说明: 根据物理结构上的区别 , NandFlash主要分为如下两类:1)•SLC (Single Level Cell): 单层式存储2)•MLC (Multi Level Cell): 多层式存储@:SLC在存储格上只存一位数据, 而MLC则存放两位数据. 1.nand.c #define NFCONF (*(volatile unsigned long*)0x4E000000)#define NFCONT (*(volatile unsigned long*)0x4E000004)#def…

由于喜欢折腾,我是在linux下使用jlink的,既然JLinkExe可以进行内存读写操作,loadbin等操作,并且通过指定命令文件支持批量指令输入,那么首先jlink是可以直接访问内部存储器的,包括它的RAM和各种Soc上外设如存储控制器,串口配置寄存器等,但是不能直接访问外部存储器,如Norflash.这样一来,先关狗,设好时钟,然后通过wmem32一系列命令,操作存储控制器,这样就可以访问SRAM,然后loadbin到内存,再写回到norflash,或者nandflash,其中nandf…

NANDFLASH: Nand-flash内存是flash内存的一种,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构.其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案.Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机.MP3随身听记忆卡.体积小巧的U盘等. NORFLASH: NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术.NOR的特点是芯片内执行…

1.NandFlash分类 根据物理结构上的区别,NandFlash主要分为如下两类:•SLC (Single Level Cell): 单层式存储•MLC (Multi Level Cell): 多层式存储SLC在存储格上只存一位数据,而MLC则存放两位数据. 2.MLC与SLC对比 价格:由于MLC采用了更高密度的存储方式,因此同容量的MLC价格上远低于SLC.访问速度:SLC的访问速度一般要比MLC快3倍以上.使用寿命:SLC能进行10万次的擦写,MLC能进行1万次功耗:MLC功耗比SLC…

u-boot中nandflash初始化流程分析(转) 原文地址http://zhuairlunjj.blog.163.com/blog/static/80050945201092011249136/   下面对nand flash的初始化代码nand_init()进行分析: 1.如果定义(CONFIG_COMMANDS & CFG_CMD_NAND)没定义(CFG_NAND_LEGACY) 则start_armboot()调用driver/nand/nand.c中的nand_init(),否则如…

在淘宝上买修改openwrt的路由器,基本上都是改的16MB flash,那么为什么不改到1GB呢? 现在U盘的价格也很便宜啊. 于是我调查了一下,发现flash分为两种,NorFlash与NandFlash. 一般路由器需要一个bootloader来启动,一开始上电启动的时候,从0x00开启运行代码, 这个bootloader代码一般是可写的,不是固化在ROM里的,是烧写在flash里面的. 那么需要从flash里面运行代码这一点,就决定了路由器需要采用NorFlash,而不是NandFlas…

WinCE开机启动Logo使用Eboot读取NandFlash中的图片数据,然后显示的方式.对于开机logo的方式网友http://jazka.blog.51cto.com/809003/664131有了详细的描述.但是自己在运用的时候遇到了一些问题.现在重新进行整理. 在loader.h中增加保留的block提供给图片用. [cpp] view plaincopy #define LOGO_BLOCK              8 #define LOGO_SECTOR_SIZE       …

在mini2440的教程中,在构建nandflash系统的时候是首先通过supervivi借助dnw烧写uboot.bin到nand flash 第零块, 由于我使用的是64位操作系统,usb驱动没安装成功,就尝试了其他方法烧写uboot.bin到nandflash,尝试了N多种方法都失败了, 静下心来一想,既然NORFLASh中的uboot可以启动,为什么不直接通过uboot烧写呢,于是就试了一下,UBOOT下用tftp下载到内存,然后用nand write 指令烧写,成功了…

  Flash编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写成1.所以在Flash编程之前,必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程,块内的所有字节变为0xFF.因此可以说,编程是将相应位写0的过程,而擦除是将相应位写1的过程,两者的执行过程完全相反. (1)闪存芯片读写的基本单位不同        应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块,有时块内还分扇区.读写时需要同时…

转自:http://www.aiuxian.com/article/p-2796357.html 电子产品如果没有了电,就跟废品没什么区别,是电赋予了他们生命,然而程序则是他们的灵魂. 小时候一直很好奇,一个个死板的电子产品为什么一上电以后就能够工作了呢?为什么一个小小芯片就能够运行我们编写的程序呢?一个开发板从刚上电到整个操作系统能够运行起来是怎么办到的呢?这些东西困扰了好久,参考了好多资料现在才慢慢弄明白其中一些原理. 我们现在接触的大多数电子产品都是使用数字电路设计出来的,数字电路的精髓就…

