将FPGA代码和实际的数字电路对应起来. always @ (negedge clk_ref_200)     begin     if(ddr3_init_done)    'b10)   'b10)   //应该是2'b  写错,导致下面ddr_init_rst_i和ddr_init_rst_i的S引脚上为"00"时输出为1.应该ddr_init_rst_i和ddr_init_rst_i的S引脚上为"10"时输出为1. 来自为知笔记(Wiz)…

很多人做了很久的FPGA,知道怎么去给信号分配引脚,却对这些引脚的功能及其资源限制知之甚少:在第一章里对Zynq7000系列的系统框架进行了分析和论述,对Zynq7000系列的基本资源和概念有了大致的认识,然而要很好地进行硬件设计,还必须了解芯片的引脚特性,以确定其是否符合我们的选型要求,这些要求包括GTX引脚数目.select IO引脚数目.select IO引脚的资源配置情况.PS IO的数目及类型等. 1.       Zynq7000系列引脚分类 Zynq7000系列引脚的分类是确定的,…

1.概述 i.MX 6ULL系列芯片的MMDC是一个多模式DDR控制器,支持DDR3/DDR3Lx16和LPDDR2x16的存储类型,MMDC是可配置,高性能,优化的内存控制器. 注:DDR3/DDR3Lx16.LPDDR2x16 ,此处的x16表示芯片位宽,每个传输周期能够提供的数据量(bit).也就是说明,如果要提供32位的位宽内存存储,需要2颗以上型号的内存进行并联使用. 下面是MMDC逻辑框图: MMDC由内核(MMDC_CORE)和物理层(MMDC_PHYl)两部分构成. 内核负责通过…

一. 软件平台与硬件平台 软件平台: 1.操作系统:Windows-8.1 2.开发套件:无 3.仿真工具:无 硬件平台: 1. FPGA型号:无 2. DDR3型号:无 二. 存储器的分类 存储器一般来说可以分为内部存储器(内存),外部存储器(外存),缓冲存储器(缓存)以及闪存这几个大类.内存也称为主存储器,位于系统主机板上,可以同CPU直接进行信息交换.其主要特点是:运行速度快,容量小.外存也称为辅助存储器,不能与CPU之间直接进行信息交换.其主要特点是:存取速度相对内存要慢得多,存储容量大…

ODT ( On-DieTermination ,片内终结)ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破,所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸 收掉,而不会在电路上形成反射, 造成对后面信号的影响. 顾名思义, ODT 就是将端接电阻移植 到了芯片内部,主板上不再有端接电路.在进入DDR 时代, DDR 内存对工作环境提出更高的要求,如 果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象, 就会对后面信号的影响造成 运算出错.因此目前支持DDR主板都是通过采用终结…

图中虚线是自动跳转,实线是通过发送命令才能跳转的. 下面是框中对应的命令. ACT = ACTIVATE MPR = Multipurpose register MRS = Mode register set PDE = Power-down entry PDX = Power-down exit PREA = PRECHARGE ALL PRE = PRECHARGE READ = RD, RDS4, RDS8 ZQCL = ZQ LONG CALIBRATION REF = REFRESH…

基本知识 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory 简称 DDR SDRAM 双倍数据率同步动态随机存取内存 DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输 DDR芯片的数据总线有 8位 16位 32位,如果是8位芯片则64位的数据总线需要8颗DDR3芯片. DDR芯片引脚介绍 CK,CK#:差分时钟信号.所有控制和地址输入信号在CK上升沿和CK#下降沿交叉处被采样,输入数据选通(DQS,DQS#)参考C…

一.容量和封装相关 (1)逻辑Bank数量增加 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,而DDR3起始的逻辑Bank是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备. (2)封装(Packages) DDR2有60/68/84球FBGA封装三种规格. DDR3由于新增了一些功能,所以引脚有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,并且DDR3必须是绿色封装. DDR3学习笔记 分类: 服务器与存储 2014-02-20 12:09:52 原…

首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理.对于内存,这个单元格可称为存储单元,那么这个表格(存储阵列)就是逻辑 Bank(Logical Bank,下面简称Bank). DDR3内部Bank示意图,…

以下是EDD5116AFTA数据手册的摘录.不过看过了还是不太明白二者的区别. self-refresh:Self-refresh entry [SELF]This command starts self-refresh. The self-refresh operation continues as long as CKE is held low. 只要CKE为低就开始自刷新/During the selfrefresh operation, all ROW addresses are rep…