PW6513高压40V的LDO芯片，SOT89封装

一般说明 PW6513系列是一款高精度,高输入电压,低静态电流,高速,低具有高纹波抑制的线性稳压器.输入电压高达40V,负载电流为在电压=5V和VIN=7V时高达300mA.该设备采用BCD工艺制造.PW6513提供过电流限制.软启动和过温保护,确保设备工作在井况PW6513调节器采用标准SOT89-3L封装.标准产品无铅无卤素. 特征输入电压:4.75V~40V 输出电压:1.8V~5.7V 输出精度:<±2% 输出电流:150mA(典型值) 高达300mA@VIN=7V,VOUT=5V,…

LED板上芯片(COB)封装流程

LED 板上芯片(Chip On Board,COB)封装流程是,首先在基底表面用导热环氧树脂(一般用掺银颗粒的环氧树脂)覆盖硅片安放点, 然后将硅片间接安放正在基底表面,热处理至硅片牢固地固定正在基底为行,随后再用丝焊的方法正在硅片和基底之间间接建立电气连接.其封拆流程如下: 第一步:扩晶采用扩驰机将厂商提供的零驰 LED 晶片薄膜均匀扩驰,使附灭正在薄膜表面紧密陈列的 LED 晶粒拉开,便于刺晶. 第二步:背胶将扩好晶的扩晶环放正在未刮好银浆层的背胶机面上,背上银浆.点银浆.适用于散拆…

15V转5V转3.3V转3V芯片，DC-DC和LDO

15V电压是属于一般电压,降压转成5V电压,3.3V电压和3V电压,适用于这个电压的DC-DC很多,LDO也是有可以选择的.LDO芯片如PW6206,PW8600等.DC-DC芯片如:PW2162,PW2312,PW2558等等很多选择.如下表在15V输入中,比较合适的LDO可以选择:PW6206,输出电压3V,3.3V,5V 输入电压最高40V,功耗也低4uA左右. 芯片代理:深圳市夸克微科技郑R 13528458039 Q : 2867714804 在15V输入中,比较合适的DC-D…

Cadence 建立封装：多个引脚于芯片内部连接的封装建立方式

Ti 家有一种片子,型号为CSD19534Q5A.此芯片的外观样式如图: 可以看到,这个片子共有8个引脚,其中5.6.7和8这四个引脚的内部是连接在一起的. Ti 在数据手册中也介绍了封装的样式: 下面,就来看看如何制作此芯片的封装. 这里偷懒,先使用OrCAD Library Builder生成一个大体的封装样式,然后再手动修改. 首先打开OrCAD Library Builder,选择"Footprint Builder",然后选择SOTFL封装类型. 输入如下的参数后点击Gene…

一文看懂IC芯片生产流程：从设计到制造与封装

http://blog.csdn.net/yazhouren/article/details/50810114 芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样,先有晶圆作为地基,再层层往上叠的芯片制造流程后,就可产出必要的 IC 芯片(这些会在后面介绍).然而,没有设计图,拥有再强制造能力都没有用,因此,建筑师的角色相当重要.但是 IC 设计中的建筑师究竟是谁呢?本文接下来要针对 IC 设计做介绍. 在 IC 生产流程中,IC 多由专业 IC 设计公司进行规划.设计,像是联发科.高通.Intel 等知名大…

[专业名词·硬件] 2、DC\DC、LDO电源稳压基本常识（包含基本原理、高效率模块设计、常见问题、基于nRF51822电源管理模块分析等）·长文

综述先看这里第一节的1.1简单介绍了DC/DC是什么: 第二节是关于DC/DC的常见的疑问答疑,非常实用: 第三节是针对nRF51822这款芯片电源管理部分的DC/DC.LDO.1.8的详细分析,对于研究51822的人很有帮助: 第四节是对DC/DC的系统性介绍,非常全面: 第五节讲稳压电路的,没太多东西,可以跳过: 第六节讲LDO的,包含LDO和DC/DC的选型建议.LDO电容的选择等,很好: 第七八两节从专业角度给出提高电源效率的建议(目前还用不到). 一.DC/DC转换器是什么意思 le…

