nand启动与nor启动的区别主要分为以下几部分说明: 1.nand flash与nor flash的最主要区别 2.s3c2440的nand启动与nor启动原理 3.nand启动与nor启动的时候uboot做了什么 1.在JZ2440开发板上有两种Flash,分别为nand flash和nor flash.这两种flash的最主要的区别为:nor flash比较稳定,存在里面的数据不易丢失,但是容量小,nor flash在读的时候可以像内存一样操作:nand flash容量大,但是存在位反转,

可道云真的很强大,安装包很小,功能却很齐全,还可以自定义轻应用如果有手机客户端就更好了 研究了一下,可道云根目录放到外置存储设备(移动硬盘)会更合适,改路径的方法下面有提到上传文件时一个文件会在用户目录分割,再转移,如果放到内部存储,会出现上传速度慢的情况 贴上几张图我的设备:迪优美特x6ii,五年前的全志A20处理器,但是安装可道云很合适单片机ADC测量电压和电流计算功率盒子运行功耗非常低! 上传文件时2.8W左右 先刷入cubian2.0:     请移步:http://www.geekfa

51全志R58平台Android4.4下Camera的HAL层修改 2018/11/7 15:20 版本:V1.0 开发板:SC5806 1.系统编译: (略) 2.全志R58平台Android4.4下Camera的HAL层在这个目录: /home/wwt/r58_android_v4.4/android/device/softwinner/octopus-common/hardware/camera 可以使用mm编译: BuildImg 0 Dragon execute image.cfg S

全志A33平台编译linux 大文实验室/大文哥 壹捌陆捌零陆捌捌陆捌贰 21504965 AT qq.com 完成时间:2017/12/12 17:36 版本:V1.0 Xshell 5 (Build 0964) Copyright (c) 2002-2016 NetSarang Computer, Inc. All rights reserved. Type `help' to learn how to use Xshell prompt. [c:\~]$ Connecting to 192

原文 : http://blog.csdn.net/allen6268198/article/details/12905425 从这里开始:http://linux-sunxi.org/Bootable_SD_card 代码仓库:https://github.com/linux-sunxi A10/A20 Bootloader加载过程分析 注:由于全志A10和A20在加载 Bootloader过程方面基本一致,下面仅以A20叙述,但同时也适用于A10.另外在不需要区分Cubieboard1和Cu

Description 首先知道A nand B=not(A and B) (运算操作限制了数位位数为K)比如2 nand 3,K=3,则2 nand 3=not (2 and 3)=not 2=5. 给出一棵树,树上每个点都有点权,定义树上从a到b的费用为0与路径上的点的权值顺次nand的结果,例如:从2号点到5号点顺次经过2->3->5,权值分别为5.7.2,K=3,那么最终结果为0 nand 5 nand 7 nand 2=7 nand 7 nand 2=0 nand 2=7,现在这棵树

NAND FLASH是一个存储芯片. 在芯片上的DATA0-DATA7上既能传输数据也能传输地址. 当ALE为高电平时传输的是地址. 当CLE为高电平时传输的是命令. 当ALE和CLE都为低电平时传输的是数据. 将数据发给nand Flash后,在发送第二次数据之前还要判断芯片是否处于空闲状态.一般是通过引脚RnB来判断,一般是高电平代表就绪,低电平代表正忙. 操作Nand Flash的一般步骤是: 1. 发命令 选中芯片 CLE设置为高电平 在DATA0-DATA7上输出命令值 发出一个写脉冲

NAND FLASH  优势 : 可以用当硬盘   这里好像型号是 K9F2G08 基本结构: 不是很难自己看看,暂时不要看

http://www.linux-mtd.infradead.org/doc/ubi.html#L_subpage NAND flash sub-pages As it is said here, all UBI I/O should be done in fractions of min. I/O unit size, which is equivalent to NAND page size in case of NAND flash. However, some SLC NAND flas

前言:    在嵌入式开发中,如uboot的移植,kernel的移植都需要对Flash 有基本的了解.下面细说一下标题中的中Flash中的关系 一,Flash的内存存储结构    flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash. NorFLASH使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,在小容量时有很高的性价比,这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM.    相对于NorFLASH,NandFLASH强调更高的性能,更

2015.3.27星期五 晴 链接脚本定义代码的排放顺序 硬件系统初始化:一:arm核初始化:(里面有指令)初始化ARM核的时候需要看arm核的手册指令:1.异常向量(最起码有个复位异常,初始化模式-svc) ldr r0, =_start mcr p15, 0, r0, c12, c0, 0 2.处理器模式-SVC3.关闭中断 mrs r0, cpsr bic r0, r0, #0x1f orr r0, r0, #0xd3 @1101 0011 //关闭irq,fiq和设置SVC msr cp