MTD,Memory Technology Device即内存技术设备,在Linux内核中,引入MTD层为NOR FLASH和NAND FLASH设备提供统一接口.MTD将文件系统与底层FLASH存储器进行了隔离. 如上图所示,MTD设备通常可分为四层,从上到下依次是:设备节点.MTD设备层.MTD原始设备层.硬件驱动层. Flash硬件驱动层:Flash硬件驱动层负责对Flash硬件的读.写和擦除操作.MTD设备的Nand Flash芯片的驱动则drivers/mtd/nand/子目录下,No…

1.nandflash就是嵌入式系统的硬盘 2.分类(1)MLC:存储单元格存储两位,慢,偏移,寿命短,容量大(2)SLC:存储一位.快,寿命长,容量小,昂贵 3访问:(1)独立编址,有专用的控制器,控制器里有相应的寄存器,先送地址,然后命令,最后数据(2)地址组成:行地址(页编号),列地址(在页中的偏移),一个nand可以有很多块,每一块可以很多页,每一页的两个部分可以不同规格(3)信号引脚: 4.初始化nand控制器,(搜索关键字operation)(1)初始化NFCONF,配置三个重要的与…

NandFlash详述 转自:http://wenku.baidu.com/view/04d9330bb52acfc789ebc92f.html?re=view 1. 硬件特性: [Flash的硬件实现机制] Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的如硬盘,ROM等, 与此相对的,易失性就是断电…

以TC58NVG2S3ETA00 为例: 下面是它的一些物理参数: 图一 图二 图三 图四 图五 图6-0 图6-1 说明一下,在图6-1中中间的那个布局表可以看做是实际的NandFlash一页数据的布局,其中Data区域用于存放有效的数据,也就是我们可以通过类似read.write.pread.pwrite可以访问的区域,那每页中的64字节的OOB区域是无法通过前面的几个函数访问的,他们会自动跳过OOB区域,访问OOB区域需要借助特殊的命令. 简单说明一下:Data A(512B)对应的ECC…

转:http://blog.csdn.net/zhouzhuan2008/article/details/11053877 目录 MTD总概述 MTD数据结构 MTD相关层实现 MTD,Memory Technology Device即内存技术设备 字符设备和块设备的区别在于前者只能被顺序读写,后者可以随机访问:同时,两者读写数据的基本单元不同. 字符设备,以字节为基本单位,在Linux中,字符设备实现的比较简单,不需要缓冲区即可直接读写,内核例程和用户态API一一对应,用户层的Read函数直接…

今天在公司我们队长问我个问题,关于cortex的sd启动流程和nandflash的启动流程,一下想不起来了,中午闲来无事就整理了整理当初6410的两种启动方式的区别.在这里写一下.有不对的请指点,我对Rom,Ram,Sram这些实在学不通. 1,sd卡启动6410 首先,sd卡启动0地址在Rom里面,上电后,程序从0地址开始执行,将sd卡的前8Kbootloader拷贝到Sram里面执行,这8Kbootloader会对进行一些设备的初始化,关闭看门狗,初始化nandflash,初始化时钟,初始化…

http://blog.csdn.net/tigerjibo/article/details/9322035 [摘要]:作为一个嵌入式工程师,要对NorFlash 和NandFlash要有最起码的认知.本文通过从启动方式.读写方式.容量成本.可靠性.寿命以及是使用型上进行了全面的分析和对比.任何事物都两面 性,因此其本身没有好坏之分,重要的是我们如何使用使其达到性能上的最佳,最后叙述了如何在NorFlash 和NandFlash上进行抉择. 前言: 目 前,各类DDR,SDRAM或者RDRAM都…

前段时间,研究了一下4G的Nandflash驱动.手头上只有飞凌6410BSP自带的Nandflash驱动,该驱动不支持K9GAG08U0D(2G)和K9LBG08U0D(4G)的Nandflash.所以就要先把这个Nandflash驱动搞成支持K9GAG08U0D(2G)的. 接下来要弄的就是支持K9LBG08U0D(4G)的Nandflash.由于TE6410板子用的是K9GAG08U0D(2G)的Nandflash,所以先移植到支持这个Nandflash的,再进一步修改成支持K9LBG08…

一.概述 u-boot环境变量可以设置在Norflash上,也可以在NandFlash上. 倘若环境变量在NorFlash上,再假设S3C2440从NorFlash启动,是能正确从NorFlash上读取环境变量.但是,倘若从NandFlash启动,由于Bank0被挂载成S3C2440的stepstone,就不能从NorFlash上读取环境变量. 倘若环境变量在NandFlash上,无论S3C2440以什么方式启动,由于NandFlash的逻辑空间与S3C2440的逻辑空间独立,NandFlash…

1.为何需要分析? 最近一直接触这类驱动,如果对它的原理不懂的话,驱动调试会很麻烦!!!!!! 2.ecc? nand的纠错能力,目前有1位.4位和8位,也就是说在512字节中如果是4位的ecc那就可以纠正最多4个bit的错误,一般就是翻转的错误! 3.oob? 冗余区域,一般存放的是ecc纠错码,一般4位的ecc的纠错后需要的字节数为:4 bit ecc, per 512 bytes can creat 13 * 4 = 52 bit , 52 / 8 = 7 bytes ,就是需要7个字节的…

