一.MOSFET 简介: 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor).MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同,可分为"N型"与"P型" 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMO

案例:设计一个Buck电路,满足如下性能指标要求:一.性能指标要求  1.输入电压  2.输出电压  3.输出电压纹波  4.电流纹波  5.开关频率  二.需要计算的参数  三.BUCK电路拓扑  四.BUCK电路工作原理  五.参数计算的假设前提条件  六.BUCK电路参数计算所需要的理论知识  七.导通时的占空比D的计算  八.电感L的计算  九.电容C的计算  十.案例中各个元器件的参数计算一.性能指标要求  1.输入电压      标准直流电压48V   2.输出电压      直流电

Buck带同步整流,关闭二极管仿真模式会使空载损耗大 利用二极管仿真模式提高降压转换器轻负载效率 Buck电路工作原理以及三种工作模式分析   一.Buck电路原理图 Buck电路,又称降压电路,其基本特征是DC-DC转换电路,输出电压低于输入电压.输入电流为脉动的,输出电流为连续的. .Buck电路工作原理 当开关管Q1驱动为高电平时,开关管导通,储能电感L1被充磁,流经电感的电流线性增加,同时给电容C1充电,给负载R1提供能量.等效电路如图二 图二 当开关管Q1驱动为低电平时,开关管关断,储

Buck电路,也称呼为DC_DC Buck型降压开关电源电路,这种电路结构实际应用也是很多的,电路拓扑结构看下图: 电路中,Q1是开关管,D1是续流二极管,L1就是问题中提到的这个电感器.C1就是问题中提到的电容器,RL是负载电阻器. 电路很简单,不过理解这个电路需要先学习电感器知识,理解了电感器的特性,这个电路就不是问题. 具体可以看我电感器视频,自己搜一下. 当Q1栅极G为高电平的时候,Q1这个D.S导通,电流方向是VCC经过Q1.经过L1电感器.给电容C1充电.同时给后级负载RL供电,由于

1.  利用PI 模块仿真BUCK 电路电流环 在调制通道上未加入延迟环节时,无论KP, KI 参数如何调整系统都是稳定的 仿真结果: 在调制通道上引入 一个开关周期的延迟 系统出现明显的震荡情况,说明数字系统 一个差拍的控制特性,导致相位裕量减少,系统容易不稳定 存在一个1.5K 的等幅度震荡 利用交流扫频功能得到 闭环波特图,可见在穿越频率处(1.5KHZ),相位裕量几乎为0,所以出现1.5KHZ的等幅度震荡 此时若将kp 从20 降低到4, 可见在穿越频率处 相位大于 -180, 系统勉强

我开始时用的是MPS的MP1584EN,这个芯片各方面都挺不错的.有次老大让我画个降压电路,看到用的是MP1584就说国外的芯片太贵,让我用上海贝岭的BL8033.BL8033确实很好用,虽然它没有1584优秀,但是它便宜,还少用个二极管.1584则是有输入电压更高,输出电流更大,纹波更小等优势,毕

1. 利用S函数模块进行环路仿真 将PI 写成 截止频率的表示形式 Kp* (Ti*s+1)/Ti*s  ,  这里Kp = 20,  Ti = 0.0001  ,  写入仿真模型参数框 仿真结果: 2. 利用Z 函数模块来进行仿真模型搭建 首先利用matlab 的c2d 函数对 S 传递函数进行离散化处理 得到z 函数如下 所以仿真模型参数如下: 仿真结果:发现实际电流平均值高于参考值,而离散后的反馈值却是完全跟踪参考值,什么原因? 应该是数字环路采样速率 和 开关频率一样导致,采样速率不足导

本文转载自:http://blog.chinaunix.net/uid-25906157-id-4125916.html 作为一名FAE,才知硬件知识的匮乏.慢慢积累一点儿硬件知识吧!BUCK和LDO,这两个名词以前也都听说过很多次,但他们的原理和用途.差别什么的,一直摸不清楚.今天就来总结一下. 一 什么是BUCK? “A buck converter is a voltage step down and current step up converter.”――来自维基百科的解释.翻译成中文

RCC电路工作于临界模式,不是固定工作频率,其设计遵从BUCK原理.Buck电路在最高输入电压时为电感最恶劣工作条件: 以下图为例: 1.首先设定如下参数:输入电压Vin,输出电压Iout,工作频率f: 2.由于电路工作在临界模式,所以电感峰值电流为2Iout: 3.由(Vinmin-Vo)*ton=Vo*toff,则占空比D=Vout/Vinmin: 4.由伏秒平衡VL*ton=L*I:可得L=(VL*dt)/(di)=(Vinmax*ton)/Ipk ,其中ton=D*T=D/f: 5.确定

和boost电路相反,buck电路为DC-DC降压电路,搞了一下仿真发现低压情况下降压效率比較高,电压略微高一点降压效率就不敢恭维了. .不知道是怎么回事 仿真电路: 占空比D设置了0.5, U0=Ui*D ,所以输出电压理论计算值为0.5V 观察示波器能够看到输出电压接近0.5v,但假设输入电压高一点,输出电压则会全然偏离公式计算值..至今没搞懂

