腾讯科技讯 据外媒报道,经过50年的发展,半导体市场仍然显得非常活跃,它在今年有望增长20%.随着高增长而来的是供应短缺,这就是DRAM和闪存价格为什么今年会上涨的原因. 三星在DRAM和闪存市场占有半壁江山.它计划明年将其在生产方面的资本支出预算提到1.5倍,提高至260亿美元.相对而言,英特尔在2017年的资本支出预算仅为120亿美元,较2016年增长了25%.事实上,三星的预算约为2017年三家大公司英特尔.台积电和SK海力士的资本支出预算的总和. 三星的主要竞争对手现在面临着一个艰难的抉…

集邦科技(TrendForce)旗下的分析部门DRAMeXchange的研究,针对对DRAM与NANDFlash产业的长久观察下,提出了对2012-2015年间产业发展的六大趋势预测:     趋势一.PC-DRAM现阶段主流规格DDR3将主宰市场至2014年 2011年开始PC-DRAM的主流规格已升级为DDR3,DRAMeXchange预期其主流地位至少将维持到2014年.JEDEC组织虽然在2012年将正式公布DDR4的标准规格,但DRAMeXchange对DDR4是否能遵循DDR与DDR…

最近开发中有个别客户反馈新换的三星.小米或者华为手机打开应用就闪退,而且是个别型号.针对这种情况特别查阅了一些资料,原因是8.0+系统的手机不允许后台创建服务,那么怎么修改呢,请看代码: 1.修改启动方法 if (Build.VERSION.SDK_INT >= Build.VERSION_CODES.O) { context.startForegroundService(intent); } else { context.startService(intent); } 2.在service里o…

原标题:芯片超英特尔,盈利比肩苹果:三星现在是科技界“全民公敌”了   当人们津津乐道于三星的手机业务或者是电视业务时,它已静悄悄的拿下了芯片行业的第一,并且凭借着在芯片上的巨大获利让它的老对手们眼红.   2017年第二季度(4-6月)三星的营业利润达126.7亿美元,同比增长72.7%.净利润约合99.3亿美元.在分析师的预期中,这组数据将超过即将发布季报的苹果,实现三星在单季利润上的首次逆袭.   从起初日本企业背后的“好学生”,到垂直整合模式的“最佳代言人”,三星在半导体业务上蓄势已久,…

DRAM芯片战争,跨越40年的生死搏杀 超级工程一览 ·2017-08-20 12:50·半导体行业观察 阅读:1.4万 来源:内容来自超级工程一览 , 谢谢. DRAM是动态随机存储器的意思,也就是电脑内存.对于今天的消费者来说,电脑内存只是些绿色的小条条,售价不过几百元.然而这些小玩意,却走过了长达120年的复杂演进历史.从百年前的穿孔纸卡.磁鼓.磁芯到半导体晶体管DRAM内存.人们已经很难想象,一个电冰箱大小的计算机存储器,只能存储几K数据,售价却高达几万美元.在中国市场,1994年的时候…

Repost: https://news.mydrivers.com/1/477/477251.htm 上个月底武汉新芯科技主导的国家级存储器产业基地正式动工,在大基金的支持下该项目将投资240亿美元建设国内最大.最先进的存储器芯片基地.如此巨额的投资使得该项目争议不小,不过更应该注意的是国内公司这次进军存储芯片的起点不低,新建的12寸晶圆厂投产后直接生产3D NAND闪存,这可是当前闪存市场的大热门,来势凶猛.那么3D NAND闪存市场现在到底是个什么样呢? 3D NAND闪存是个啥?让国内如…

集微网消息(文/刘洋)2017年1月14日,首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会暨ICTech Summit 2017在上海隆重举行.本次峰会以“匠心独运 卓越创‘芯’”为主题,集结了ICT产业领袖与行业精英,在年前献上一场前所未有的饕餮盛宴.   长江存储CEO杨士宁先生   长江存储CEO杨士宁先生以<发展存储产业的战略思考>为题,分别从市场动力.可能成功的外界条件.必须成功的内在努力和长江存储的计划及进展四个方面做一一讲解.   存储器是具备可以储存图像数据或文字数据.程序等信息,在必要时取…