三节锂电池充电管理芯片，IC电路图如何设计

关于三节锂电池供电的产品,在三节锂电池上,需要三个电路系统: 1,三节锂电池保护电路, 2,三节锂电池充电电路, 3,三节锂电池输出电路. 1.三节锂电池保护电路,芯片电路图控制三节锂电池池的充电电压,放电电压和过流保护等功能,和电解反接,输出短路保护等 2.三节锂电池充电电路 PW4053,输入5V,升压输出12.6V的三节锂电池充电管理芯片,1A: PW4203,输入15V-20V,降压输出12.6V的三节锂电池充电电流芯片,2A 3.三节锂电池输出电路对于三节锂电池的输出来说,如果是D…

选择LDO的方法（转）

http://www.micro-bridge.com/news/sort.asp?dy1=技术资料&dy2=产品相关资料&page=2 作者:LANDA PHAM 来源:德州仪器公司关键字:LDO 在选择低压降线性调节器(LDO) 时,需要考虑的基本问题包括输入电压范围.预期输出电压.负载电流范围以及其封装的功耗能力.但是,便携式应用需要考虑更多问题.接地电流或静态电流 (IGND 或 IQ).电源波纹抑止比 (PSRR).噪声与封装大小通常是为便携式应用决定最佳 LDO 选择的要…

【转】从此以后谁也别说我不懂LDO了！

LDO是个很简单的器件,但是我跟客户沟通的过程中,发现客户工程师的技术水平参差不齐,有的工程师只是follow 别人以前的设计,任何原理和设计方法都不懂,希望大家看完这篇文章都能成为LDO 专家. 第一个问题:什么是LDO? LDO即low dropout regulator,是一种低压差线性稳压器.我们常用的7805等等常常被称为LDO,其实7805这种芯片dropout电压大的不要不要的,以LM78L05为例,大电流的最小压降要在2V以上,比如一个应用需要6v转5v,LM78L05就不合适了…

LDO和BUCK降压稳压器对比

LDO和BUCK降压稳压器对比在采用MCU/DSP/FPGA设计的控制系统中,低压输入级(一般在12V以下),输出5V/3.3V/1.8V/1.5V/1.2V的电路中,常用的电源芯片是BUCK(降压型)开关稳压器和LDO(低压差)线性稳压器.这两款电源芯片在应用中,有着各自的优缺点,在电路设计时,需要根据实际有选择地使用.一.LDO和BUCK降压稳压器对比 1.当输入电压为高电压时(一般是>5V的时候),并且输入输出压差很大时,需要选用BUCK开关稳压器,这种情况下,采用开关…

BQ40Z50固件怎么升级？告诉你BQ系列芯片内部结构和升级方法

一 BQ芯片初步认识包括BQ40Z50在内,BQ系列电池管理芯片看起来是一个芯片,其实芯片里面封装了两个die.一个是MCU部分负责计算和控制,其采用的是bqBMP内核的16位处理器:另外一个die是模拟前端AFE,负责模拟信号处理部分,主要功能是处理电压电流温度信号,包括放大,MUX,MOS驱动和一些硬件保护逻辑.两个芯片的绑定类似下图结构: 二 BQ芯片内部结构 MCU和AFE间主要接口有:电流采样库仑计CC,电压温度采样ADC,GPIO和专用串口通信.类似我们用分立器件MSP430+BQ…

PCB的封装尺寸

PCB封装主要分为贴片式与插件式 1)贴片元件封装说明发光二极管:颜色有红.黄.绿.蓝之分,亮度分普亮.高亮.超亮三个等级,常用的封装形式有三类:0805.1206.121 (常用封装为RB.1/.2 ) 引申出来的有:0805C.0805D.0805L等二极管:根据所承受电流的的限度,封装形式大致分为两类,小电流型(如1N4148)封装为1206, 大电流型(如IN4007)暂没有具体封装形式,只能给出具体尺寸:5.5 X 3 X 0.5电容:可分为无极性和有极性两类,无极性电容下述两类封…

《FPGA全程进阶---实战演练》第二十一章电源常用类型：LDO和 DCDC

高速电路中的电源设计高速电路中的电源设计大概分为两种,一种是集总式架构,一种是分布式架构.集总式架构就是由一个电源输入,然后生成多种所需要的电压.如图1所示.这种架构会增加多个DC/DC模块,这样成本不可控,PCB面积也需要增加,但集总式分布架构可以提高整体电源转换效率. 图1 集总分布架构分布式架构是先由一个模块生成一个中间电压,然后再去转换成其他单板所需要的电压,如图2所示.第一级输出可以要求有较大的噪声和纹波,第二级电源输出所需要的各种电源,这时必须考虑纹波和噪声问题.但分布式也有一个…