转自 http://www.right.com.cn/forum/thread-146260-1-1.html   在Android4.0升级后,突然发现大量平台对Camera的支持均非常不好.要么Camera使用不稳定,要么各类ioctl设置不能使用,更有甚者,连Camera Device都不能创建.   而我们的产品,基于Camera的正常工作,必须解决此类问题.选择了其中一款使用CSI接口Camera的平台:全志A20来做研究和解决.   0. 基础知识 :  0.0. 目录结构: 除了常

8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用 NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似 NAND Flash在掉电后仍可保存 8.1.1 Flash介绍 有NOR Flash和NAND Flash两种 NOR Flash与SDRAM的接口完全相同,可以随机访问任意地址的数据 NOR Flash的块大小是64kb~128kb,NAND的块大小是8kb~64kb NAND Flash一般以512字节为单位进行读写 Flash存储期间的可靠性主要考虑3点:位翻转.

RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM,random access memory(随机存取存储器)的缩写,下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别.SRAM:静态随机存储器,就是它不需要刷新电路,不像动态随机存储器那样,每隔一段时间就要刷新一次数据.但是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里面.像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的.DRAM,动态随机存取

用的是tiny210+1312的SDK,友善之臂给的文件系统居然有300多兆,烧写系统可是要人命了,那个等啊...所以,想着把系统给做小一点.和其他一样,我的知识仅限于理论阶段,嘿嘿.今天实践一下. 1. nand基础 nand的读写基础都是page,但是,因为没有直接操作过nand,没发现原来还有个spare.其中的spare是用来存放校验和的.也就是,实际的读写size,应该是page+spare.page的概念就烂大街了,在这里记录一下spare.Nand由于最初硬件设计时候考虑到,额外的

1, /include/configs/smdk2440.h 中添加 #define CONFIG_CMD_NAND 编译 drivers/mtd/nand/built-in.o: In function `nand_init_chip': /u-boot-2016.03/drivers/mtd/nand/nand.c:76: undefined reference to `board_nand_init' 发现是少了文件 /drivers/mtd/nand/s3c2410_nand.c 复制为

1, 要求:在4K 的代码以内,完成 NOR NAND 类型判断,初始化 NAND 复制自身到 SDRAM ,重定向. 2, 在 /arch/arm/cpu/arm920t/ 文件夹里 添加一个 inic.c 的文件,要在这个文件里面做上面说的事情. 修改 /arch/arm/cpu/arm920t/Makefile 加入 inic.c 的 编译. extra-y = start.o obj-y += init.o obj-y += cpu.o init.c 最后有补丁文件 3, 在 start

关于NAND FLASH的结构是以页为单位写,以块为单位来擦除: 1Gb     为大页   page=2048Kb    BLOCK=128K 512Mb 为小页   page=512byte    BLOCK=16K PS:一页还有额外64字节OOB块,通常不计入读取范围. 另一个区别就是ECC的验证: ECC是每256个字节生产一个24位的值.NAND FLASH在写的时候会生成一个原始的ECC值保存在页的SPARE区,当要读页时也会生产一个ECC值,会跟SPARE的值进行异或比较,看结果

[详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动  :http://www.cnblogs.com/linux-rookie/articles/3016990.html 当读写文件请求到来的时候,流程如下 1.通过vfs进入文件系统, 2.文件系统把文件读写转换为块设备读写,其中有运用算法对读写操作进行合并,排序等,最后把块设备读写放进队列 3.循环从队列中取出读写要求,然后用处理函数(blk_init_queue设置)进行处理. 这个函数就是连接上层(IO调度)跟底层(硬件操作)的桥梁,当

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A) 转载自:http://www.cnblogs.com/idle_man/archive/2010/12/23/1915303.html S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器.S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性: l        一个引导启动单元 l        Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand f

这次大概介绍了一下NAND Flash,以及在ASF中使用它的方法. 一. 接线 这个开发板搭载了一个256 MB,8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA).引脚接线如下: 偷个懒,直接上引脚复用的图.其中PC14表明该NAND FLASH需要作为SMC的外设0使用.通过使用NANDOE和NANDWE引脚说明需要使用芯片的NAND Flash控制逻辑.另外,PC18复用为输入引脚,用以查询芯片的状态. 二. NAND Flash 组织结构与寻址 NAND Flash的容量较大.