iROM. */ ldr r0, =ELFIN_GPIO_BASE ldr r1, [r0, #MP01CON_OFFSET]
bic r1, r1, #(0xf<<)
orr r1, r1, #(0x3<<)
str r1, [r0, #MP01CON_OFFSET] ldr r1, [r0, #MP01PUD_OFFSET]
bic r1, r1, #(0x3<<)
str r1, [r0, #MP01PUD_OFFSET] ldr r1, [r0, #MP03CON_OFFSET]
bic r1, r1, #0xFFFFFF
ldr r2, =0x22222222
orr r1, r1, r2
str r1, [r0, #MP03CON_OFFSET] ldr r1, [r0, #MP03PUD_OFFSET]
ldr r2, =0x3fff
bic r1, r1, r2
str r1, [r0, #MP03PUD_OFFSET] ldr r0, =ELFIN_NAND_BASE ldr r1, [r0, #NFCONF_OFFSET]
ldr r2, =0x777F
bic r1, r1, r2
ldr r2, =NFCONF_VAL
orr r1, r1, r2
str r1, [r0, #NFCONF_OFFSET] ldr r1, [r0, #NFCONT_OFFSET]
ldr r2, =0x707C7
bic r1, r1, r2
ldr r2, =NFCONT_VAL
orr r1, r1, r2
str r1, [r0, #NFCONT_OFFSET] ldr r1, [r0, #NFCONF_OFFSET]
orr r1, r1, #0x70
orr r1, r1, #0x7700
str r1, [r0, #NFCONF_OFFSET] ldr r1, [r0, #NFCONT_OFFSET]
orr r1, r1, #0x03
str r1, [r0, #NFCONT_OFFSET] mov pc, lr

经过上述内容我们对nand的初始化有了一定的了解,u-boot在此阶段做的内容也就完成了,但是为了不在以后返回来分析nand,我们今天趁热打铁,将其的读写操作一同分析。

Nand flash读写操作

1.       读操作

我们的nand flash支持两种读操作,一种是页读(整页读取,只需用行地址),一种是随机读(随机读取,需要行列地址),今天我们重点分析页读,随机读取跟其类似。

按照以前自己在做单片机时候的经验,我们既然要和外设通信,那么就必须按照外设自身所规定的时序发送内容,所以自己在nand芯片手册中找到了读操作的时序图(如下),根据此时序图我们可以很容易总结出读操作的流程,有了流程我们的代码实现起来就比较简单了。

1.        选中nand芯片

2.        清除rb

3.        发送0x00

4.        发送列地址

5.        发送行地址

6.        发送0x30

7.        等待R/B

8.        读数据

9.        取消选中

2.       写操作

我们的nand flash同样支持两种写操作,一种是页写(整页写入,只需用行地址),一种是随机写(随机写入,需要行列地址),今天我们重点分析页写,随机写入跟其类似。

同样我们可以在nand芯片手册中找到写操作的时序图(如下),根据此时序图我们可以很容易总结出写操作的流程,有了流程我们的代码实现起来就比较简单了。

1.        选中nand芯片

2.        清除rb

3.        发送0x80命令

4.        发送列地址

5.        发送行地址

6.        写入数据

7.        发送0x10命令

8.        等待R/B

9.        发送0x70命令

10.    读取写入结果

11.    取消选中

经过上述内容我们对nand的读写操作进行了简单的流程分析,对于nand还有其他操作,比如复位,擦除等操作,其实其实现都可以仿照我们实现读写的思路,进行实现。

u-boot分析(九)----nand flash初始化|nand flash读写分析的更多相关文章

  1. nor flash和nand flash的区别

    NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了 ...

  2. (三)NAND flash和NOR flash的区别详解

    我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH ...

  3. NAND flash和NOR flash的区别详解

    我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH ...

  4. NOR FLASH与NAND FLASH的区别

    NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了 ...

  5. nand flash 和nor flash 区别

    NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了 ...

  6. NOR FLASH与NAND FLASH

    整理自NOR FLASH 与NAND FLASH 1:NandFlash与NorFlash典型电路图 Nor Flash接原理图 从上图可以看出,该NorFlash采用并行地址和数据总线, 其中,21 ...

  7. NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别

    ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是 ...

  8. NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别d

    ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是 ...

  9. nor flash 和nand flash 的区别

    ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是 ...

随机推荐

  1. 编译 OpenWrt/LEDE 基本过程

    说明 前段时间花 110 从闲鱼淘了个 Newifi D1,这个路由的 Soc 是 MT7621AT,性能强劲,于是又开始折腾编译固件了,重新记录一下编译基本过程. 步骤 安装必要的软件包 sudo ...

  2. C语言中的常用函数_持续更新

    isspace函数: 背景:之前遇到scanf()输入时会把换行符留在输入队列的情况,如果下次要用到getchar(),但是会导致其先返回这个我们不需要的换行符:从而导致不希望出现的行为: 说明:检查 ...

  3. Python十大应用领域与就业方向

    参考链接:https://baijiahao.baidu.com/s?id=1604847283884842928&wfr=spider&for=pc 正文: 近些年,编程语言Pyth ...

  4. AD属性常量类

    参考:http://www.selfadsi.org/user-attributes.htm namespace Common { /// <summary> /// AD中的属性,没有出 ...

  5. 江西财经大学第一届程序设计竞赛 H

    链接:https://www.nowcoder.com/acm/contest/115/H来源:牛客网 题目描述 晚上,小P喜欢在寝室里一个个静静的学习或者思考,享受自由自在的单身生活. 他总是能从所 ...

  6. javscript---Bom 和Dom

    JavaScript分为 ECMAScript,DOM,BOM. ECMA javascript标准语法 BOM(Browser Object Model)是指浏览器对象模型,它使 JavaScrip ...

  7. MSF利用ms17-010漏洞过程记录

    1.使用网上以上一个监测工具,扫描出存在ms17-010的主机地址 2.在kali中使用MSF进行检测,存在mf17-010漏洞 msf > use auxiliary/scanner/smb/ ...

  8. Yiic执行php脚本

    用 Yii 写一个脚本,在 Linux 上运行这个脚本 1.编写好 XXXXCommand 继承 CConsoleCommand <?php namespace base\console; cl ...

  9. 爬虫(POST)——有道翻译(有bug)

    工具:python3 过程:抓包得到有道翻页面的url:复制post请求头,得到headers中的信息:复制post请求的body,得到formdata中的信息.构造post请求,返回响应 impor ...

  10. mysql 模拟一个自增序列

    文章出处:https://sdu0rj.axshare.com/%E4%BA%8C%E7%BA%A7%E5%AE%A2%E6%88%B7%E7%AE%A1%E7%90%86.html mysql没有像 ...