等等党,是一群数量颇大的消费群体.他们的消费习性是绝不买刚上市的新品,而是一直等.等到他们认为产品的价格已经跌无可跌,或者性价比十足的时候再出手.不得不说,与早买早享受的尝鲜消费群体相比,等等党代表了一种更为理智的消费理念.而针对近段时间的手机产品,戏称自己"永不为奴"的等等党大获全胜!这是因为,高中低档的手机近来价格全线暴跌. 不管是华为.OPPO.vovo,还是小米.魅族等,都没能逃离旗下手机价格垂直降落,甚至惨遭"腰斩"的命运.这究竟是为什么呢?从大方向上来看…

ylbtech-公司-半导体:Micron 美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一.通过全球化的运营,美光公司制造并向市场推出DRAM.NAND闪存.CMOS图像传感器.其它半导体组件以及存储器模块,用于前沿计算.消费品.网络和移动便携产品.美光公司普通股代码为MU,在纽约证券交易所交易(NYSE). 1.返回顶部 1. 中文名:美光科技 外文名:Micron Technology, Inc 类    型:高级半导体解决方案供应…

ylbtech-AI-Info-Micron:用内存解决方案演化神经网络智能 1.返回顶部 1. 用内存解决方案演化神经网络智能 我们的大脑每天会进行数千次极其复杂的操作.无论是提醒我们小心被炉子烫到还是识别文件中的数字和字母,我们的植物性神经系统都能比任何现有的计算机系统更有效地管理复杂的功能.计算机系统可能永远不会达到人脑水平,但神经网络的出现正在缩小两者之间的差距.通过模仿神经元的连接, 神经网络的人工智能水平可以迈上崭新的台阶. 神经网络模仿人类神经元簇 对于像人类大脑一样运作的神经网络…

相关研究指出,如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM,可节省高达90%的功耗:如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM,则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸,这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有力竞争者.而相较于传统的NAND闪存,PCRAM或ReRAM存储级存储器更可提供超过10倍以上的存取速度,更适合在云端对资料进行存储. MRAM是一种非易失性存储技术,从20世纪90年代开始发展.该技术具备接近静态随机存储器的高速读取写入能力,快闪存储器的非易…

导读 NAND闪存价格已经连跌了6个季度,这让上游NAND厂商三星.东芝.美光等损失惨重,纷纷削减NAND产能.在群联台北电脑展上,群联公司董事长潘建成也预测NAND闪存价格已经跌破了成本,未来跌幅会收窄,需求则会升温. NAND闪存价格已经连跌了6个季度,这让上游NAND厂商三星.东芝.美光等损失惨重,纷纷削减NAND产能.在群联台北电脑展上,群联公司董事长潘建成也预测NAND闪存价格已经跌破了成本,未来跌幅会收窄,需求则会升温. 集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发布了Q1季度NAN…

如何为嵌入式应用选择适当的SSD Selecting the right SSD for evolving embedded applications 变革涉及技术的每一个要素,闪存也不例外.价格下跌加上闪存技术的进步,引发了固态磁盘(SSD)市场的暴涨.由于其卓越的性能,它们正越来越多地取代硬盘驱动器(hdd),并在越来越多的嵌入式计算应用中找到新的角色. 现在,该行业发现自己正处于另一个转变中--从2D NAND到3D NAND flash,它通过多层垂直堆叠存储单元来实现更高的存储密度和更…

雷帝网 乐天 8月7日报道 作为NAND行业的新晋者,长江存储科技有限责任公司(简称:长江存储)今天公开发布其突破性技术--XtackingTM.据知情人士透露,这之前存储一直都是三星的强项. 长江存储称,该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,及更短的产品上市周期. 采用XtackingTM,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路.这样的加工方式有利于选择合适的逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能.存储单元同样也将…

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算 机的内存.        RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但 是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(…

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D…

                      SRAM/DRAM,PROM/EPROM/EEPROM,NOR/NAND FLASH区别 RAM / ROM 存储器 ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM 有两大类: 1) 静态RAM(Static RAM / SRAM),SRAM…

ROM(Read Only Memory)和RAM(Random Access Memory)指的都是半导体存储器.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,但是访问速度快.典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备,但是也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),D…

1.ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据. 2.RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,而且不需要刷新,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM…

一.浅谈关于SRAM和DRAM的区别:https://www.cnblogs.com/nano94/p/4014082.html. 二.ROM.RAM.DRAM.SRAM和FLASH的区别,转自:http://www.eepw.com.cn/article/275436.htm. ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失…

据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器(eFlash)的嵌入式磁阻随机访问内存(eMRAM),容量为1Gb,测试芯片的优良率已达90%. 随着5G物联网时代的来临,存储器领域发展快速,而在这一领域,韩系厂商拥有着比较明显的优势. MRAM芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内存以及硬盘的新型存储器介质.写入速度可达到NAND闪存的数千倍,此外其制作工艺要求低,产品良品率高,可以很好的控制成本.在寿命方面由于MRAM特殊的存储方式,产品的寿命耐久性也远远超传…