1. 直流—直流变换器通过对电力电子器件的通断控制,将直流电压断续地加到负载上,通过改变占空比改变输出电压平均值. BUCK线路原理图如上,其中Q管/MOS作为开关管,驱动电压一般为PWM. 当开关管驱动为高电平时,开关管导通,储能电感L被充磁,流经电感的电流线性增加,同时给电容C充电,给负载R提供能量.等效电路如图二 当开关管驱动为低电平时,开关管关断,储能电感L通过续流二极管放电,电感电流线性减少,输出电压靠输出滤波电容C放电以及减小的电感电流维持,等效电路如图三 BUCK电路有三种工作方式

Part01:Buck电路工作原理: 图1-1 Buck电路拓扑结构 Buck电路的拓扑结构如图1-1所示: (1) input接输入电源,既直流电动势: (2) IGBT1为开关管,可以选择以全控型开关管为主,对于高频状态多使用MOSFET,对于高电压状态,多采用IGBT(MOSFET或者IGBT由Buck电路具体工作情况决定).Buck变换器又称降压变换器,通过控制input侧直流电动势的供电与断电实现输出测的降压.开关管的控制方式根据控制信号的不同主要又分为以下三种方式: a) 脉冲调制型

6.4 变换器评估与设计 没有完美适用于所有可能应用场合的统一变换器.对于给定的应用和规格,应该进行折中设计来选择变换器的拓扑.应该考虑几种符合规格的拓扑,对于每种拓扑方法,对比较重要的量进行计算,比如最坏情况下的晶体管电压,电流有效值,变压器尺寸等.这种类型的定量比较可以选择最佳方法,同时避免工程师的个人偏好. 6.4.1 开关应力和利用率 通常,变换器中最大的单一成本是有源半导体器件的成本.而且,与半导体器件相关的导通和开关损耗通常占变换器损耗的主体.因此,对于候选变换器而言,比较总有源开关

首先对于我这种电源方面的小白来说 关于电源用的最多的就是线性稳压了 开关类的如  TI 的TPS系列  我是只知道应用电路而不知道具体原理的 但是长此以往也不是个办法 于是今天就带打家详细的来讲一下  BUCK BOOST电路的原理 先挂几个连接: 比较粗略的BUCK/BOOST电路的分析 http://tech.hqew.com/fangan_522451 http://blog.csdn.net/u011388550/article/details/23841023 这个还是不错的 http

iHMI43智能液晶模块 2013 版改进内容: 本着精益求精的态度,新版(2013版) iHMI43 模块发布了,在保证了与老版本(2012版)软件.机械尺寸兼容的情况下,改进了部分电路,使接口更合理,功耗更低,使用更方便.已经应用在自己产品中的老客户不用担心,新模块可直接代替老模块. 具体更新内容如下: ■ 改进了电源方案,使用BUCK电路代替 LDO ,功耗从 300mA降低到 180mA左右(5V供电):功耗降低了 40%:新版电源示意图如下图所示: 2013版 iHMI43 可以一下两

新版DEMO软件包主要在以下几个方面进行了改进: 1.改进触摸算法,使用链表注册模式:注册触摸按键后:用户只需要处理事件(event)就行了,其他都由系统完成: 2.改进systick 和 usart的优先级,使得通信更可靠: 3.界面微调. 改进后的界面: _______________________________________________ 届时,新版 iHMI43 硬件也即将发布,在保持与上一版代码兼容性的基础上,硬件进一步优化,主要优化的有: 1.改进电源方案,使用 BUCK 电

高速电路中的电源设计 高速电路中的电源设计大概分为两种,一种是集总式架构,一种是分布式架构.集总式架构就是由一个电源输入,然后生成多种所需要的电压.如图1所示.这种架构会增加多个DC/DC模块,这样成本不可控,PCB面积也需要增加,但集总式分布架构可以提高整体电源转换效率. 图1 集总分布架构 分布式架构是先由一个模块生成一个中间电压,然后再去转换成其他单板所需要的电压,如图2所示.第一级输出可以要求有较大的噪声和纹波,第二级电源输出所需要的各种电源,这时必须考虑纹波和噪声问题.但分布式也有一个

1.当Vds电压增大,Ciss增大,栅极充放电电流也会增大 2.MOS管的功率损耗要控制在额定功耗以下 3.在Buck电路中,开关MOS管的Vds在MOS管关断时会非常大

电源引入的物种 (百度百科)LDO这是low dropout regulator,这意味着低压差线性稳压器.它相比于传统的线性调节器.传统的线性稳压器.例如78xx系列芯片需要输入电压比输出电压高2v~3V以上,否则就不能正常工作. 可是在一些情况下.这种条件显然是太苛刻了.如5v转3.3v,输入与输出的压差仅仅有1.7v,显然是不满足条件的.针对这种情况,才有了LDO类的电源转换芯片.Ldo适合电压要求比較稳,可是功率不是非常大的设备. BUCK电路,降压式变换电路.就是一种DC-DC转换器,

节选自 http://www.dianyuan.com/bbs/987183.html [草根大侠]贴 关于MOS管导通内阻和米勒电容(Qgd)差异对效率的影响 http://www.epc.com.cn/subject/200910/13172.html 理解功率MOSFET的开关损耗(图) 最近做了一款正激有源钳位电源,DC48输入,DC28V输出,功率200W,频率100K.下边分别说说MOS管的差异 1.主MOS管用的IRF640,钳位管也用的IRF640 ,输出整流管用的MBR2020