1.首先和前面的几个驱动程序相似,需要分配一个nand_chip结构体 s3c_nand = kzalloc(sizeof(struct nand_chip), GFP_KERNEL); 然后填充该结构体 /* 2. 设置nand_chip */ /* 设置nand_chip是给nand_scan函数使用的, 如果不知道怎么设置, 先看nand_scan怎么使用 * 它应该提供:选中,发命令,发地址,发数据,读数据,判断状态的功能 */ s3c_nand->select_chip = s3c24…

一.概述 1.NandFlash NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,比如能达到256M,并且写入和擦除的速度也很快.应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口. 2.NandFlash和NorFlash对比 Nor/Nand Flash 的差别   Nor Nand 容量 1MB~32MB 16M~512MB XIP Yes No 擦除 非常慢(5S) 快(3ms) 写 慢  快 读 快 快 可靠性 比较高,位反转的比例小于NandFlash的10% 比较低,位…

韦东山的视频里面说S3C2440有4KB的内存,这个其实是不正确的,这4KB的RAM严格说不应该叫内存,严格来说芯片外面的64MB的SDRAM才能叫做内存,里面的那4KB只是当nandflash启动的时候用来加载bootloader的. 关于SRAM.DRAM.SDRAM SRAM:静态随机存储器,不需要刷新电路,这使得静态RAM比动态的RAM要快的多,但是,由于他所含的器件较多,集成度较低,不适合做大容量的内存,一般用在处理器的缓存里面,SRAM的速度非常快,在快速读取和刷新时能够保证数据完整…

1.之前已经将uboot写到nandflash里面了,接下来将内核zImage.文件系统写到nandflash. 2.编译内核 cd linux-2.6.28_smdk6410 make clean make distclean cp  smdk6410_config .config make menuconfig 将Device Drivers --->Graphics support ---> Support for frame buffer devices ---> select…

/****************************************************************************** Copyright (C), 2001-2011, DCN Co., Ltd. ****************************************************************************** File Name : nand.c Version : Initial Draft Author :…

ECC的全称是Error Checking and Correction,是一种用于Nand的差错检测和修正算法.如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错.ECC能纠正1个比特错误和检测2个比特错误,而且计算速度很快,但对1比特以上的错误无法纠正,对2比特以上的错误不保证能检测. 校验码生成算法:ECC校验每次对256字节的数据进行操作,包含…

K9F2G08U0A是三星公司生产的总容量为256M的NandFlash,常用于手持设备等消费电子产品.还是那句话,搞底层就得会看datasheet,我们就从它的datasheet看起. 这就是 K9F2G08U0A的内部结构,具体的各个部件的介绍,就不详细介绍了,想了解的话可以参考伟东山的<嵌入式linux应用开发完全手册>. 现在就看一下重点的,NandFlash的存储单元的组织结构,K9F2G08U0A的存储单元的组织结构如下: 结合上面的图,我们现在来分析一下: NandFlash的存…

一.SDRAM(HY57V561620F)连线分析 1.  S3C2440 有27根地址线ADDR[26:0],8根片选信号ngcs0-ngcs7,对应bank0-bank7,当访问bankx 的地址空间,ngcsx引脚为低电平,选中外设. 2^27=128MByte, 8*128Mbyte = 1Gbyte,所以S3C2440 总的寻址空间是1Gbyte.但市面上很少有32位宽度的单片SDRAM,一般选择2片16位SDRAM 扩展得到32位SDRAM. 2.这里选择的SDARM是HY57V56…

1.nandflash     Nandflash是IO设备,数据.地址.控制线都是共用的,须要软件区控制读取时序, 所以不能像nor flash.内存一样随机訪问,不能EIP(片上执行).因此不能直接作为boot.     S3C2440把Bootloader烧到nand flash上启动,由于在S3C2440里有一个内置的SRAM. 叫做stepping stone(垫脚石,非常形象-).系统启动加电后, 会把nandflash上的起始4KB的内容复制到SRAM里运行,这样就实现了从nand…

NandFlash读数据方式 1.页读,读出页中主数据区的所有数据,提供页地址(行地址) 2.随机读,读出页中指定的存储单元的数据,提供页地址(行地址)和页内偏移(行地址) 代码编写 1.根据NandFlash中的读时序图写出工作流程,可以通过在芯片手册中搜索operation找到相关描述 2.主要关心的是IO脚上时序的变化 3.初始化闪存分为初始化闪存控制器和闪存芯片 4.对位操作 4.1.清零 x &= ~(y<<z)   对x的z位开始的y清零 4.2.置1 x |= y<…