射频识别技术漫谈(20)——RC系列射频接口芯片

目前基于13.56MHz的射频识别技术主要有ISO14443A.ISO14443B.ISO15693和FELICA技术.针对13.56MHz的射频识别技术,NXP开发了一系列名字以RC(Radio Chip)开头的射频接口芯片,包括RC500.RC400.RC530.RC531.RC632等,这些芯片的设计架构.引脚排列.内部寄存器阵列.天线设计等方面基本相同,不同之处主要是与微控制器的接口界面.支持的协议种类等不一样.后来的RC522.PN512也大体继承了同样的设计思路,只是在供电电压和封装…

known good die( KGD) /确认好裸芯片，合格芯片

英文:known good die( KGD) / 中文:确认好裸芯片,合格芯片完工的晶圆上有许多晶片存在,其单一品质有好有坏,经过老化试验后,其确知电性能良好的晶片即称为己知好晶片.不过,已知好晶片的定义具有很大分歧,即使同一公司对不同产品,或同一产品又有不同客户时,其定义也都难以一致.一种代表性说法是"某种晶片经老化与电测后仍有良好的电性品质,续经封装与组装的量产一年以上,仍能维持其良好率99.5%以上者,这种品片方可称为已知好晶片". map就是一个地图,WAFER来料时没有点…

PCB封装技术

TQFP(thin quad flat package,即薄塑封四角扁平封装)薄四方扁平封装低成本,低高度引线框封装方案. MLF(MicroLeadFrame),MLF接近于芯片级封装(Chip Scale Package,CSP),用封装的底部引线端提供到PCB板的电气接触,而不是到海鸥翅膀形状引线的soic和qual封装,因此,这种封装有利于保证散热和电气性能.便携式应用是它的主要动力来源. SOIC(Small Outline Integrated Circuit Package),小外…

CPU封装技术介绍

所谓“CPU封装技术”是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术.以CPU为例,我们实际看到的体积和外观并不是真正的CPU内核的大小和面貌,而是CPU内核等元件经过封装后的产品. CPU封装对于芯片来说是必须的,也是至关重要的.因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降.另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输.由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造,因此它是至关重要的.封装也可以说是指安装半导体集成电…

BGA256芯片植球全过程体验（原创）

今天工具到位,迫不亟待,需要对手上的BGA256的FPGA芯片进行植球, 该芯片买来的时候是有球的,只是在焊接后,由于电路板故障或焊接问题,需要拆下来芯片,导致球损失,需要重新植球. 一般植球都是将所有的球全部干掉,重新植球.本次植球,由于没钢网,所以全部采用手工摆放植球. 参考步骤如下, 一.BGA芯片 EP1K100FC256-3N 封装:BGA256(16*16) 1mm间距焊盘尺寸:0.55mm(选用球大小也为0.55mm) 二.使用BGA工具台将芯片固定 1.先使用烙铁将芯片的焊盘多…

[资料] 常见的IC芯片解密方法与原理解析！

其实了解芯片解密方法之前先要知道什么是芯片解密,网络上对芯片解密的定义很多,其实芯片解密就是通过半导体反向开发技术手段,将已加密的芯片变为不加密的芯片,进而使用编程器读取程序出来. 芯片解密所要具备的条件是: 第一.你有一定的知识,懂得如何将一个已加密的芯片变为不加密. 第二.必须有读取程序的工具,可能有人就会说,无非就是一个编程器.是的,就是一个编程器,但并非所有的编程器是具备可以读的功能.这也是就为什么我们有时候为了解密一个芯片而会去开发一个可读编程器的原因.具备有一个可读的编程…

计算机系统2->从芯片说起 | 芯片怎样诞生

这部分数字逻辑课上老师在讲CMOS部分时有讲过,当时在课堂上放了一个全英的视频,没怎么看懂,现在在研究计算机系统,自底层说起,也得从这讲起. 主要参考: <嵌入式C语言自我素养> b站相关科普视频(文中给出链接) 00 从沙子到单晶硅在所有的半导体材料中,目前只有硅在集成电路中大规模应用:在自然界中,Si是含量第二丰富的元素,如沙子中就含大量二氧化硅. 还记得高中化学必修一的内容吗?从沙子中提取高精度硅: 这时我们得到的是多晶硅,我们将多晶硅放入高温反应炉中融化,通过拉晶做出单晶硅棒(单晶硅…