武汉新芯集成电路制造公司(XMC)是地方政府投资的半导体企业,2006年由湖北省.武汉市.武汉市东湖高新区投资,并由东湖高新区管理的全资国有企业,前几年委托SMIC(中芯国际)经营管理,从2012年底起独立经营.“目前已组建了完整的国际化团队,包括研发生产.市场销售和IP管理等方面的专家,核心管理团队成员具有几十年的国内外知名公司从业经验.”武汉新芯董事长王继增说. 本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/203118.htm IP体系建成 XMC自独立运营伊…

武汉新芯集成电路制造公司(XMC)2006成立,2012年底起独立经营,是国有制企业.为了区别于本土的制造巨头SMIC(中芯国际)和华力微电子(HLMC)等,XMC将立足存储器制造.近日,武汉新芯董事长王继增告诉笔者. 本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/215136.htm NOR Flash制造领先 这是由于武汉新芯的最大客户来自于NOR闪存.XMC成立之初,曾委托SMIC进行经营管理,当时XMC就开始为Spansion代工NOR闪存.目前NOR有两大…

最近一直在看大家在讨论sandisk,pny,金士顿等大厂都开始用tlc的芯片问题,让大家基本都不敢用U盘存数据了按照之前的擦写参数TLC        1000次MLC       10000次SLC        4万-10万次(这个也是前几天看论坛才知道不同制程的slc擦写次数不一样)注明是擦写意思就是你把里面东西删除了再存上一次才算一次擦写,只读取里面文件的不算假设你一天需要3次擦写那么全新的TLC可以用到2014年全新的mlc可以用到2041年全新的slc可以给你的孙子的孙子了大家现在…

SLC 和MLC分别是是Single Layer Cell 单层单元和Multi-Level Cell多层单元的缩写,SLC的特点是成本高.容量小.速度快,而MLC的特点是容量大成本低,但是速度慢.MLC的每个单元是2bit的,相对SLC来说整整多了一倍.不过,由于每个MLC存储单元中存放的资料较多,结构相对复杂,出错的几率会增加,必须进行错误修正,这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存. 存储单元分为两类:SLC(Single Level Cell 单层单元)和MLC(Multi-L…

文章主体转载自: 1.zol摩尔定律全靠它 CPU光刻技术分析与展望 2.wiki:Extreme ultraviolet lithography 3.ITRS 2012 1. 光刻技术组成和关键点 ● 光刻技术的组成与关键点 光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上. 主要组成部分如下: 光源 功率W 波长$ \lambda $ 光学透镜 透射式透镜(248nm.193nm) 反射式透镜(157nm) 掩膜版 由透光的…

转自:http://qiaodahai.com/solid-state-drives-ssd-and-flash-memory.html 固态硬盘SSD(Solid State Drive)泛指使用NAND Flash组成的固态硬盘,其特别之处在于没有机械结构,利用传统的NAND Flash特性,以区块写入和抹除的方式作读写的功能,因此在读写的效率上,非常依赖读写技术上的设计,与目前的传统硬盘相较,具有低耗电.耐震.稳定性高.耐低温等优点. 世界上第一款固态硬盘出现于1989年,不过由于其价格过…

一.内存详解 NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block),这些区块是 NAND器件中最小的可擦除实体.擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为"1"(而所有字节(byte)设置为FFh).有必要通过编程,将已擦除 的位从"1"变为"0".最小的编程实体是字节(byte).一些NOR闪存能同时执行读写操作(见下图1).虽然NAND不能同时执行读写操作,它可以采用称为"映射(shadowing)"的方法,在系统级实…

固态硬盘(Solid State Disk或Solid State Drive),也称作电子硬盘或者固态电子盘,是由控制单元和固态存储单元(DRAM或FLASH芯片)组成的硬盘. 固态硬盘的接口规范和定义.功能及使用方法上与普通硬盘的相同,在产品外形和尺寸上也与普通硬盘一致.由于固态硬盘没有普通硬盘的旋转介质,因而抗震性极佳.其芯片的工作温度范围很宽(-40~85摄氏度).目前广泛应用于军事.车载.工控.视频监控.网络监控.网络终端.电力.医疗.航空等.导航设备等领域. 本文将详细解析SSD固态…

早期的闪存产品每个厂家的设计标准各有不同,会碰到各种各样的问题,特别是到了06年之后,闪存产业市场需求开始发力,造成了迫切需要一个统一的标准来改变这个问题. 2007年1月,以英特尔,镁光,海力士,意法半导体,力晶为首的NAND闪存厂商和控制芯片开发商台湾群联电子以及产品厂商索尼等宣布统一制定连接NAND闪存和控制芯片的接口标准“ONFI 1.0”.       ONFI 1.0制定的是包括:闪存指令,寄存器集,引脚排列,电气参数以及封装等有关标准.主要是从包括东芝和三星在内各NAND闪存厂商的…