北桥芯片(north bridge/host bridge)

看下上面的图,会比较清晰的认识到北桥芯片所在位置北桥芯片(North Bridge) 是mother board chipset(主板芯片组) 中起主导作用的最重要的组成部分,也称为主桥(Host Bridge). 一般来说,芯片组的名称就是以北桥芯片的名称来命名的,例如intel 845E芯片组…

两节锂电池充电芯片，和保护IC的接法

1.两节锂电池的充电电路:可以分为三种方式. 第一种,USB口的5V输入,使用一颗SOT23-6的升压IC,直接升压到8.4V.电流在1A以下.优点是成本最低,缺点是,没有锂电池充电控制逻辑,和锂电池指示灯. 由于最早期时,专门的双节充电芯片还很少不常见和难购买的问题,才很多迫不得已采用DC-DC升压来做, 第二种充电电路: 目前主流5V输入,专门升压充两节的锂电池充电芯片已经是很普遍了,如PL7501C,常见物料,升压+充电+指示灯,采购也方便,成本也低,也是都转用专门的两节锂电池充电管理芯片…

18V转5V，18V转3.3V，18V转3V稳压芯片，0.01A-3A输出

18V转5V,18V转3.3V,18V转3V, 18V转5V稳压芯片,18V转3.3V稳压芯片,18V转3V稳压芯片, 18V常降压转成5V电压,3.3V电压和3V电压给其他芯片或设备供电,适用于这个电压的DC-DC很多,LDO也是有可以选择的.LDO芯片如PW6206,PW8600等.DC-DC芯片如:PW2162,PW2312,PW2330等等很多选择.如下表在18V输入中,比较合适的LDO可以选择:PW6206,输出电压3V,3.3V,5V 输入电压最高40V,功耗也低4uA左右,封装S…

干电池升压IC

1, 干电池升压IC 升压输出3V,3,3V,5V等3V-5V可调 2, 单节锂电池升压IC 升压输出4.2V-15V可调 3, 单节锂电池充电IC 输入4.5V-20V,充电电流3MA-3000mA 4, 单节锂电池保护IC 保护板 5, 双节锂电池升压IC 升压输出6V-20V…

微控制器（MCU）破解秘笈--背景知识

2.1 硅芯片安全措施的演变工业控制器的硬件安全措施与嵌入式系统同时开始发展.三十年前的系统是由分离的部件如CPU,ROM,RAM,I/O缓冲器,串口和其他通信与控制接口组成的.如图2-1所示: 图2-1 通用的嵌入式控制器.PCB上的每个部件很容易辨别且极易被复制. 在早期,除法律和经济外,几乎没有保护措施来防止别人复制这些设备.例如:ROM是用低成本的掩膜技术制造的,可用EPROM轻易复制,但后者通常要贵3-10倍或更多,或通过定制掩膜ROM,那就需要很长的时间和很大的投资.另一种…

SMT实用工艺

第一章 SMT概述 SMT(表面组装技术)是新一代电子组装技术.经过20世纪80年代和90年代的迅速发展,已进入成熟期.SMT已经成为一个涉及面广,内容丰富,跨多学科的综合性高新技术.最新几年,SMT又进入一个新的发展高潮,已经成为电子组装技术的主流. 1.1SMT概述 SMT是无需对印制板钻插装孔,直接将处式元器件或适合于表面组装的微型元件器贴.焊到印制或其他基板表面规定位置上的装联技术. 由于各种片式元器件的几何尺寸和占空间体积比插装元器件小得多,这种组装形式具有结构紧凑.体积小.耐振动.抗…

【转】电源芯片选型，容易忽略的“QC”

某公司自主研发的智能水表刚上市半年,随后此产品陆续接到用户投诉没电的情况,公司售后不得不花大量人力到用户现场更换电池,处理异常,导致公司损失惨重.但是该产品说明书中标称电池可以工作三年,为何半年左右电池就耗尽? 最终发现问题就出在选用的电源芯片上.粗心的工程师忽略了LDO的“QC”参数--“Quiescent Current--静态电流”,在关闭功能电路后,仍有电流消耗在电源芯片上,电池很快耗尽. 电源电路是产品的核心,不管是开关电源芯片,还是线性稳压LDO,芯片除了向外部供电外,自身也要消耗电…